第三代半導(dǎo)體的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率,小型化,集成化和多功能方面前進(jìn),對(duì)封裝基板性能提升起到了很大的促進(jìn)作用。陶瓷基板也是陶瓷電路板在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用主要是緣于陶瓷基板具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點(diǎn)。 陶瓷基板工藝有很多種,除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外,還有目前備受關(guān)注的AMB(Active Metal Bonding)技術(shù),即活性金屬釬焊技術(shù)。 一,什么是活性金屬釬焊技術(shù)? AMB技術(shù)是指,在800℃左右的高溫下,含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤(rùn)濕并反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合的一種工藝技術(shù)。AMB陶瓷基板,一般是這樣制作的:首先通過(guò)絲網(wǎng)印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上活性金屬焊料,再與無(wú)氧銅層裝夾,在真空釬焊爐中進(jìn)行高溫焊接,然后刻蝕出圖形制作電路,最后再對(duì)表面圖形進(jìn)行化學(xué)鍍。 二,AMB陶瓷基板的技術(shù)特點(diǎn) AMB技術(shù)是在DBC(Direct Bonding Copper,直接覆銅法)技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的。相比于傳統(tǒng)的DBC基板,采用AMB工藝制備的陶瓷基板,不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力,而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢(shì)。 三, AMB陶瓷基板按材質(zhì)分類(lèi) 根據(jù)陶瓷材質(zhì)的不同,目前成熟應(yīng)用的AMB陶瓷基板可分為:氧化鋁、氮化鋁和氮化硅基板。 3.1 AMB氧化鋁基板 相對(duì)地,氧化鋁板材來(lái)源廣泛、成本最低,是性價(jià)比最高的AMB陶瓷基板,工藝最為成熟。但由于氧化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率低、散熱能力有限,AMB氧化鋁基板多用于功率密度不高且對(duì)可靠性沒(méi)有嚴(yán)格要求的領(lǐng)域。 3.2 AMB氮化鋁基氮化鋁板 AMB基板具有較高的散熱能力,從而更適用于一些高功率、大電流的工作環(huán)境。但是由于機(jī)械強(qiáng)度相對(duì)較低,氮化鋁AMB覆銅基板的高低溫循環(huán)沖擊壽命有限,從而限制了其應(yīng)用范圍。氮化鋁AMB基板具有較高的散熱能力,從而更適用于一些高功率、大電流的工作環(huán)境。但是由于機(jī)械強(qiáng)度相對(duì)較低,氮化鋁AMB覆銅基板的高低溫循環(huán)沖擊壽命有限,從而限制了其應(yīng)用范圍。 3.3 AMB氮化硅基板 氮化硅陶瓷,具有 α-Si3N4和β-Si3N4兩種晶型,其中α 相為非穩(wěn)定相,在高溫下易轉(zhuǎn)化為穩(wěn)定的 β 相。高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷內(nèi) β 相的含量一般大于40%。憑借氮化硅陶瓷的優(yōu)異特性,AMB氮化硅基板有著優(yōu)異的耐高溫性能、抗腐蝕性和抗氧化性。 3.3.1 AMB氮化硅基板具有高熱導(dǎo)率。 一方面,AMB氮化硅基板具有較高的熱導(dǎo)率(>90W/mK),厚銅層(達(dá)800μm)還具有較高熱容量以及傳熱性。因此,對(duì)于對(duì)高可靠性、散熱以及局部放電有要求的汽車(chē)、風(fēng)力渦輪機(jī)、牽引系統(tǒng)和高壓直流傳動(dòng)裝置等來(lái)說(shuō),AMB氮化硅基板可謂其首選的基板材料。 另一方面,活性金屬釬焊技術(shù),可將非常厚的銅金屬(厚度可達(dá)0.8mm)焊接到相對(duì)較薄的氮化硅陶瓷上。因此,載流能力較高,而且傳熱性也非常好。客戶可自定義產(chǎn)品布局,這一點(diǎn)類(lèi)似于PCB電路板。 3.3.2 AMB氮化硅基板具有低熱膨脹系數(shù)。 氮化硅陶瓷的熱膨脹系數(shù)(2.4 ppm/K)較小,與硅芯片(4 ppm/K)接近,具有良好的熱匹配性。因此,AMB氮化硅基板,非常適用于裸芯片的可靠封裝,封裝后的組件不容易在產(chǎn)品的生命周期中失效。@陶瓷封裝 - Z8 p6 E8 F% C
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