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1、 定義 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可經(jīng) SD 卡轉(zhuǎn)換器后，當 SD 卡使用。 TF 卡產(chǎn)品+ e7 F. i7 Y/ t' \2 ?' Y
采用 SD 架構(gòu)設(shè)計而成， SD 協(xié)會于2004年年底正式將其更名為 Micro SD ， 已成為 SD 產(chǎn)品中的一員 。) \( p4 v; d+ \/ f$ y
SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一種基于半導體快閃記憶器的新一
; N) r; F! g$ D( _( v, z代記憶設(shè)備。 # O8 R7 d: o9 w+ b
0 y; f' G5 Z: J- ]* NCLK:時鐘信號。
5 P7 L; }5 |3 G# xCMD:雙向命令和響應信號。
; u" x5 T3 u0 D3 dDAT0-3:雙向數(shù)據(jù)信號。0 t0 m3 m0 u, ]3 O+ Y
VDD、 VSS:電源和地信號。
1 i3 D a! X' v9 W% M' r- _CD：卡檢測。0 _% m* l. D. [6 e
% u& s3 O7 \% n; ^* g
2、阻抗控制要求
9 @3 }* I2 b: x! @4 J單端阻抗控制在50歐姆。6 o0 {( m' {- Y. {
3、 走線要求
, T' M e4 t4 ^' a所有的信號線盡量走在同一層,參考GND平面，盡量避免夸分割的情況出現(xiàn)，
7 \& t5 a1 g* _/ k, V7 j特別是時鐘線。數(shù)據(jù)線控制線參照時鐘線盡量等長，誤差可以放寬點。做到+/-300mil即可。時鐘線在空間足夠的情況下，采取包地處理。如果做不到，盡量拉開時鐘線與其他信號線之間的距離。 大于 3W。在打孔換層的地方增加回流地過孔，縮短回流路徑。電源和地走線加寬，請注意載流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盤之間的間距，不能太近，預防連錫。（ 1.5mm 適宜）
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