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1、 定義 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可經(jīng) SD 卡轉(zhuǎn)換器后，當(dāng) SD 卡使用。 TF 卡產(chǎn)品
( A) Y( o4 Q, Y8 d( m采用 SD 架構(gòu)設(shè)計(jì)而成， SD 協(xié)會于2004年年底正式將其更名為 Micro SD ， 已成為 SD 產(chǎn)品中的一員 。
& Q! R$ b, k1 `SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一種基于半導(dǎo)體快閃記憶器的新一
. ]% o3 t" h1 i代記憶設(shè)備。 ( Z+ ^. j. [# C
9 f9 ?4 b1 l2 i( @' t" y
CLK:時(shí)鐘信號。
A& n1 i7 W" g) @7 aCMD:雙向命令和響應(yīng)信號。
2 a; {8 a, S( E& W! cDAT0-3:雙向數(shù)據(jù)信號。- C! j5 L) ^/ m2 f
VDD、 VSS:電源和地信號。
|6 i. X1 l4 x: w% P% XCD：卡檢測。( J& f8 `/ s- W0 f2 w& K7 h
% [2 m; c' G: g, [6 ]: T2、阻抗控制要求
& f% n. V9 @- ^' y; k單端阻抗控制在50歐姆。
% V* G! ~' Y) ^: I! Y) q* ?7 ]3、 走線要求
. B* Y) V/ q }" k7 w# R所有的信號線盡量走在同一層,參考GND平面，盡量避免夸分割的情況出現(xiàn)，2 Z4 c9 c5 E, `
特別是時(shí)鐘線。數(shù)據(jù)線控制線參照時(shí)鐘線盡量等長，誤差可以放寬點(diǎn)。做到+/-300mil即可。時(shí)鐘線在空間足夠的情況下，采取包地處理。如果做不到，盡量拉開時(shí)鐘線與其他信號線之間的距離。 大于 3W。在打孔換層的地方增加回流地過孔，縮短回流路徑。電源和地走線加寬，請注意載流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盤之間的間距，不能太近，預(yù)防連錫。（ 1.5mm 適宜）/ a" E1 x! n3 B$ o" j5 E, B
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