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電鍍一般可分為以下幾種： + Q8 Y- f3 n; N1 W
1 B2 H5 a& t) D: |3 | 1、蒸鍍：表面附著； 0 E2 {% A. n1 i4 C
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2、濺鍍：表面交換； 5 [( m" K* _8 z7 D, k* q
" ` U5 p. e+ x Z3 q# e5 L7 W 3、水鍍：分子結(jié)合
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# f, b6 A$ [ W; p. u1 b! ? 蒸鍍和濺鍍都是采用在真空條件下，通過蒸餾或?yàn)R射等方式在塑件表面沉積各種金屬和非金屬薄膜，通過這樣的方式可以得到非常薄的表面鍍層，同時(shí)具有速度快附著力好的突出優(yōu)點(diǎn)。真空蒸鍍法是在高真空下為金屬加熱，使其熔融、蒸發(fā)，冷卻后在樣品表面形成金屬薄膜的方法，蒸鍍用金屬為Al、金等。 7 s; u6 w& _! J2 C. i$ d
$ O" v4 N! }- l8 [4 l1 v 想知道下這幾種不同的電鍍方法 在導(dǎo)電性能方面的區(qū)別是什么？ 3 I/ K8 ^0 g3 c
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一般的電鍍，就是指水鍍，水鍍是導(dǎo)電的，真空鍍現(xiàn)在有不連續(xù)鍍膜可以不導(dǎo)電表面附著力及耐磨性能怎么樣呢？因?yàn)殡婂円话闶怯米鞅砻?外觀面),濺鍍主要是做內(nèi)表面(防EMI,也有為小鍵做表面處理的,像一些按鍵)相對而言水電鍍的膜厚比較厚一點(diǎn)大約在0.01-0.02MM左右,真空濺鍍的膜厚在0.005MM左右，電鍍的耐磨性和附著力都相對好一些。
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真空濺鍍 7 E; G6 a. m1 h4 H. }
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主要主要利用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加,提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面，這個沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。 一般來說，利用濺鍍制程進(jìn)行薄膜披覆有幾項(xiàng)特點(diǎn)：
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(1)金屬、合金或絕緣物均可做成薄膜材料。 & P5 T8 a o) X8 M0 c& J
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(2)再適當(dāng)?shù)脑O(shè)定條件下可將多元復(fù)雜的靶材制作出同一組成的薄膜。
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% t/ w: B* l4 v5 t+ N' ~ (3)利用放電氣氛中加入氧或其它的活性氣體，可以制作靶材物質(zhì)與氣體分子的混合物或化合物。 5 h. A2 U# l1 z, \ a1 f! ?
9 S7 l8 h: y1 s5 e (4)靶材輸入電流及濺射時(shí)間可以控制，容易得到高精度的膜厚。
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4 d, k- y& _+ r7 b' _0 ^$ ~3 x (5)較其它制程利于生產(chǎn)大面積的均一薄膜。
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0 r) q. g. j% P$ @! m1 u (6)濺射粒子幾不受重力影響，靶材與基板位置可自由安排。 3 S9 a1 R* x7 R; }6 j
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(7)基板與膜的附著強(qiáng)度是一般蒸鍍膜的10倍以上，且由于濺射粒子帶有高能量，在成膜面會繼續(xù)表面擴(kuò)散而得到硬且致密的薄膜，同時(shí)此高能量使基板只要較低的溫度即可得到結(jié)晶膜。
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: p/ h; U: m% G9 @' \) E$ H" B (8)薄膜形成初期成核密度高，可生產(chǎn)10nm以下的極薄連續(xù)膜。
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(9)靶材的壽命長，可長時(shí)間自動化連續(xù)生產(chǎn)。 $ O6 g3 m) v+ z( e6 k
* ^. R2 {. `6 F p c7 ^ (10)靶材可制作成各種形狀，配合機(jī)臺的特殊設(shè)計(jì)做更好的控 制及最有效率的生產(chǎn)。水鍍的鍍層厚度比真空鍍厚,耐磨性也比真鍍好。 6 W) s+ Y- f1 J# n
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總結(jié)起來，區(qū)別如下: 7 }( L$ B7 O5 x+ W! h9 c) l4 [
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1、真空鍍工藝環(huán)保，水鍍就存在隱患。
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# P# Y3 q" x" D; t3 e 2、真空鍍工藝類似烤漆制程，水鍍就不一樣。 4 Z. {* F4 ~; ]
2 Q" z, I4 f- A6 t" C1 l 3、真空鍍的附著力相對于水鍍來說較高，要加UV。 1 p6 a% ?0 o# |" v& _; e B8 F) [' j8 L
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