AMEYA360 | 納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

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　[**l=https://www.ameya360.com/hangye/%E7%BA%B3%E8%8A%AF%E5%BE%AE/1]納芯微[/**l]推出1200V首款SiC MOSFET ***060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可**車規(guī)與工規(guī)兩種等級。

　　納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動汽車(EV) O**/DCDC、熱管理**、光伏和儲能**(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領域。

　　***060N120A產(chǎn)品特性

　　更寬的柵極驅動電壓范圍(-8~22V)

　　支持+15V，+18V驅動模式(可實現(xiàn)IGBT兼容：+18 V)

　　+18V模式對下，RDSon可降低20%

　　更好的RDSon溫度穩(wěn)定性出色的閾值電壓一致性

　　Vth在25°C~175°C 的范圍保持在2.0V~2.8V之間

　　體二極管正向壓降非常低且穩(wěn)健性高

　　100%的雪崩測試，從而提高整體的可靠性，抗沖擊能力強

　　此外，功率產(chǎn)品開發(fā)中可靠性驗證與質量控制是納芯微非常重視環(huán)節(jié)之一。為了**給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴格的質量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測試，100%抗雪崩能力測試。此外，會執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴格的測試條件來執(zhí)行產(chǎn)品可靠性驗證，如下圖：

　　以執(zhí)行較為嚴苛的HV-H3TRB為例，在可靠性1000小時測試后，該款產(chǎn)品仍具有比較優(yōu)異的穩(wěn)定性。

　　***060N120A產(chǎn)品選型表

　　納芯微SiC MOSFET命名規(guī)則