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6 I; [; H7 S. v- O電容是由兩塊平行的導(dǎo)電極板所構(gòu)成,充電時(shí)以電場(chǎng)形式進(jìn)行能量?jī)?chǔ)存。并可以在放電電路中把儲(chǔ)存的能量釋放。2 L8 G" l& _- O6 k" c) C# N
電容根據(jù)其在電路中所起作用分為耦合電容、旁路電容、濾波電容,定時(shí)電容、自舉電容、定時(shí)電容、加速電容、軟啟動(dòng)電容、諧振電容等。
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" C: G1 m, k$ C; }, E5 L
旁路電容多出現(xiàn)在和電阻并聯(lián)形式電路,為交流信號(hào)、高頻信號(hào)提供的低阻抗通路,也可以把由于電流的波動(dòng),而產(chǎn)生噪音旁路到地。
3 U1 p* |5 h% T- ]& `# K' k- L耦合對(duì)交流來(lái)說(shuō)就是連接,無(wú)損傳遞的意思。( p5 H* B3 ]. n9 y! W7 B
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定時(shí)電容是利用電容充放電規(guī)律特性,用于電源電路中的驅(qū)動(dòng)脈沖寬度、頻率控制。$ I0 o1 e8 H# ^
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! ^2 \* G7 I9 i% ^% S0 u1 Z諧振電容往往是電容和電感相伴出現(xiàn)。它倆之間的充放電而形成的震蕩,而形成的電磁渦流多見(jiàn)于日常用的電磁爐,信號(hào)的阻尼、選擇多用于通訊領(lǐng)域。) L5 M$ J% g- k% J) y
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: b6 ~3 X1 G F8 G- `: s) Q" o+ m加速電容利用電容得電瞬間如無(wú)阻導(dǎo)線(xiàn)及電容兩端電壓不能突變特性,用于防止芯片的誤導(dǎo)通,晶體管的快速導(dǎo)通與截止。
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% Z9 i$ q% e! Q7 Z% z$ P* q
軟啟動(dòng)電容利用電容充電所產(chǎn)生的延時(shí),用于芯片的復(fù)位,軟啟動(dòng)。
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晶振的外接電容,為兩顆,一般區(qū)間是6PF~30PF。它們會(huì)直接影響晶振頻率的精度。這兩顆電容需要接地, 其原理是實(shí)現(xiàn)電容的分壓作用。電容值越小,晶振頻率越偏正向。同理,電容值越大,晶振頻率越偏負(fù)向。
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7 C8 v. ]4 }7 X* ~ S自舉電容是利用電容兩端電壓不能突變的特性,先給電容充電,再疊加在另一個(gè)電壓上來(lái)獲取一個(gè)更高的電壓。
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濾波電容是把脈動(dòng)直流變成平滑穩(wěn)定直流的電容,起到蓄存電能的作用。在實(shí)際應(yīng)用中如果沒(méi)有接電容或電容失容,當(dāng)耗電增大時(shí)會(huì)使電源電壓降低,開(kāi)始產(chǎn)生噪音、振鈴等現(xiàn)象。- P7 ]$ F! Y5 F
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電容由于采用多層卷繞的方式制作,寄生電感不可避免,并且容量越大,體積越大,寄生電感越大,對(duì)高頻信號(hào)阻抗越大,高頻性能不好;容量小,體積小的電容對(duì)低頻信號(hào)阻抗大,低頻性能差。在濾波時(shí)常同時(shí)選用大中小三種電容,針對(duì)不同頻率的雜波濾除。
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. x0 N: f7 U7 F& k在更換輸入輸出電容的選擇應(yīng)注意額定耐壓、和容量。額定耐壓不能低于理論值的1.1—1.3倍;容量值適量增大會(huì)使輸出電壓波動(dòng)變得更為平滑,起伏更小,過(guò)大的選擇會(huì)在電路接通的瞬間,產(chǎn)生大的浪涌沖擊電流,而增加在路元件被擊穿燒毀的風(fēng)險(xiǎn)。8 b' n$ Z! g; q5 m. q
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1 q9 d: ?; _! o聲明:文章來(lái)源網(wǎng)絡(luò)。本號(hào)對(duì)所有原創(chuàng)、轉(zhuǎn)載文章的陳述與觀點(diǎn)均保持中立,推送文章僅供讀者學(xué)習(xí)和交流。文章、圖片等版權(quán)歸原作者享有,如有侵權(quán),聯(lián)系刪除。投稿/招聘/推廣/宣傳 請(qǐng)加微信:woniu26a推薦閱讀▼5 v" a. C8 B( O, w- t$ Z
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