耦合電容、旁路電容、濾波電容，定時(shí)電容、自舉電容、定時(shí)電容、加速電容、軟啟動(dòng)電容、諧振電容

硬件筆記本

點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多

5 V8 e: N" j1 W/ P
$ p1 N5 v3 y. L: ?! d; ^/ t, Y1 b
  N" R1 I% U6 f- v7 g4 o) S電容是由兩塊平行的導(dǎo)電極板所構(gòu)成，充電時(shí)以電場形式進(jìn)行能量儲(chǔ)存。并可以在放電電路中把儲(chǔ)存的能量釋放。
) ^3 w0 X8 p, L: H電容根據(jù)其在電路中所起作用分為耦合電容、旁路電容、濾波電容，定時(shí)電容、自舉電容、定時(shí)電容、加速電容、軟啟動(dòng)電容、諧振電容等。
9 ~, ^% x# D# F# h9 r8 `
旁路電容多出現(xiàn)在和電阻并聯(lián)形式電路，為交流信號(hào)、高頻信號(hào)提供的低阻抗通路，也可以把由于電流的波動(dòng)，而產(chǎn)生噪音旁路到地。
' Z# k- h4 ?; r0 ^! f! ]耦合對交流來說就是連接，無損傳遞的意思。

定時(shí)電容是利用電容充放電規(guī)律特性，用于電源電路中的驅(qū)動(dòng)脈沖寬度、頻率控制。

9 F0 R* L8 {! k諧振電容往往是電容和電感相伴出現(xiàn)。它倆之間的充放電而形成的震蕩，而形成的電磁渦流多見于日常用的電磁爐，信號(hào)的阻尼、選擇多用于通訊領(lǐng)域。
1 B$ d7 L* Y4 r$ i6 w
/ g  f" d+ a0 a加速電容利用電容得電瞬間如無阻導(dǎo)線及電容兩端電壓不能突變特性，用于防止芯片的誤導(dǎo)通，晶體管的快速導(dǎo)通與截止。
) v( U3 q5 @' ^8 O; H$ {) i
軟啟動(dòng)電容利用電容充電所產(chǎn)生的延時(shí)，用于芯片的復(fù)位，軟啟動(dòng)。

9 x9 K1 {! h/ q2 S6 T5 ~2 w晶振的外接電容，為兩顆，一般區(qū)間是6PF~30PF。它們會(huì)直接影響晶振頻率的精度。這兩顆電容需要接地, 其原理是實(shí)現(xiàn)電容的分壓作用。電容值越小，晶振頻率越偏正向。同理，電容值越大，晶振頻率越偏負(fù)向。

自舉電容是利用電容兩端電壓不能突變的特性，先給電容充電，再疊加在另一個(gè)電壓上來獲取一個(gè)更高的電壓。

( J1 Y0 M4 o% R: f) s6 L" U濾波電容是把脈動(dòng)直流變成平滑穩(wěn)定直流的電容，起到蓄存電能的作用。在實(shí)際應(yīng)用中如果沒有接電容或電容失容，當(dāng)耗電增大時(shí)會(huì)使電源電壓降低，開始產(chǎn)生噪音、振鈴等現(xiàn)象。

+ R- ~3 l5 l# ~7 b' h電容由于采用多層卷繞的方式制作，寄生電感不可避免，并且容量越大，體積越大，寄生電感越大，對高頻信號(hào)阻抗越大，高頻性能不好；容量小，體積小的電容對低頻信號(hào)阻抗大，低頻性能差。在濾波時(shí)常同時(shí)選用大中小三種電容，針對不同頻率的雜波濾除。
6 L. g' T- M) S$ }( A' R& }
在更換輸入輸出電容的選擇應(yīng)注意額定耐壓、和容量。額定耐壓不能低于理論值的1.1—1.3倍；容量值適量增大會(huì)使輸出電壓波動(dòng)變得更為平滑，起伏更小，過大的選擇會(huì)在電路接通的瞬間，產(chǎn)生大的浪涌沖擊電流，而增加在路元件被擊穿燒毀的風(fēng)險(xiǎn)。
9 I5 I: w1 r) n+ c+ _, ^& H
: |: j+ z6 W- j6 N# M
聲明：
聲明：文章來源網(wǎng)絡(luò)。本號(hào)對所有原創(chuàng)、轉(zhuǎn)載文章的陳述與觀點(diǎn)均保持中立，推送文章僅供讀者學(xué)習(xí)和交流。文章、圖片等版權(quán)歸原作者享有，如有侵權(quán)，聯(lián)系刪除。投稿/招聘/推廣/宣傳 請加微信：woniu26a推薦閱讀▼
電路設(shè)計(jì)-電路分析
& `7 s$ c& N$ I# [1 v" hemc相關(guān)文章
6 a3 m9 w/ T+ c0 R' |電子元器件
  @5 u# ]: h% a+ _后臺(tái)回復(fù)“加群”，管理員拉你加入同行技術(shù)交流群。