IMEC更新|Chiplet互連技術(shù)

逍遙設(shè)計自動化

引言半導(dǎo)體行業(yè)長期以來一直依靠摩爾定律推動創(chuàng)新，但隨著我們接近晶體管縮放的物理極限，需要新的方法來繼續(xù)推進芯片性能和功能。Chiplet互連技術(shù)應(yīng)運而生，正在重塑半導(dǎo)體設(shè)計和制造的格局。
$ T* l+ ?0 H$ u7 O3 }% S( ]1 y/ x* e本文將探討Chiplet的世界、其優(yōu)勢以及使其成為可能的前沿互連技術(shù)。研究Chiplet集成的各種方法，包括2.5D和3D技術(shù)，并探討未來面臨的挑戰(zhàn)和機遇[1]。


了解Chiplet
+ I0 R9 B" E, i6 N: j2 q% QChiplet是具有特定功能的小型模塊化芯片，可以組合成單個封裝或系統(tǒng)�？梢詫⑵湟暈榘雽�(dǎo)體世界的樂高積木——可以混合搭配以創(chuàng)建針對特定應(yīng)用的復(fù)雜系統(tǒng)的獨立部件。

* m. _/ M4 T6 x7 b5 Q3 k4 P圖1：此圖說明了Chiplet如何提供模塊化系統(tǒng)，將來自不同供應(yīng)商和技術(shù)節(jié)點的單獨芯片組合在一起，與傳統(tǒng)的單片系統(tǒng)芯片設(shè)計形成對比。
Chiplet技術(shù)的興起隨著摩爾定律放緩，業(yè)界一直在尋找替代方案，以應(yīng)對單片系統(tǒng)芯片（SoC）設(shè)計日益增加的復(fù)雜性和成本。Chiplet通過允許制造商執(zhí)行以下操作提供了解決方案：

優(yōu)化技術(shù)節(jié)點：不同功能可以使用適當(dāng)?shù)墓に嚰夹g(shù)，平衡性能和成本。

增加靈活性：通過更換單個Chiplet，可以更頻繁地更新設(shè)計。

提高良率：較小、較簡單的設(shè)計通常具有較高的良率。

降低成本：新芯片設(shè)計的入門成本降低，生產(chǎn)效率提高。[/ol]
2 Q! q+ H$ ]0 @Chiplet技術(shù)的應(yīng)用雖然最初在高性能計算領(lǐng)域獲得關(guān)注，但Chiplet正在進入各種應(yīng)用領(lǐng)域：

汽車行業(yè)：提供可輕松更新或修改的靈活電子架構(gòu)。

移動設(shè)備：結(jié)合計算、無線通信和顯示驅(qū)動器等各種功能。

成像系統(tǒng)：更高效地集成傳感器和處理單元。

內(nèi)存解決方案：允許模塊化和可擴展的內(nèi)存配置。

量子計算：促進量子處理單元與經(jīng)典控制電子線路的集成。[/ol]
Chiplet互連技術(shù)基于Chiplet的設(shè)計的成功取決于在各個Chiplet之間創(chuàng)建密集、高帶寬連接的能力。兩種主要方法已經(jīng)出現(xiàn)：

2.5D集成

3D系統(tǒng)芯片（3D-SoC）
[/ol]讓我們詳細(xì)探討每種方法。
8 Y- d* r+ M- V7 O+ e2 r  Q* F  m2.5D集成：中間層方法在2.5D集成中，Chiplet通過公共基板（稱為中間層）并排連接。這種方法允許高密度連接，同時保持相對簡單的制造過程。
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6 V. e! L/ Y2 D" }1 s) q圖2：此圖展示了不同的2.5D集成方法，包括硅中間層、硅橋接和有機重分布層（RDL）。

5 G" P/ M2 R: q* u/ }中間層類型：

硅中間層：高性能應(yīng)用的成熟技術(shù)，提供最精細(xì)的間距以及出色的熱學(xué)和電學(xué)性能。但成本和復(fù)雜性較高。

有機基板：正在獲得關(guān)注的更具成本效益的替代方案。研究人員正在努力實現(xiàn)與硅中間層相當(dāng)?shù)幕ミB密度。

硅橋接：使用小型硅中間層在邊緣連接Chiplet的混合方法，可能在性能和成本之間取得平衡。[/ol]
2.5D集成中的互連間距：

硅中間層：可實現(xiàn)亞微米間距

有機RDL：目前目標(biāo)為2μm間距，未來有望實現(xiàn)亞微米間距
( X4 V6 a- n3 T! p$ |1 V- P2.5D集成中的微凸點：Chiplet通常使用稱為微凸點的小型焊料凸點連接到中間層。行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微凸點間距范圍為30μm至50μm，研究正在推動實現(xiàn)10μm甚至5μm的間距。
0 K$ A$ ^* R$ e- O8 i, k3D系統(tǒng)芯片：堆疊實現(xiàn)終極集成對于需要最高性能、最小形狀因子或最大系統(tǒng)集成水平的應(yīng)用，3D-SoC提供了一個引人注目的解決方案。這種方法涉及垂直堆疊Chiplet，創(chuàng)建真正的三維結(jié)構(gòu)。

3 q7 ?. l, c+ W4 r  R圖3：此圖展示了晶圓對晶圓混合鍵合，這是3D-SoC集成的關(guān)鍵技術(shù)，顯示互連間距縮小到400nm。
5 r# I& j5 l, y, Q3D-SoC的關(guān)鍵技術(shù)：

晶圓對晶圓混合鍵合：該技術(shù)允許在堆疊層之間創(chuàng)建極細(xì)間距的連接。IMEC使用SiCN作為鍵合介電質(zhì)的方法已經(jīng)實現(xiàn)了700nm的間距，未來有望實現(xiàn)400nm甚至200nm的間距。

芯片對晶圓鍵合：雖然無法達(dá)到與晶圓對晶圓鍵合相同的間距密度，但這種方法在組合不同Chiplet方面提供了更大的靈活性。[/ol]
3D-SoC的優(yōu)勢：

超高密度互連

縮小形狀因子

可能降低功耗并提高性能

能夠?qū)�Chiplet集成為單個芯片
* I0 ^1 U, l7 q- UChiplet互連技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)Chiplet提供了許多優(yōu)勢，但仍需解決幾個挑戰(zhàn)：

熱管理：堆疊Chiplet可能導(dǎo)致熱密度增加，需要創(chuàng)新的散熱解決方案。

供電：確�？缍鄠�Chiplet的充分電力分配，尤其是在3D堆疊中，這一點尤為重要。

測試和已知良品（KGD）：開發(fā)有效的測試策略對單個Chiplet和組裝系統(tǒng)的良率和可靠性來說很重要。

標(biāo)準(zhǔn)化：確保來自不同供應(yīng)商的Chiplet之間的兼容性和通信需要全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。[/ol]
1 y5 H; M( B, }5 a! N% o
& I) \4 _% y; p5 P1 [: R* T+ n圖4：此圖展示了IMEC的3D互連路線圖，總結(jié)了連接Chiplet的不同方法以及預(yù)計的互連密度和間距。
2 ]5 m+ ~- s7 i, E9 e
+ x4 t9 G- V8 Y% o3 SChiplet互連技術(shù)的未來隨著半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展，Chiplet互連技術(shù)有望在保持創(chuàng)新步伐方面發(fā)揮重要作用。幾個趨勢正在塑造這項技術(shù)的未來：

間距縮�。撼掷m(xù)努力減小互連間距將實現(xiàn)更高的帶寬和更緊湊的設(shè)計。

先進封裝：開發(fā)新的材料和工藝用于中間層和混合鍵合將提高性能并降低成本。

異構(gòu)集成：結(jié)合來自不同工藝節(jié)點甚至不同材料（例如硅和III-V族半導(dǎo)體）的Chiplet將實現(xiàn)新的應(yīng)用和提高性能。

人工智能和機器學(xué)習(xí)：基于Chiplet的設(shè)計非常適合AI加速器，允許模塊化和可擴展的架構(gòu)。

量子-經(jīng)典集成：Chiplet可能會縮小量子處理單元和經(jīng)典控制電子線路之間的差距，加速實用量子計算機的發(fā)展。
[/ol]結(jié)論Chiplet互連技術(shù)代表了半導(dǎo)體設(shè)計和制造的范式轉(zhuǎn)變。通過將復(fù)雜系統(tǒng)分解為模塊化、可重用的組件，Chiplet為面對晶體管縮放放緩的情況下繼續(xù)創(chuàng)新提供了途徑。2.5D和3D集成技術(shù)的結(jié)合，以及互連技術(shù)的進步，正在實現(xiàn)芯片設(shè)計中新水平的性能、效率和靈活性。
; Y! r, k$ ^4 L* d, Q6 r/ A  O9 x, ~隨著業(yè)界繼續(xù)投資Chiplet技術(shù)，可以期待在互連密度、熱管理和系統(tǒng)集成方面取得更加令人印象深刻的成就。半導(dǎo)體的未來是模塊化的，Chiplet互連技術(shù)正在為下一代電子系統(tǒng)開辟新的機遇。
參考來源[1] F. Author, "Chiplet Interconnect Technology: Piecing Together the Next Generation of Chips," 3D InCites, Jul. 2024. [Online]. Available: https://www.3dincites.com/2024/07/chiplet-interconnect-technology-piecing-together-the-next-generation-of-chips/. [Accessed: Aug. 25, 2024].

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