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你設(shè)計(jì)的電路板能在海拔3000m的地方工作嗎?

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發(fā)表于 2024-9-2 07:40:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
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點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多) _+ W  p8 I  e

6 O( }; G* Y( U* A0 U- }3 a7 X. Q9 z! n3 V+ Y; _
概述設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品時(shí)有很多個(gè)指標(biāo)需要考慮,需要檢驗(yàn),而海拔高度很少被提及或者關(guān)心,這是一個(gè)很少被人提及的設(shè)備性能參數(shù)。真正應(yīng)用在高海拔地區(qū)的電子產(chǎn)品可能會(huì)存在一系列特有的問題。" A: h: o) F4 x( c0 K
海拔高度是某地與海平面的高度差,是表示地面某個(gè)地點(diǎn)高出海平面的垂直距離。我國(guó)地廣物博,地理?xiàng)l件和氣候條件十分復(fù)雜,西北部地區(qū)多數(shù)是高原,我國(guó)海拔2000M以上的地區(qū)約占33%,海拔3000M以上的地區(qū)約占16%。不少城市都處在海拔2000M以上的地區(qū),比如:拉薩3658.0M,西寧2261.2M等等。隨著國(guó)家西部開發(fā)政策的實(shí)施,電子設(shè)備在高海拔地區(qū)的應(yīng)用越來越多,故設(shè)計(jì)師們要引起重視。. V3 o0 g9 Y- T
海拔越高的地區(qū),空氣密度就越小,大氣壓降低,使得空氣粘性系數(shù)增加,空氣分子數(shù)就會(huì)減少,從而導(dǎo)致傳遞的熱量減少,這是由于空氣對(duì)流傳熱是通過分子碰撞傳遞能量得來的。這樣熱傳遞效率就會(huì)降低,電子部件的散熱性能變得更差。在5000M的高度上,放熱系數(shù)比海平面上的值要下降21%,對(duì)流散熱傳遞的熱量也將下降21%。在10000M的高度上將達(dá)到40%。對(duì)流散熱傳遞的熱量減少將導(dǎo)致產(chǎn)品溫升的增加。因此處于高海拔地區(qū)的設(shè)備散熱性降低。數(shù)據(jù)中心的設(shè)備在運(yùn)行中都會(huì)產(chǎn)生熱量,由于局部區(qū)域的分子數(shù)量減少,使發(fā)熱元件的溫度不容易散掉,造成設(shè)備局部溫升過高,如果散熱不及時(shí)就會(huì)造成部分器件燒壞。- `# Z+ H3 @1 J8 C& N8 f7 p2 M
海波越高的地區(qū),空氣越稀薄,絕緣介質(zhì)強(qiáng)度就會(huì)降低,這樣使設(shè)備容易放電,致使通常的絕緣距離變得不足。海拔高的地區(qū)容易發(fā)生凝露,降低電子設(shè)備的爬電距離。數(shù)據(jù)中心電子設(shè)備的絕緣器件性能也會(huì)下降。出于安全考慮,一般總希望絕緣材料的絕緣電阻盡可能大,絕緣材料主要包括氣體絕緣材料、液體絕緣材料、固體絕緣材料三種。在電子信息產(chǎn)品廣泛采用氣體介質(zhì)和固體介質(zhì)達(dá)到絕緣的目的,因此絕緣介質(zhì)的好壞直接影響產(chǎn)品的安全性能。如果設(shè)備的絕緣材料在電場(chǎng)中由于超過其絕緣強(qiáng)度被破壞而失去應(yīng)有的絕緣性能,這時(shí)就會(huì)出現(xiàn)絕緣擊穿現(xiàn)象,設(shè)備將無(wú)法繼續(xù)正常工作。% r6 Q) O  s( l* z) w/ K4 x
表1列出了不同海拔高度時(shí)的大氣壓力:
; H$ t+ a5 }4 g7 ]7 N ( O$ c, [) D  m: Q( f
高海拔還會(huì)使在大氣中滅弧的高低壓電器的分?jǐn)嗄芰档。?dāng)分?jǐn)嗄芰Σ缓细駮r(shí),應(yīng)選用額定容量高一級(jí)的產(chǎn)品。直流電機(jī)在低濕度和低氣壓的高原環(huán)境中使用,容易產(chǎn)生較大的換向火花,如果換向火花不合格,應(yīng)選用換向性能好的電機(jī)或采取措施減小換向火花等級(jí),甚至降低容量使用。. n2 [0 O* y* g0 u7 [% A% T* ~) @
一般海拔超過1000M的地區(qū)就必須要開始考慮對(duì)電子設(shè)備的影響。當(dāng)然絕大多數(shù)的設(shè)備都可以滿足在3000M的海拔高度下可以正常工作,但我國(guó)海拔3000M以上的地區(qū)約占16%,設(shè)計(jì)或選擇電子產(chǎn)品時(shí)一定要注意。; Q4 q/ c( V+ S, w: u1 u" c
所有的電子設(shè)備都有工作海拔高度范圍,那么其工作海拔的高度范圍是如何得出的呢,不可能將產(chǎn)品拿到不同海拔的地區(qū)都跑一遍去測(cè)試?梢圆捎脤iT用于測(cè)量海拔高度的壓力傳感器進(jìn)行模擬測(cè)試,通過對(duì)設(shè)備施加不同的氣壓值,得出設(shè)備能承受的工作海拔數(shù)值。
" w; j# N9 _, D% n0 N可見,處于高海波地區(qū)的引入電子產(chǎn)品時(shí),要充分考量電子設(shè)備或在高海拔的地區(qū)能夠正常工作。& l" h' T3 w) Z; G8 g: L
細(xì)述電源或電子設(shè)備在高海拔時(shí)引起的問題及對(duì)策隨著海拔高度的增加,其特征為:# G, f/ _! v) k  S0 Y9 _
a、空氣壓力或空氣密度較低;- }! c# V/ z9 S. e2 D6 r
b、空氣溫度較低,溫度變化較大;
/ D" M' ]. E1 m/ d* S3 l0 Ec、空氣絕對(duì)濕度較;) D" Z6 x" w9 @  Q: I/ B! z7 ?: Q+ y
d、大陽(yáng)輻射照度較高;
7 q& Q9 a* w( He、降水量較少;0 n; A+ k0 j% b- e" _7 R
f、年大風(fēng)日多;' o4 B7 G* G( Z3 Q
g、土壤溫度較低,且凍結(jié)期長(zhǎng)。# K1 Q6 y* u& H" D* p' p9 e8 u
這些特征性能有下面四大影響規(guī)律,列出如下:
" s3 N/ q' A; P% w! ~8 `( V一、空氣壓力或空氣密度降低的影響 3 \: K5 t6 L. X! q
1、對(duì)絕緣介質(zhì)強(qiáng)度的影響 空氣壓力或空氣密度的降低,引起外絕緣強(qiáng)度的降低。在海拔至5000m范圍內(nèi),每升高1000m,即平均氣壓每降低7.7~10.5kPa,外絕緣強(qiáng)度降低8%~13%.. o$ A  b1 q" K! {3 n  W  h
2、對(duì)電氣間隙擊穿電壓的影響對(duì)于設(shè)計(jì)定型的產(chǎn)品,由于其電氣間隙已經(jīng)固定,隨空氣壓力的降低,其擊穿電壓也下降.為了保證產(chǎn)品在高原環(huán)境使用時(shí)有足夠的耐擊穿能力,必須增大電氣間隙.
6 |9 n  ?( ?4 v) z3 p4 e3、對(duì)電暈及放電電壓的影響 / G* i- c( S0 W$ r) R6 V* N
a、高海拔低氣壓使高壓電機(jī)的局部放電起始電壓降低,電暈起始電壓降低,電暈腐蝕嚴(yán)重;
) }* p1 `3 i- t+ p" ob、高海拔低氣壓使電力電容器內(nèi)部氣壓下降,導(dǎo)致局部放電起始電壓降低;
3 K% _9 w; \3 o* p. g1 V% _c、高海拔低氣壓使避雷器內(nèi)腔電壓降低,導(dǎo)致工頻放電電壓降低。
6 N* u0 u) G: ?' j4、對(duì)開關(guān)電器滅弧性能的影響; z# j3 w; ^4 y7 q2 J+ ^  N9 V7 }
空氣壓力或空氣密度的降低使空氣介質(zhì)滅弧的開關(guān)電器滅弧性能降低,通斷能力下降和電壽命縮短。  Q+ Z$ G& k0 M/ o) n% D) N
a)、直流電弧的燃弧時(shí)間隨海拔升高或氣壓降低而延長(zhǎng);
# V4 [; q" `' q9 K8 P) B+ Rb)、直流與交流電弧的飛弧距離隨海拔升高或氣壓降低而增加。
! v4 g' h9 f) W$ g% s) H9 X5、對(duì)介質(zhì)冷卻效應(yīng),即產(chǎn)品溫升的影響 ) C" t9 }0 b4 U% }: S' k
空氣壓力或空氣密度的降低引起空氣介質(zhì)冷卻效應(yīng)的降低。對(duì)于以自然對(duì)流、強(qiáng)迫通風(fēng)或空氣散熱器為主要散熱方式的電工產(chǎn)品,由于散熱能力的下降,溫升增加。在海拔至5000m范圍內(nèi),每升高1000m,即平均氣壓每降低7.7~10.5kPa,溫升增加3%~10%., v, g6 Q4 F% o( N2 U1 |
a、 靜止電器的溫升隨海拔升高的增高率,每100m一般在0.4K以內(nèi),但對(duì)高發(fā)熱電器,如電爐、電阻器、電焊機(jī)等電器,溫升隨海拔升高的增高率,每100m達(dá)到2K以上。
* z: z0 P0 b4 y$ Lb、 電力變壓器溫升隨海拔的增高與冷卻方式有關(guān),其增加率每100m為:油浸自冷,額定溫升的0.4%;干式自冷,額定溫升的0.5%;油浸強(qiáng)迫風(fēng)冷,額定溫升的0.6%;干式強(qiáng)迫風(fēng)冷,額定溫升的1.0%; ) C7 ^3 L( n, Q
c、 電機(jī)的溫升隨海拔升高的增高率每100m為額定溫升的1%。6 q/ R5 Y- k% d  {* E% B
6、對(duì)產(chǎn)品機(jī)械結(jié)構(gòu)和密封的影響
9 G, b$ k. w6 M3 n/ e- ia、引起低密度、低濃度、多孔性材料(例如:電工絕緣材料、隔熱材料等)的物理和化學(xué)性質(zhì)的變化;; L. M$ J: u3 g+ b& ?* O' M
b、潤(rùn)滑劑的蒸發(fā)及塑料制品中增塑劑的揮發(fā)加速;; i- n) n8 L+ @8 ]
c、由于內(nèi)外壓力差的增大,氣體或液體易從密封容器中泄漏或泄露率增大,有密封要求的電工產(chǎn)品,間接影響到電氣性能;8 b$ p; p, `7 E# N: x( Q
d、引起受壓容器所承受壓力的變化,導(dǎo)致受壓容器容易破裂。
' l9 z2 _' [! t# z二、空氣溫度降低及溫度變化(包括日溫差)增大的影響
# e8 P. `7 S, I) H# g* \1、高原環(huán)境空氣溫度對(duì)產(chǎn)品溫升的補(bǔ)償平均空氣溫度和最高空氣溫度均隨海拔升高而降低,電工絕緣材料的熱老化壽命決定于平均空氣溫度。高原環(huán)境空氣溫度的降低可以部分或全部補(bǔ)償因氣壓降低而引起電工產(chǎn)品運(yùn)行中溫升的增加。環(huán)境空氣溫度的補(bǔ)償值為0.5K/hm。
$ u  N6 A$ h1 a; i, \8 k2、日溫差或溫度變化對(duì)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的影響高原空氣溫度的日溫差大。較大的溫度變化使產(chǎn)品外殼容易變形、龜裂,密封結(jié)構(gòu)容易破裂。( _- [0 x+ d% G. Z
三、空氣絕對(duì)濕度減小的影響
1 g- i0 ?2 {; b0 h1、絕對(duì)濕度對(duì)外絕緣強(qiáng)度的影響
- e0 V5 R$ i  Q8 g! K' S平均絕對(duì)濕度隨海拔升高而降低。絕對(duì)濕度降低時(shí),電工產(chǎn)品的外絕緣強(qiáng)度降低,因此要考慮工頻放電電壓與沖擊閃絡(luò)電壓的濕度修正。濕度修正以零海拔時(shí)的平均絕對(duì)濕度:11g/m3為基準(zhǔn),具體修正按GB311.2中有關(guān)規(guī)定。* h0 N6 u3 y0 k5 i! v( q+ k+ s+ o
2、絕對(duì)濕度對(duì)電機(jī)換向及炭刷磨損的影響6 g7 F# ]. P; x" ^' o* W, E
絕對(duì)濕度的降低使換向器電機(jī)的換向火花增大,同時(shí)使電機(jī)炭刷的磨損率增加。
4 E5 I' ^$ S5 w3 z$ b四、太陽(yáng)輻射照度,包括紫外線輻射照度增加的影響
; a: b% V; L0 R' L8 J( I1、高原熱輻射增加的影響
% _* l& P8 g0 Z1 R! B海拔5000m時(shí)最大太陽(yáng)輻射度為低海拔時(shí)相應(yīng)值的1.25倍,熱輻射對(duì)物體起加熱作用。對(duì)于戶外用電工產(chǎn)品,太陽(yáng)熱輻射的增加引起較大的表面附加溫升,降低有機(jī)絕緣材料的材質(zhì)性能,使材料變形,產(chǎn)生機(jī)械熱應(yīng)力等影響。+ W  L+ _) u) s+ u
2、高原紫外線輻射增加的影響2 C0 o* ~8 G( \" G0 u- r
紫外線輻射照度隨海拔升高的增加率比太陽(yáng)總輻射照度的增加率大得多,海拔3000m時(shí)已達(dá)低海拔時(shí)相應(yīng)值的2倍。紫外線引起有機(jī)絕緣材料的加速老化,使空氣容易電離而導(dǎo)致外絕緣強(qiáng)度和電暈起始電壓降低。% M- u, e& A; X  f2 A8 N$ A4 t4 K
從上述四大影響看出,電子產(chǎn)品在高原環(huán)境上的設(shè)計(jì)應(yīng)該減低這些影響,提高絕緣配合,同時(shí)增大電氣間隙,在選擇材料上和器件上綜合考慮,從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和選擇高原型器件入手,解決相關(guān)技術(shù)問題,其主要實(shí)現(xiàn)手段就是要從產(chǎn)品設(shè)計(jì)層面考慮。) T9 [" ~6 b( k7 h( i+ z" E, J9 N
" b: R; y$ e: A( R7 }0 B$ q

1 ^& j- F  l# ]1 a  q: O, ?: i5 L9 e3 w聲明:8 D: x2 G3 u1 E+ T1 ?3 U& H
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