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扇出型晶圓/面板級(jí)封裝技術(shù)概述

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發(fā)表于 2024-9-20 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言$ k( W1 q7 M# l  m& H+ X
扇出型晶圓/面板級(jí)封裝(FOW/PLP)是先進(jìn)的封裝技術(shù),與傳統(tǒng)封裝方法相比,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的I/O密度和更好的電性能。本文概述FOW/PLP技術(shù),包括關(guān)鍵工藝步驟、應(yīng)用和可靠性考慮因素。9 o: X5 v) u8 x/ f! p# i
% ]9 O2 N8 F1 ^' H
扇出型封裝簡(jiǎn)介
. M$ h' ?' A( d9 @- ?扇出型封裝與扇入型晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSPs)的不同之處在于它需要在加工過(guò)程中使用臨時(shí)載體。這允許重布線層(RDLs)延伸到原始芯片邊界之外,從而實(shí)現(xiàn)更高的I/O數(shù)量。
5 n" |. }, x/ s& P& u5 l
" t+ |  @1 W& o. `% V如圖1所示,扇出型封裝的步驟包括:
  • 將已知良好芯片(KGDs)拾取并放置在臨時(shí)載體上
  • 用模塑料封裝芯片
  • 在封裝芯片上制作重布線層
  • 貼裝焊球
  • 移除臨時(shí)載體并將個(gè)別封裝切割分離
    0 ?+ D$ V2 }2 U$ i5 v[/ol]
    5 M# y* O% D# n7 z" Q+ s% c1 `8 f
    ; C' g8 H! V5 V+ M  l - S/ R& N# @) _( W- c5 t
    圖1
    , C- p9 w% j. f; W5 u1 m
    1 h' Q' |0 }  q2 P; D扇出型封裝的主要優(yōu)勢(shì)包括:
    + B- g( e/ q  |8 z4 X% c* x5 I
  • 更高的I/O密度
  • 改善的電性能
  • 更薄的封裝厚度
  • 異質(zhì)集成多個(gè)芯片的能力
    $ b1 p! ?; P- {- T; V1 k

    ! I5 l7 Q5 u9 V; V扇出型晶圓級(jí)封裝工藝流程8 }% [, f- R6 i
    典型的扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP)工藝流程包括以下關(guān)鍵步驟:
    0 ~2 @) J9 |6 p' q  T$ `
  • 晶圓準(zhǔn)備和切割
  • 芯片貼裝到臨時(shí)載體
  • 模塑/封裝
  • 載體移除
  • 重布線層制作
  • 焊球貼裝和切割分離
    . u- n/ J$ M% b1 _; Z" `

    ! x" |+ m/ p5 u2 ?7 G圖2提供了芯片優(yōu)先、正面朝下FOWLP方法的這些工藝步驟的視覺(jué)概覽:1 q1 [( Y8 G5 |3 ?3 w/ r' {2 t: o
      \7 {1 P- U6 F; j6 P8 |2 c

    , a& ?& c* c; }6 a6 y8 ^: Z! }圖2
    . O1 W- h2 K7 H& O) x/ n+ v7 L# L# {7 o1 C. V1 B: ^. u
    FOWLP加工中的關(guān)鍵考慮因素包括:
    ) p+ ]/ c& M2 c" P' j
  • 臨時(shí)載體選擇(玻璃、硅、金屬)
  • 模塑料性質(zhì)
  • 重布線層制作(線寬/間距、通孔形成)
  • 模塑過(guò)程中的芯片位移
  • 翹曲控制
      x3 Y# l# |6 m+ f) R- z9 s
    / W5 @0 }1 [9 P. v
    扇出型面板級(jí)封裝
    ; {/ h. z( k( g; X/ s. n# O; z) `為了進(jìn)一步提高產(chǎn)量并降低成本,扇出型加工可以擴(kuò)展到大型矩形面板而不是圓形晶圓。這被稱(chēng)為扇出型面板級(jí)封裝(FOPLP)。7 W" d4 r. N% v+ @1 ?
    ! `+ T# y. C& ^! s
    圖3展示了508 x 508 mm面板的例子,其中包含1512個(gè)扇出型封裝:
    1 `1 F* s5 y5 x3 y+ T
    2 c+ t6 x9 O* ?' e
    $ p7 H4 {+ L; n+ Q) K圖3
    ' [) F' {! {8 |! G2 \9 D, O8 g; F" l, j$ v* K0 e8 `- C
    FOPLP的主要優(yōu)勢(shì)包括:
    $ ]( Q# G) e! z$ n$ D
  • 更高的產(chǎn)量
  • 更低的每個(gè)封裝成本
  • 利用PCB/顯示器制造基礎(chǔ)設(shè)施
    , E2 U* [" }1 q) b# {' N& {
    3 q! p/ v7 e: o) Y9 R
    然而,像翹曲控制和維持大面板上的均勻性等挑戰(zhàn)必須得到解決。6 M1 u4 i  x' o9 ?

    5 L0 @; t1 w. L4 D& K! ]重布線層制作, p8 g5 [; `; B/ ^" ~  k, }
    扇出型封裝的一個(gè)關(guān)鍵方面是細(xì)間距重布線層(RDLs)的制作。這通常涉及:
  • 介電層沉積/圖案化
  • 種子層沉積
  • 光刻膠圖案化
  • 銅電鍍
  • 種子層去除
    ) e& T' p% l' n[/ol]
    ) O$ M) U5 S" @6 N; D3 L# h1 k圖4顯示了扇出型封裝中10 μm線寬/間距RDLs的掃描電鏡圖像:
    8 _) j& b) w! p+ o8 R$ {0 T# N. \7 v7 v6 D1 B: k9 L0 X  ~

    4 |, d' |6 l: j+ S- F8 r圖44 F4 x% x# i1 q9 n; u1 D
    先進(jìn)的扇出型封裝可能包含多個(gè)RDL層,線寬/間距尺寸可達(dá)到2/2 μm。0 d1 D$ [% a" @- ]% l; r/ [
    5 k8 Y+ t: i+ X5 E( ?# ^, F
    芯片后置與芯片優(yōu)先方法
    " s! C( M4 y# f% P$ v' T# D扇出型封裝可以使用芯片優(yōu)先或芯片后置(RDL優(yōu)先)方法實(shí)現(xiàn):
    3 d  i+ c) }' T1.芯片優(yōu)先:1 e5 C5 t1 }! @5 r* T9 o: f
  • 在RDL制作之前將芯片貼裝到載體上
  • 成本更低,產(chǎn)量更高
  • 更容易發(fā)生芯片位移5 z! I( V: V1 m
    5 B' h/ L2 |$ k& R; c: y2 e$ a$ U
    2.芯片后置:
    # l6 G! s) i( {1 I! _9 Y
  • 在芯片貼裝之前在載體上制作RDLs
  • 更好的尺寸控制
  • 成本更高,工藝步驟更多' P* E' |: B% ^0 T# h; s' }
    . Q0 h: U: g5 a8 A. t
    圖5展示了RDL優(yōu)先FOWLP方法的工藝流程:' a) f$ Q( k& ^0 L5 y* \1 P# X

    . H& a2 O1 Q& {5 ?- d/ v ( g  @' a5 U' l( y4 r' n
    圖5+ h6 l( p7 T3 f( m+ C

    : C; ?* l+ h3 L+ o% d6 W" {/ t% n芯片優(yōu)先和芯片后置之間的選擇取決于成本、尺寸控制要求和芯片尺寸/間距等因素。
    ) F9 o: m0 C9 R. J# ^0 r' O7 R$ I1 y" \% r/ {2 D9 p; {: Z) t; _8 Z
    異質(zhì)集成
    / E5 j1 y5 E& u# i# D; d! U扇出型封裝的一個(gè)主要優(yōu)勢(shì)是能夠在單個(gè)封裝中集成多種類(lèi)型的芯片。這使得以下組件的異質(zhì)集成成為可能:
    # o' O+ {: \8 B  N
  • 邏輯 + 存儲(chǔ)器
  • 模擬 + 數(shù)字
  • 處理器 + 傳感器
    : ]0 x$ R" N9 |, C% N; h
    " ?- [# `# h3 b8 X  n3 a- ]
    圖6展示了一個(gè)集成多種芯片尺寸的異質(zhì)扇出型封裝示例:
    * _1 d5 h( G- v1 q( a( y; Q1 w4 a9 Z: \

    1 _5 i6 q: J$ i8 E0 k/ a圖6
    * _0 [- X( |% _" B8 B. l0 r: I/ i+ A7 _/ `. r3 I9 ?$ v6 ]
    在異質(zhì)扇出型設(shè)計(jì)中,必須仔細(xì)考慮芯片放置、RDL布線和熱管理。
    + N+ J  h/ [, d8 Y$ y
    5 j, |+ A! B, @) }5 a- b可靠性考慮5 T7 h( t- Z& ?: Y: ^7 b: X
    扇出型封裝的主要可靠性問(wèn)題包括:  V: U! e0 [* l6 P1 k
  • 模塑過(guò)程中的芯片位移
  • 翹曲
  • RDL裂紋/剝離
  • 焊點(diǎn)疲勞
  • 濕敏度
    5 w. O: q0 E$ G" o9 _

    / D* ^3 d" x. \9 p2 i8 ^0 `0 R可靠性測(cè)試通常包括:
    ! F. e# v' X. H7 D# {
  • 溫度循環(huán)
  • 跌落/沖擊測(cè)試
  • 濕敏等級(jí)(MSL)測(cè)試! |; ]/ \2 s/ c& D

    , }  L% z6 V6 T* }% N9 Y4 }& ^圖7展示了溫度循環(huán)后扇出型封裝中的焊點(diǎn)裂紋示例:7 J4 d* y$ [* M3 \1 C1 \

    2 U8 l# ~8 h& i. P9 M0 E- J1 u , l; P$ h# j4 t3 X$ r
    圖77 \! q" _; }% |4 k2 E

    4 n! a% c! q. P% ?9 Q+ l有限元建模通常用于分析應(yīng)力和預(yù)測(cè)可靠性,如圖8所示:4 H# W4 `' C7 P7 p, B

    ) x# v3 X7 M8 ?) Y- B 7 L1 y3 C, O" n4 ~
    圖87 X5 k" s% |* p, Z% K0 c$ R, y7 I

    & P3 F# v( D( y6 e% a4 R新興應(yīng)用:Mini-LED顯示器
    ) A5 B& o3 ~  @* ]! s2 D扇出型封裝的一個(gè)新興應(yīng)用是在mini-LED顯示器中。扇出型封裝允許超細(xì)間距集成mini-LED陣列。; o4 H7 U2 k3 D6 ^9 W  s

    ) Z6 U  a7 ]* q0 M圖9展示了使用扇出型技術(shù)封裝的mini-LED陣列示例:
    ; R$ H% a  m4 Q4 T* i9 i& H! `
    $ }5 n! T2 p: P- B
    圖9
    . R* [1 h' {& _' `. q2 J5 A+ g4 V# v! v; }
    mini-LED封裝的主要優(yōu)勢(shì)包括:6 P  h: H# K  J& e+ [$ D
  • 超細(xì)間距能力(
  • 改善的熱性能
  • 更低的封裝厚度
    " ~7 F2 u7 W9 O" C" R
    - g& w7 x- c2 U3 x* c+ j$ h
    圖10展示了集成在扇出型封裝中并安裝在PCB上的mini-LEDs的橫截面:
    ; C; E1 e- v6 e5 s7 E& r* c$ {4 q, X+ t; e  s+ m

    4 q- A7 J. v6 J3 ?& |# q5 K+ U* _4 V圖10
    8 z9 O! o7 n# _
    7 L" C6 z5 a9 H總結(jié)5 m6 A  W+ b0 q* c
    扇出型晶圓/面板級(jí)封裝與傳統(tǒng)封裝相比,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的I/O密度、改善的性能和異質(zhì)集成。主要方面包括:
    1 Z6 Z8 v; A! \- v8 p- Q
  • 使用臨時(shí)載體
  • RDL制作
  • 芯片優(yōu)先與芯片后置方法
  • 擴(kuò)展到面板級(jí)以提高產(chǎn)量
  • 可靠性考慮
    7 A; K8 Y' f. A
    $ |/ A% \7 u. p
    像mini-LED顯示器這樣的新興應(yīng)用展示了扇出型封裝對(duì)下一代電子產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)。隨著傳統(tǒng)封裝的縮放達(dá)到極限,預(yù)計(jì)扇出型技術(shù)將在先進(jìn)電子系統(tǒng)中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。" s! i; U. _! Y, N

    3 u- v4 a% h" P' N  r  z參考文獻(xiàn)) [6 C- I9 M. G  x  i
    [1] J. H. Lau, "Fan-Out Wafer/Panel-Level Packaging," in Semiconductor Advanced Packaging. Singapore: Springer Nature Singapore Pte Ltd., 2021, ch. 4, pp. 147-228.1 A( ]* x2 u# S* z6 ~+ R

    0 H  K3 q" Z: x- END -8 S5 F* X. @, Y( q5 r  a0 q
    , a, m: S! _2 h+ Z) C9 R: ^
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    6 k) x7 A/ z8 H' c; H- S轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處,請(qǐng)勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!+ J+ V6 x, p( v

    ; Z4 f3 V8 C9 U" H
    0 N5 T3 O! W- M; K/ [* M

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    ) F* s/ a+ s  c. `: X  q
    8 L9 H. x, o6 ?

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    ) T7 `  ]- Z) u1 x) i3 ?7 K5 J, T8 q深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開(kāi)發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶(hù)。逍遙科技與國(guó)內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶(hù)提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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