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扇出型晶圓級封裝:實現(xiàn)異構集成的關鍵技術

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發(fā)表于 2024-9-20 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言
1 @+ _! L- x& U5 }扇出型晶圓級封裝(FOWLP)是近年來備受關注的先進封裝技術,能夠實現(xiàn)多芯片和組件的異構集成。本文將概述FOWLP技術、關鍵工藝步驟、優(yōu)勢、挑戰(zhàn)和新興趨勢[1]。, c& C/ I: ^) ^' o* n* p; s

  B: s! @% b0 Z. ]  VFOWLP簡介. O' _# o1 ~! H; x4 o' \
FOWLP在傳統(tǒng)晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)的基礎上,允許重布線層(RDL)延伸至芯片邊緣之外。這種"扇出"的RDL提供了幾個主要優(yōu)勢:
  • 提高I/O密度和布線靈活性
  • 改善熱性能和電氣性能
  • 能夠集成多個芯片和無源元件
  • 減小封裝厚度* q5 E, D. e1 r# j: B" C
    [/ol]5 Z8 f/ Y$ T) c$ f) a4 O& X) s
    圖1展示了FOWLP封裝的基本結構。
    + R1 ~, P7 V: U) D: ~  m1 o: ~7 H* {3 @! \$ V
    ) A4 c; Y5 r4 D3 d" O3 F, h6 Y+ _
    圖1:扇出型晶圓級封裝的基本結構示意圖,顯示RDL延伸至芯片邊緣之外。
    * p3 S# d' T# h) p0 ~- `" b6 h3 `2 i8 \) ~! q. ?1 i! o# n
    6 F1 }: h7 R& M. i7 H, S1 A
    關鍵工藝步驟# ~3 {1 ]+ n" g. K6 \) I% D2 Q& Z$ Q
    FOWLP的主要工藝步驟包括:
  • 晶圓切割:將制造好的晶圓切割成單個已知良好芯片(KGD)。
  • 芯片放置:將KGD以特定間距拾取并放置在臨時載體晶圓上,以實現(xiàn)扇出。
  • 模塑:注入環(huán)氧模塑料(emc)填充芯片之間的空隙,形成重構晶圓。
  • 載體移除:去除臨時載體,露出芯片的有源面。
  • RDL形成:沉積和圖案化多層介電質和金屬,形成RDL。
  • 球焊:放置焊球以實現(xiàn)二級互連。
  • 切割:將重構晶圓切割成單個封裝。5 S5 l; A2 y) H( Q3 `0 H, _$ S  T- O
    [/ol]
    ) c9 {: |. I+ k- A圖2說明了這些關鍵工藝步驟。2 u7 x$ N" n7 p

    3 S6 L0 H0 X/ N7 P$ t! V 7 q" [3 c- @( i: [, @4 C# F# l
    圖2:芯片優(yōu)先、芯片面朝下FOWLP工藝流程,展示從晶圓切割到最終封裝切割的關鍵步驟。
    8 K4 L) m; ^: o/ W( Q
    + _! d2 P8 V+ f7 a芯片優(yōu)先與芯片后置方法
    ! v' u% V5 q* K$ h/ dFOWLP有兩種主要方法:8 R2 |8 ^' @6 _' D! u  N

    $ V( F- \0 W' U2 u6 |$ J1. 芯片優(yōu)先:在形成RDL之前將芯片嵌入模塑料中?蛇M一步分為:# u0 j' N, {9 f' X1 [
  • 芯片面朝下
  • 芯片面朝上- ?8 m" q. b5 x  w& |

    ) b+ r4 G' O. t* a& J4 O0 N$ F  l2. 芯片后置(RDL優(yōu)先):在芯片附著之前在載體上形成RDL。
    % p8 |9 y9 x4 O6 `
    8 U! P7 e( u* X% a$ [( l5 f每種方法都有各自的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)。芯片優(yōu)先方法更適用于低I/O數(shù)量的應用,而芯片后置方法更適合非常高密度的RDL。+ |1 ]2 q9 |$ H0 }1 ~; @

    4 _% `( l" R( k( Q2 ERDL形成
    " P! ~$ _; R% W$ k! c8 ARDL是FOWLP的關鍵元素,提供扇出互連。RDL形成的主要考慮因素包括:4 U) R8 s) O5 p; r) W" f
  • 介電材料選擇(如聚酰亞胺、ABF)
  • 金屬沉積和圖案化技術
  • 通孔形成
  • 線寬/間距能力7 H. P, E4 g; L( Z( b$ D
    2 F1 J2 \# b6 k: ^, c
    圖3顯示了典型多層RDL結構的橫截面。6 m# F* A, S' r: M. Q8 y1 Z* _

    , W2 ]" Q, U9 r1 g " G6 `% n: l7 C7 A6 s2 B
    圖3:FOWLP中多層RDL結構的橫截面SEM圖像,可見銅跡線和通孔。/ @* }; w. [. q4 g. L

      x  j" w3 q2 C/ f* `板級封裝
    3 c3 T5 r- n- v* o  r! D為提高制造效率,正在向更大尺寸的板級扇出封裝發(fā)展。這允許同時生產更多封裝。
    % _4 R' v2 U+ _* h# G# q$ R5 C! U( W" Z+ l9 u; s
    圖4顯示了用于扇出封裝的大型板的示例。2 k* \: H7 G% O/ v; E
    * F7 V) C. X+ O7 e
    ) g5 O3 h) x# G* x" @% @
    圖4:用作板級扇出封裝臨時載體的大型玻璃板(515mm x 510mm),可提高生產效率。
    & A, T$ S( a; a' X4 P6 p& t4 Y8 A0 N2 b# J: v, _1 w  E
    異構集成, H/ X  J7 w- Y# [2 M) Y
    FOWLP的一個主要優(yōu)勢是能夠將多個芯片和組件集成到單個封裝中。這種異構集成能力實現(xiàn)了:: h* K% i) w; O) }6 ]* u
  • 尺寸縮小
  • 性能提升
  • 成本優(yōu)化
  • 定制解決方案. i7 w) k% X8 x$ f
    & W8 G6 o; r( b* \/ [
    圖5說明了使用FOWLP進行異構集成的示例。5 m3 c( _7 N2 M, L6 E3 [1 B
    9 U( n% a8 Z4 j2 q9 \

    , o. `3 _: H- D! N; {圖5:在扇出基板上集成多個芯片的異構集成,展示了在單個封裝中組合不同組件的能力。1 F/ ?6 u% r' q/ g( y
    " f9 E! _( I9 h( H
    混合基板
    * S$ U. C4 E2 f( f7 ^9 @) D對于非常高密度的應用,正在開發(fā)將有機中間層與建立基板相結合的混合基板。這種方法提供:
    1 |) S- |" b! E
  • 超細線/間距RDL
  • 改善電氣性能
  • 芯片I/O間距與PCB間距之間的橋接
    % n9 j7 i* G  D, C8 R# B

    " j/ ]% w/ {" R' X- z圖6顯示了混合基板的結構。
    " O2 U8 Q. C9 z1 x. B  G' ~! L$ e8 b/ [0 n2 {8 v) \
    & E; @! D, R. s$ ~
    圖6:混合基板結構,結合了具有細間距RDL的有機中間層和建立封裝基板,用于高密度異構集成。
    ) b3 {0 Z0 J; `. O. D% O/ ~/ ?% j& i4 s8 W  x+ ^
    主要挑戰(zhàn)
    ' [7 r6 k8 [4 ^7 |FOWLP技術面臨的一些主要挑戰(zhàn)包括:
    * D( ^1 q% [% X* ~/ B1. 翹曲控制:材料之間的CTE不匹配可能導致翹曲問題。. m) _" c! `; c9 k& V9 r4 u: O9 i: T
    2. 細間距RDL形成:實現(xiàn)超細線/間距具有挑戰(zhàn)性,特別是在大尺寸板上。
    8 a5 R: p  K0 C5 g3. 已知良好芯片(KGD)的可用性:獲得KGD對維持良率非常重要。
    + y9 g" |/ ?$ s4. 熱管理:對于高功率應用,散熱可能成為問題。+ U0 v( X+ \& j( U9 v7 J! A5 n: C( {
    5. 可靠性:確保在各種使用條件下的長期可靠性。. L0 B2 b9 ]  u& h4 q2 x; ^

    6 g! `. @3 F- }! K2 S4 Y5 |可靠性測試
    ( C& }' x! x; r0 r8 ]$ u9 |( `* Y+ g1 T對FOWLP封裝進行嚴格的可靠性測試必不可少。常見的測試包括:2 ~$ G6 Y( y, L5 F3 x) K% a
  • 熱循環(huán):評估焊點可靠性
  • 跌落測試:適用于移動應用
  • 濕敏度:評估封裝穩(wěn)健性
    ) A% B' B! _3 O  ?0 U
    4 y% Y6 S/ |+ [2 ^; A: X/ v) @
    圖7顯示了熱循環(huán)測試結果的示例。: J( x. T1 \- [2 P$ C

    5 H$ ?2 J' L; i1 N; j! X ' j4 k! I; Q  }) Z
    圖7:扇出封裝在熱循環(huán)條件下焊點可靠性的韋伯圖。
    ) G/ S9 l( l; t& B7 ]
    # G* d' Q6 [( J' E仿真和建模
    4 r' p2 j, J* u% y/ m有限元分析(FEA)廣泛用于模擬和優(yōu)化FOWLP設計。重點關注的領域包括:
    ' y  `/ V& l, O9 i
  • 翹曲預測
  • 應力分析
  • 熱管理
  • 電氣性能9 |  L5 `6 a/ b$ j5 d7 v1 x
    * O! s. P" E+ w
    圖8展示了用于熱-機械仿真的FEA模型。
    1 S( v$ ~3 w) G% U. W1 k" \7 z1 q2 ^( @5 M. F6 e' x6 \3 R
    3 v/ a8 h( ?) V& r/ g) o
    圖8:用于熱-機械仿真的異構集成封裝有限元模型,用于預測關鍵區(qū)域的應力和應變。
    9 b5 a+ g/ t, t5 Q/ T5 d% m9 O+ g; r: J3 j
    新興趨勢
    % s& F+ a. l5 c* wFOWLP技術的新興趨勢包括:( B) X/ z) I( _+ I$ h" ?5 P
    1. 板級封裝:轉向更大尺寸的板以提高效率。: O8 ?1 l1 ]5 }* T- u8 Y. s
    2. Chiplet集成:在封裝中組合多個較小的芯片或"chiplet"。5 b7 \2 U5 K6 M3 T+ w
    3. 2.5D/3D集成:垂直堆疊芯片以增加密度。/ z# b8 ^' u  n
    4. 嵌入式組件:在封裝內集成無源和有源組件。
    5 Q! P  B6 v, m/ x) j* I5. 先進材料:開發(fā)新的模塑料、介電質和導電材料。$ I3 ]4 T2 q2 A+ C, q$ V% g, A
    4 k5 A3 E% H  O. b/ Z$ i
    應用
    + `7 k& f  `5 Q. cFOWLP在廣泛的應用領域中得到使用,包括:5 j* O9 _% O* d/ b% M
  • 移動設備
  • 汽車電子
  • 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設備
  • 人工智能(AI)加速器
  • 高性能計算9 S# V% Q7 _) ^3 ^  ?7 N% W* E
    . ~! K# e; C2 `. \
    異構集成能力使FOWLP特別適合系統(tǒng)級封裝(SiP)解決方案。
    : F- q* ?9 b2 ~/ t% c: a/ g: z% {2 T0 o5 _" U
    結論4 o. o9 D$ {$ }$ T6 V( ]
    扇出型晶圓級封裝已成為實現(xiàn)異構集成和先進電子系統(tǒng)的關鍵技術。高密度互連、性能改善和緊湊形態(tài)因素的能力使其非常適合下一代應用。雖然仍面臨挑戰(zhàn),但材料、工藝和設計工具的持續(xù)發(fā)展正在擴展FOWLP技術的能力。4 [7 B# E) U- A" d! a( z/ C
    4 w2 `9 n$ \; E9 x5 ]
    隨著電子行業(yè)不斷要求在更小的形態(tài)因素中實現(xiàn)更高水平的集成和性能,F(xiàn)OWLP有望在滿足這些需求方面發(fā)揮越來越重要的作用。向板級封裝的趨勢和混合基板的開發(fā)正在為超高密度集成開辟新的可能性。, e2 c/ @4 e3 p4 u
    & m/ Q* X7 f9 r
    研究人員和制造商不斷推動FOWLP的可能性邊界,改進線/間距能力,增加板尺寸,開發(fā)新的架構。隨著技術的成熟,我們可以期待看到FOWLP在廣泛的應用領域中實現(xiàn)更先進的異構集成解決方案。: {: c/ S8 s$ \, D% G+ m, B

    + s0 E$ H8 {. F7 V* w" T
    " y/ ]+ S  D3 o/ L4 n" f* r2 k
    參考文獻* t! \; I& g% T' k! b8 V
    [1] J. H. Lau, "Fan-Out Technology," in Flip Chip, Hybrid Bonding, Fan-In, and Fan-Out Technology. Singapore: Springer Nature Singapore Pte Ltd., 2024, ch. 4, pp. 233-419.
    4 O! X4 z) J/ S6 W! d' V6 M2 N. d2 }- h) q5 N% V7 d4 I! z
    - END -- E5 D# K+ r& z. h' n) }! @
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    , Z/ K8 q6 x3 f7 X( M  s4 \8 `轉載請注明出處,請勿修改內容和刪除作者信息!" M0 o% ~4 d4 F4 A0 s  J
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    + a+ S6 {, t+ r$ W" ]' g: a關注我們! G% `5 [" @0 Y
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    - |0 R9 H3 n2 G深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設計和仿真軟件,提供成熟的設計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務,廣泛服務于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領域的頭部客戶。逍遙科技與國內外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術與服務。; I$ G) H& W5 P- Q

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