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光子集成相控陣測試

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發(fā)表于 2024-9-23 08:01:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言1 Q! H/ z7 \& j* u
光子集成相控陣是光學(xué)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高級光束控制和成形能力的先進(jìn)設(shè)備。這些陣列在電信、激光雷達(dá)和光學(xué)傳感等多個領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。為確保最佳性能,全面測試這些設(shè)備非常重要。本文將介紹用于評估光子集成相控陣及其關(guān)鍵組件的測試原理、方法和系統(tǒng)[1]。, s& c0 z% g3 x( p& O! v, j7 j
5 q5 ], Y* ?3 t5 p3 r  o
光子集成相控陣簡介9 d4 \4 g( U& X7 a7 U. u
光子集成相控陣由幾個關(guān)鍵組件組成,包括光耦合器、功率分配器、相移器和光天線。這些單個元件的性能顯著影響整體系統(tǒng)性能。在深入研究完整相控陣系統(tǒng)的測試之前,了解如何測試這些單個組件非常重要。9 G8 j' {$ j7 D; \& W) {; @  m- `( d( N

/ ~" @, t7 V/ i% b6 X. k' N: O4 K$ b# y, N關(guān)鍵組件測試
3 U) A0 e! r4 T- Y5 s光天線
; f1 O" a% i" M( g4 P: I光天線是光子集成相控陣中的關(guān)鍵元件,負(fù)責(zé)將光輻射到自由空間。光天線的主要測試特性包括:
; M% I  w7 X6 N- [
5 b7 S& J$ Q1 c, Q" @  z$ E圖1顯示了用于評估光天線的測試光路布局。- X4 Q% ?! {  x1 |& Q$ ]& C
' S2 Q; y7 ^: g$ R" m, ~9 \+ e( i
為測試光天線的輻射特性,我們通常使用圖4.1所示的設(shè)置。該過程涉及將激光源的光通過光柵耦合器耦合到硅波導(dǎo)中。然后光在波導(dǎo)中傳播,并由被測試的光天線輻射出去。
7 D1 [4 H$ M/ e7 c+ U
! B, G6 w+ n* ~圖2展示了光天線測試系統(tǒng)的示意圖。
( x6 ?" ]. S) `
& b  p0 O5 x1 _! B7 H# I如圖2所示,測試系統(tǒng)包括激光源、偏振控制器、光柵耦合器、光天線和檢測設(shè)備,如連接到功率計(jì)的光纖或紅外CCD。
2 y. r# p/ \* g' t
  f& ?) F2 U" r# r要計(jì)算光天線的輻射效率,使用以下公式:4 `9 V8 r+ H6 O: Q' I. s0 P9 j
' u) _/ _, {" x
η_rad = P_rad / P_in_antenna
, F5 l; t* D( @7 S' r* v
  [! Y1 X% x* c* z8 G其中:# u; K6 y, M! `  q
  • η_rad 是輻射效率
  • P_rad 是輻射光功率
  • P_in_antenna 是天線的輸入光功率
    " s0 W2 B# X& x: y7 W: J4 v( A
    8 W5 N. l) L/ ~/ B4 }& S+ v
    在計(jì)算輻射效率時,需要考慮耦合效率、波導(dǎo)損耗和雙向輻射等因素。" R. h5 @6 l- k+ U; s7 ~

    6 @8 E, o% a; C2 {0 X1 d* Y光相移器6 p  k6 W# q! q, [" {
    相移器是光子集成相控陣中的重要組件,可以精確控制每個通道中光的相位。相移器的主要測試特性包括:
  • 相移范圍
  • 功耗
  • 響應(yīng)時間
    : C; P+ J8 O  L" c, j- c[/ol]
    5 }& J, j% n0 J. g0 q% @9 e+ ]為測試相移器,我們通常使用馬赫-曾德干涉儀(MZI)結(jié)構(gòu)。這種間接方法允許我們通過觀察干涉圖案來測量相位變化。
    6 i& I1 r6 k0 L# t; B/ H9 A; m+ j
    9 ]5 I- B. H* l# r: L圖3展示了用于測試相移器的硅基馬赫-曾德干涉儀的示意圖。
    8 X) c2 O# v! B, I2 @0 q* }2 T1 w9 `5 L) p3 h7 [
    MZI結(jié)構(gòu)將輸入光分成兩個路徑,其中一個路徑包含被測試的相移器。通過改變施加到相移器上的電壓或電流,我們可以觀察輸出強(qiáng)度的變化,這與相位變化相關(guān)。2 y7 G; R4 q, t; }9 P% P& z

    " @1 v, l! _& L" i& ~1 V要測試相移范圍,請按照以下步驟操作:
    * o5 k) B' z! T3 X: Y. p: C8 h1. 在一個臂中設(shè)置帶有相移器的MZI結(jié)構(gòu)。
    2 k1 ~! }6 C& \5 Y& P* o  G, r" h) T2. 改變施加到相移器上的電壓或電流。
    2 N+ d4 A4 K! Q' _. ?3. 測量每個電壓/電流值的輸出光功率。$ N7 s0 S/ r' D) z
    4. 繪制輸出功率與電壓/電流的關(guān)系圖,以確定Vπ(π相移所需的電壓)或Pπ(π相移所需的功率)。
    $ R; }# Q/ V7 A/ w5 R+ O
    # |! Y. n0 P: e( ]6 Z# X
    ) p# g5 A0 B* M) u8 t& u圖4顯示了馬赫-曾德干涉儀結(jié)構(gòu)的輸出光功率隨(a)電壓和(b)加載在相移器兩端的功率的變化。0 }& X9 r, d. V- L( b" z
    " q3 X) U" x) f) V
    要測試相移器的響應(yīng)時間:
  • 將方波信號施加到相移器上。
  • 使用光電探測器和示波器觀察輸出信號。
  • 測量信號的上升時間,這對應(yīng)于相移器的響應(yīng)時間。0 _3 @1 \% |% V: F$ A4 K: ]; a
    [/ol]  `; ]! X5 v- |0 A, b$ t7 F/ n
    / \; ^6 H5 E8 O9 d$ n9 l

    0 r/ P1 S# ]! e7 ?( |" Q圖5顯示了光電探測器輸出信號隨調(diào)制方波信號的變化,用于確定相移器的響應(yīng)時間。  X% w% C, [  Q
    ) K8 E, r1 g6 s' ]7 ~
    測試完整的光子集成相控陣芯片2 ]  s7 j% X( ^# Q; T' j- J
    在測試單個組件之后,評估整個光子集成相控陣芯片的性能非常重要。. j# b  |1 Q3 w- P8 k# N, J
    主要評估特性包括:
    6 n$ |0 l( J. e& |1 N
  • 光束指向
  • 光束寬度
  • 旁瓣電平
  • 光束掃描范圍6 Z; V& H. i; `- j
    2 d/ C! O! A. ?3 K: i
    測試系統(tǒng)設(shè)計(jì)( x4 b' x- M! L" ?) ?* [3 z
    為測試光子集成相控陣芯片,需要一個綜合測試系統(tǒng)。這個系統(tǒng)通常由光學(xué)和電氣組件組成。1 y6 j' m+ @( D+ {" ?& {( d0 H

    ) g. F" c. K2 i( C9 ^% A; b6 N" N5 n) C * ^( h& B' L* j) o( \  ]
    圖6展示了硅基光相控陣光束掃描特性測試系統(tǒng)的示意圖。6 f5 u  R8 E& @4 m( N

    * B1 R" _* s( E/ m2 t7 P" F& Q測試系統(tǒng)包括以下關(guān)鍵組件:7 X( D1 b2 I  c/ X- I
  • 激光源
  • 光耦合機(jī)制(光纖耦合)
  • 光子集成相控陣芯片
  • 遠(yuǎn)場成像系統(tǒng)
  • 紅外CCD
  • 用于控制和數(shù)據(jù)采集的計(jì)算機(jī)
  • 相移器控制的電流/電壓源8 H4 T* p" n3 l0 w0 Z* [
    3 Q# S+ L) s! I/ A/ {
    光學(xué)組件
    7 I" k% |/ \$ o  |4 T4 s測試系統(tǒng)的光學(xué)部分負(fù)責(zé)將光耦合到芯片中并捕獲遠(yuǎn)場輻射模式。
    ; |/ _& f6 j: w  U主要由三個部分組成:$ l: R% Y6 L- o. p' E  Y
  • 精密調(diào)節(jié)組件
  • 實(shí)時觀察組件
  • 三透鏡遠(yuǎn)場成像組件
      n$ s+ r! z8 t8 y* F# u$ `: z

    # n8 M# h- U8 z( _( Q3 T" D+ C( ?* @ ' c1 N4 e; g& H+ P
    圖7顯示了硅基光相控陣芯片測試系統(tǒng)光學(xué)部分的示意圖。6 O% C* W4 ?4 j7 m% D  S

    6 q( f: S) ?' K6 \: x& t精密調(diào)節(jié)組件包括六軸高精度對準(zhǔn)平移臺和光纖夾具。這些組件確保光纖相對于芯片的精確定位,以實(shí)現(xiàn)高效的光耦合。1 {, v3 g, ~+ a& L: K; P5 B0 {
    " i/ p& k+ ^) D
    實(shí)時觀察組件包括顯微成像鏡頭、平移臺、CCD和監(jiān)視器。這些允許在對準(zhǔn)和測試過程中直接觀察芯片和光纖。
    # g; G5 P' s! I6 d* r2 u' [" @5 x5 B% B" n, ^( }2 T8 N7 W
    三透鏡遠(yuǎn)場成像組件對于檢測光相控陣芯片中天線和陣列的遠(yuǎn)場輻射模式非常重要。
    ! Q  z& {! J1 \/ H
    " t* o1 H3 Q5 |8 f. ^! @0 h圖8展示了三透鏡遠(yuǎn)場成像組件的示意圖。
    4 H2 h8 o  Y5 D8 o3 y6 D/ W6 x" b2 w  u
    * G! R- Y$ N( \8 Q0 P: e
    圖9顯示了三透鏡遠(yuǎn)場成像組件的光路圖。5 x( H' W' e: O* ~) g0 O

    ' d9 K$ e& H" i* e三透鏡系統(tǒng)包括:
    6 f  Y, a! V! |# B$ v
  • 透鏡1:收集光相控陣的輻射場(高數(shù)值孔徑)
  • 透鏡2和透鏡3:形成望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)以放大遠(yuǎn)場輻射模式3 S1 ^+ _: S: }  J4 e6 m) t

    ) B" F* K4 _" `! ]! W5 ?通過調(diào)整透鏡配置,該設(shè)置允許進(jìn)行遠(yuǎn)場和近場成像。
    ; D8 |5 o+ F& l( \  E6 _4 b6 h3 c' ], Y, E
    電氣組件
    : T( r0 {4 w  c  X5 d4 \測試系統(tǒng)的電氣部分旨在:
  • 測試芯片中金屬電極的電阻
  • 測量各組件的功耗
  • 控制相移器4 O( E# l/ `& A$ d3 }0 `8 Y
    [/ol]
    9 S4 u' R- @) O主要電氣組件包括:
  • 鎢探針平臺
  • 數(shù)字源表
  • 多通道電壓/電流控制器
  • 萬用表
  • 示波器
  • 信號發(fā)生器
  • 放大器- ~  d& q, R' o* ^
    [/ol]' n& Y7 f5 Q. x. j! r; w) d  N7 _

    0 _# b7 _0 W4 U; x7 a圖10顯示了用于連接芯片上單個相移器的鎢探針平臺。
    % K, t% J8 j/ Z! l" F  K. H+ J* l" V3 w% i0 I, I& |+ j
    對于具有大量相移器的芯片,通常需要將其鍵合到印刷電路板上。
    7 {( v9 X; e- T- @
    % `( V5 |, ]) u2 s  c. {: U圖11顯示了帶有金線鍵合的印刷電路板上的芯片照片,用于連接多個相移器。5 N& }  V3 J( |( C

    8 L; Q: u. ]9 P% I" Q/ F測試程序
    , i6 f: R. }+ l要測試光子集成相控陣芯片的光束掃描特性,請按照以下步驟操作:
  • 按圖12所示設(shè)置測試系統(tǒng)。
  • 使用光纖耦合將激光源的光耦合到芯片中。
  • 使用多通道電壓/電流源將電壓或電流施加到相移器上。
  • 使用紅外CCD捕獲遠(yuǎn)場輻射模式。
  • 使用優(yōu)化算法調(diào)整相移器電壓/電流,以實(shí)現(xiàn)精確的光束指向。
  • 迭代優(yōu)化過程以達(dá)到所需的光束特性(指向方向、旁瓣電平等)。
  • 記錄電壓/電流分布和遠(yuǎn)場輻射模式以進(jìn)行分析。% _+ F1 J( \. t0 U( k8 Q
    [/ol]# J! g* C, E( X, @' S# x9 ]
    5 T* o/ m& ^3 L. B4 B! P; |! ^+ ~
    圖12硅基光相控陣光束掃描特性測試系統(tǒng)示意圖
    7 B4 q: j1 h) N/ c6 L+ W5 G) F" i. Y) O, g5 S7 \
    相位優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)精確光束指向( q: W- P" R8 K
    由于制造工藝誤差,每個輻射光路徑的初始相位可能偏離理論設(shè)計(jì)值。為實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的光束指向,需要使用相位優(yōu)化方法。以下是逐步方法:: e$ T9 N  {" Q$ v* ~/ ]9 {6 \
    1. 使用計(jì)算機(jī)編程控制多通道電壓/電流源。
    - Z  b+ y+ S/ G" t% i" U2. 對陣列中的每個相移器施加一組隨機(jī)電壓值。
    , R" p$ _1 |. h5 r' \* L3. 使用紅外CCD收集遠(yuǎn)場輻射模式。
    5 H' [; l! c( D4 g0 W4. 使用優(yōu)化算法(如粒子群優(yōu)化、模擬退火或爬山算法)確定預(yù)期和當(dāng)前光束指向方向之間的差異。  t+ g& g7 P, I% l: w- j
    5. 根據(jù)優(yōu)化算法生成新的電壓/電流值集。. `! R, ^* E5 R: L
    6. 將新值應(yīng)用于相移器并收集更新的遠(yuǎn)場模式。
    2 x( E) ^+ V2 W$ a5 J$ v7. 重復(fù)步驟4-6,直到光束準(zhǔn)確地指向預(yù)定方向,并具有最低的旁瓣電平。
    3 e+ B) Q. |1 o, }8. 記錄最終的電壓/電流分布和遠(yuǎn)場輻射模式以供進(jìn)一步分析。
    2 U( `2 U5 Q; q+ G5 f1 B4 b2 v/ N; I) ?: ^. q
    這種優(yōu)化過程適用于各種規(guī)模的光相控陣芯片,可顯著提高光束掃描精度。. ~. Z' u9 ~3 r/ r
    , v: k2 ^& n2 x  {" `' r) v4 o
    ) i% q0 K4 V8 I5 |. O7 z- J
    實(shí)際考慮因素和建議
    + B( v2 |8 e4 I. h$ Q( ~; l; v在測試光子集成相控陣芯片時,請記住以下幾點(diǎn):
  • 確保芯片的適當(dāng)溫度控制,因?yàn)闊岵▌訒绊懴嘁破餍阅堋?li>使用高質(zhì)量光學(xué)組件以最小化損耗并保持信號完整性。
  • 定期校準(zhǔn)測試系統(tǒng)以確保測量準(zhǔn)確。
  • 使用基于探針的供電方法時,注意不要損壞芯片表面或電極。
  • 對于大規(guī)模陣列,考慮使用鍵合和定制PCB,以便更容易控制多個相移器。
  • 實(shí)施適當(dāng)?shù)钠帘魏徒拥丶夹g(shù),以最小化測量中的電氣噪聲。
  • 使用自動化軟件簡化測試過程,特別是對于相位優(yōu)化程序。8 @* ^, S3 B: e0 y
    [/ol]
    6 n* r5 s3 x2 k9 ]' O* _結(jié)論
    $ `! _7 k; z& Z8 o, R* }測試光子集成相控陣是復(fù)雜但重要的過程,以確保這些先進(jìn)光學(xué)系統(tǒng)的性能。通過遵循本文中概述的方法和程序,可以有效評估光子集成相控陣芯片的關(guān)鍵組件和整體性能。徹底的測試和優(yōu)化是開發(fā)用于電信、傳感和成像技術(shù)等各種應(yīng)用的高性能光相控陣的重要步驟。
    ! V. B6 W% F% X/ @: ]參考文獻(xiàn)
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    * F3 y: T- r) B) r  t: Q8 i- N- END -8 @7 ]: a& q/ s4 ]

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    $ V! [( \. E3 F$ X/ J7 N
    # u/ U% N. ]8 b" C4 C歡迎轉(zhuǎn)載
      q% B5 g! v; N- u! S
    2 i" F5 ^1 B7 Q2 M轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!6 d3 w0 q, r9 i# a! V( y0 S5 j

    & N. h* i: S4 V$ Q7 Y; {# ?6 U1 \* W6 o* N  [

    * t  m5 F7 T# {5 c$ {$ f% D3 w4 A
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                          5 x, ]' N! Z- b4 g0 V# F" ^8 c

    5 C  O4 l7 v5 g% @& i6 J5 s' _
    . O. t) i: q5 R" W2 C0 W9 x' @6 ?
    " p) h  q+ s. \
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    5 h& B: C) a; M& D) k1 o/ j深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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