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引言
2 ^- ~; L. `3 H- q5 }- Q/ Y" n集成光電子技術(shù)在高速通信、量子信息處理等多個領域帶來了變化。在眾多探索的材料中,磷化銦鎵(InGaP)因其強大的非線性光學特性和寬禁帶而成為極具潛力的候選材料。本文將探討InGaP-on-Insulator(InGaPOI)的晶圓級制造工藝及其在非線性和量子光電子應用中的潛力[1]。
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圖1:完成全部制造工藝后的100毫米InGaP-on-Insulator(InGaPOI)晶圓。1 {* U, v' _' a( Z
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2 ?. N# y3 G3 X9 F( g% f7 ~9 cInGaPOI平臺:優(yōu)勢與挑戰(zhàn), O# w3 Y# g! L7 _: c. |
相比于集成光電子中常用的其他材料,InGaP具有多項優(yōu)勢。其二階非線性極化率(χ(2))高達約220 pm/V,是AlGaAs的1.5倍,是鈮酸鋰的10倍。此外,三階非線性極化率(χ(3))與其他III-V族半導體相當。1.9 eV的寬禁帶(對應波長645 nm)使得在電信波段進行高效非線性過程時不會產(chǎn)生顯著的雙光子吸收。/ c$ ?9 V: J% V/ d; ~' `2 q
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盡管具有這些優(yōu)勢,InGaP在集成光電子中的廣泛應用受到了制造工藝挑戰(zhàn)的限制。開發(fā)可擴展、可制造的高質(zhì)量InGaPOI器件工藝對于實現(xiàn)其在實際應用中的全部潛力具有重要意義。# |' q1 L, N& N2 w, y0 O
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晶圓級制造工藝
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8 I' y2 ], l4 S6 m圖2:InGaPOI工藝流程圖,展示了制造的關(guān)鍵步驟。# \2 g% s& k" G
7 W- r$ d( }# g* cInGaPOI的晶圓級制造涉及幾個關(guān)鍵步驟:晶圓鍵合:首先進行低溫等離子體活化鍵合,將InGaP外延晶圓與熱氧化硅基底晶圓鍵合。這一步驟需要仔細檢查和清潔晶圓,以確保高質(zhì)量的鍵合。襯底去除:使用NH4OH:H2O2濕法刻蝕去除GaAs生長襯底。然后用稀HF選擇性去除AlGaAs刻蝕停止層。波導定義:使用原子層沉積(ALD)沉積90 nm厚的SiO2硬掩模。通過深紫外光刻和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕定義波導特征。包覆層和加熱器:沉積30 nm ALD SiO2層和1.5 μm PECVD SiO2層作為波導包覆層。然后在包覆層頂部圖案化Ti/Pt電阻加熱器,用于熱光相位調(diào)諧。刻面和切割:晶圓進行刻面工藝,然后切割成單獨的芯片進行測試和表征。4 u* q1 o7 D3 b! r' Y" ^+ L
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這一工藝可以在單個100毫米晶圓上制造數(shù)千個光電子器件,并有潛力擴展到200毫米晶圓。% v6 k+ Q( e( H J
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器件設計和優(yōu)化 p o' |* k0 r8 N- T
InGaPOI器件的設計需要仔細考慮波導幾何結(jié)構(gòu),以實現(xiàn)不同非線性過程的最佳性能。兩個主要關(guān)注的過程是自發(fā)四波混頻(SFWM)和自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換(SPDC)。
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圖3:SFWM和SPDC設計的模態(tài)截面和色散特性。 \9 M' y* t+ f |; F
$ f8 ] x3 P3 u- z5 F對于依賴χ(3)非線性的SFWM,理想的是近零色散波導設計。這允許在更寬的帶寬范圍內(nèi)產(chǎn)生糾纏光子對。模擬表明,400 × 650 nm的波導截面對于使用基礎TE模式在1550 nm進行SFWM是最佳的。
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利用χ(2)非線性的SPDC需要泵浦光(通常在775 nm)和產(chǎn)生的光子對(約1550 nm)之間的相位匹配。由于InGaP的強材料色散,實現(xiàn)相位匹配需要使用高縱橫比的波導截面。對于102 nm的波導高度,相位匹配的理想寬度約為1.2 μm。+ _1 a5 Y, b6 a: s$ }
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引言器件表征和性能
7 P5 L6 R G; x/ ?9 M為評估制造的InGaPOI器件質(zhì)量,采用了多種表征技術(shù)。使用可調(diào)諧激光在1530至1600 nm范圍內(nèi)掃描,對微環(huán)諧振器進行線性透射測量。. F) n) v# H# B+ g* r5 N, ^
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9 ~: G/ W3 t. N; n, r, G圖4:1550-1600 nm范圍內(nèi)的典型環(huán)形諧振器透射譜,插圖顯示了高Q值諧振。
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7 c" V0 |" G* N h( b透射譜顯示了載荷品質(zhì)因數(shù)(QL)超過200,000的高質(zhì)量諧振。通過將諧振擬合到解析模型,測得本征品質(zhì)因數(shù)(Qi)高達440,000,對應1550 nm處的傳播損耗低至1.22 dB/cm。9 t) m& ~) S1 I* L; A9 @5 p! l
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圖5:微環(huán)諧振器的傳播損耗與半徑和寬度的關(guān)系,以及整個晶圓上最高的本征品質(zhì)因數(shù)。+ b0 M& N8 B, ` b+ `
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對制造的器件進行進一步分析揭示了幾個重要趨勢:傳播損耗隨環(huán)半徑增加而降低,從20 μm半徑時的約5.4 dB/cm降至40 μm半徑時的約2.4 dB/cm。更寬的波導表現(xiàn)出更低的損耗,這是由于與側(cè)壁的模式重疊減少。在整個晶圓上持續(xù)實現(xiàn)高質(zhì)量器件,本征Q因子范圍從194,000到440,000。, ~4 j3 b$ M o" }9 E: o. ]
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這些結(jié)果展示了晶圓級制造工藝的優(yōu)異性能和均勻性。) G7 X( ~; [3 o( Z- t8 S
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與其他非線性平臺的比較- x0 A$ R( N; j! W# J7 U
InGaPOI在1550 nm處實現(xiàn)的1.22 dB/cm傳播損耗與其他新興非線性光電子平臺相比具有競爭力。
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) ^( [" g' t* Y雖然一些材料如AlGaAsOI和絕緣體上鈮酸鋰(LNOI)已經(jīng)展示了更低的損耗,但InGaPOI平臺提供了幾個優(yōu)勢:使用深紫外光刻的晶圓級制造,實現(xiàn)更高的產(chǎn)能和批量生產(chǎn)潛力。強大的χ(2)和χ(3)非線性,允許多樣化的非線性光學過程。寬禁帶,減少了電信波長下不需要的非線性吸收。7 y% @' ^$ T2 x1 e( ~
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未來前景和改進5 W) c* h& }# _2 ^, k, ?
當前結(jié)果令人鼓舞,但InGaPOI平臺仍有改進空間:先前研究表明,使用Al2O3進行表面鈍化可以將本征品質(zhì)因數(shù)提高3倍。使用氘化SiO2作為包覆材料可以在1550 nm處將吸收損耗降低約7倍。進一步優(yōu)化制造工藝,包括改進刻蝕技術(shù)和表面處理,可能導致更低的傳播損耗。1 s |4 k% j7 |7 H2 k8 P. I* }
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這些改進可能使InGaPOI器件的性能達到或超過其他非線性光電子平臺。
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結(jié)論
6 e+ J$ P6 S) i0 A高質(zhì)量InGaP-on-Insulator器件的晶圓級制造是集成非線性和量子光電子技術(shù)發(fā)展的重要進展。強大的χ(2)和χ(3)非線性、寬禁帶以及現(xiàn)已實現(xiàn)的低損耗波導的組合使InGaPOI成為適用于廣泛應用的多功能平臺。
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7 ~, R1 D0 p/ `4 M參考文獻 d! c- G0 Z ^4 A! h- E; `! p8 D
[1] L. Thiel et al., "Wafer-scale fabrication of InGaP-on-insulator for nonlinear and quantum photonic applications," Appl. Phys. Lett., vol. 125, no. 131102, Sep. 2024, doi: 10.1063/5.0225747.
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4 L {+ g( {. M6 `深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設計和仿真軟件,提供成熟的設計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務,廣泛服務于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務。
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