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晶圓級芯片尺寸封裝技術(shù)

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發(fā)表于 2024-10-15 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言
  |9 ~9 K. Y+ O  |) s; G晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)技術(shù)已成為低成本、小型化電子設(shè)備常用的封裝方案。本文概述了WLCSP技術(shù),包括主要特點、制造工藝、可靠性考慮因素和最新發(fā)展[1]。1 I' W& \" i1 J, g

, ]8 P! [" X# a- }% `WLCSP簡介
& Z" q: c! J$ X1 v) n& s, {WLCSP技術(shù)始于2001年,當(dāng)時安靠等公司從Flip Chip Technologies獲得了UltraCSP技術(shù)的許可。在過去二十年里,WLCSP被廣泛應(yīng)用于需要低引腳數(shù)(≤200)、小芯片尺寸(≤6 mm x 6 mm)、低成本和高產(chǎn)量的領(lǐng)域。常見應(yīng)用包括智能手機、平板電腦和數(shù)碼相機等移動和便攜式電子產(chǎn)品。
: v* O& S; E0 j  i% a/ C4 M6 U: K1 [' X& w1 I
WLCSP的主要特點是在硅晶圓完整、單個芯片尚未切割之前就完成封裝制造。這允許在晶圓級進(jìn)行高效封裝。大多數(shù)WLCSP的關(guān)鍵特征是使用金屬重布線層(RDL),通常是銅,將芯片上的細(xì)間距周邊焊盤重新分布為更大間距的面陣格式,并具有更高的焊球。
5 f; K; G6 k" X  @7 S$ ~$ T; O  |4 a% P
/ m2 q+ R- d2 T1 @5 `' k
圖1:展示晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)及重布線層概念的示意圖。
. `6 D7 d% `+ r$ F$ ]
9 r6 Z- h8 v, |: O1 p- V6 wWLCSP的主要優(yōu)勢:
+ o1 N+ t. t8 G# Z( U: [3 J
  • 小型化 - 封裝尺寸接近裸芯片尺寸
  • 低成本 - 高效的晶圓級處理  
  • 改善電氣性能 - 更短的互連
  • 無需焊線或倒裝芯片凸點
  • 標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝組裝工藝8 z" c) g1 k! X( m

    1 i% h% s- b+ c" z8 l+ tWLCSP結(jié)構(gòu)和制造典型的WLCSP結(jié)構(gòu)包括以下關(guān)鍵元素:: Z3 E: v: l4 U1 }* k
  • 帶有周邊焊盤的硅芯片
  • 介電層
  • 金屬重布線層(RDL)
  • 底部金屬化(UBM)
  • 焊球
    " a; g; A- o6 t& r
      g+ e( Q$ a7 o# c. r2 v
    / u  m3 r( e& m0 D7 D5 O; i$ k; O

    5 t/ S/ v+ t% A" C6 `1 w8 V圖2:展示W(wǎng)LCSP結(jié)構(gòu)關(guān)鍵元素的橫截面圖。
    3 g" b5 }% y8 e1 i8 c. p2 G/ H$ d6 ]; {& D* d3 t
    基本的WLCSP制造流程包括:
    ( u1 r" \7 g- K' r' t! B' D
  • 晶圓準(zhǔn)備和清洗
  • 介電層沉積和圖形化
  • RDL金屬沉積和圖形化  
  • UBM沉積
  • 焊球放置和回流
  • 晶圓切割
    , _: I* j# k  c5 K8 U

    ; }8 p. ^; h6 d/ `3 ?5 p0 h5 J# P# L( c+ J% ?" ^" y: v; Z* h
    , A5 c" l* s: g9 i2 ~) l  C4 _' F3 r
    圖3:展示RDL、UBM和焊球結(jié)構(gòu)的WLCSP詳細(xì)橫截面圖。
    % e6 r# @- Y- B# l7 K
    % ]/ ]5 s# F4 _+ D5 lRDL通常使用銅將信號從周邊焊盤重新分布到面陣格式?梢允褂枚鄬覴DL進(jìn)行更復(fù)雜的布線。UBM為焊料潤濕提供表面并充當(dāng)擴散阻擋層。常見的UBM堆疊包括Ti/Cu/Ni或Ti/Cu/Au。
    $ m( g: r$ B3 G. l8 s  t: [2 K) R9 t- E$ y% `* B% e6 ?* C# ]
    可靠性考慮: b4 o2 I( ~: {$ U% B: r
    WLCSP的主要可靠性問題之一是由于硅芯片和印刷線路板(PCB)之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配導(dǎo)致的焊點疲勞。這種CTE不匹配在熱循環(huán)過程中對焊點造成壓力。
    - d7 q% r" l! v5 w& P9 X, s! Q/ e& W( ~- [6 k
    為評估焊點可靠性,通常使用有限元分析和加速熱循環(huán)測試。焊點中的累積蠕變應(yīng)變通常用作疲勞壽命的預(yù)測指標(biāo)。
    ! h# _3 w) P0 S1 X. v7 r6 V) d* [" W  ?5 _0 p  y" X# B. A
    一項關(guān)于無鉛WLCSP焊點可靠性的研究使用有限元分析來模擬熱循環(huán)條件下的蠕變行為。該分析比較了96.5Sn-3.5Ag和100In焊料合金與共晶63Sn-37Pb的性能。
    0 d( l9 u3 r2 Y) }; G
    + \8 F* g  k$ Q0 X! u. c6 \3 t
    6 b& I) i3 N4 y, E  P8 ~3 m. p* Z圖4:不同焊料合金在50°C和75°C下的蠕變應(yīng)變率與剪切應(yīng)力曲線。! W: i) |( _5 V! i2 s* X

    : A0 ~2 @- ]3 S6 J6 E: a模擬結(jié)果顯示:4 w: E8 {% i* J2 f) J- a, j
  • 所有合金在更高溫度下蠕變應(yīng)變率更高
  • 100In的蠕變應(yīng)變率遠(yuǎn)高于其他合金
  • 在較高應(yīng)力水平下,96.5Sn-3.5Ag的蠕變應(yīng)變率低于63Sn-37Pb9 _/ s* j: Z- Q

    1 u  ?1 ]: B5 \/ T' t- L6 O  H% i7 \, R+ @2 b. g

    + X7 ~% s8 h2 o4 _3 v! D圖5:62Sn-36Pb-2Ag焊點的模擬剪切應(yīng)力與蠕變剪切應(yīng)變滯后曲線。
    % H9 O; M0 R2 B0 A- ^
    8 G4 N7 Z' v2 D' ]  J* `% G8 T滯后曲線顯示了焊點在循環(huán)載荷下如何變形。曲線內(nèi)部的面積代表每個循環(huán)耗散的能量,與疲勞損傷累積相關(guān)。$ {8 s6 G+ Z) _

    5 }8 H7 I& M7 H% E' U8 B3 TWLCSP技術(shù)的最新發(fā)展) a' I' {( |# h1 @
    為解決可靠性問題并實現(xiàn)更大的芯片尺寸,近年來開發(fā)了幾種標(biāo)準(zhǔn)WLCSP的改進(jìn)方案:
    % I4 C- ?& y" O  V8 S1. 應(yīng)力釋放層. \) R  V6 z2 _# r1 i
    日立引入了硅芯片和焊球之間的應(yīng)力松弛層,以提高大尺寸芯片(最大10 mm x 10 mm)的可靠性,無需使用底部填充。
    " @" U; o/ h) w
    ' L9 }9 e1 C* @* W圖6:安裝在PCB上的日立WLCSP與應(yīng)力松弛層的橫截面圖。* j3 X$ F2 t8 S( G

    7 C' o) G% h0 _( I9 \) |  k% z% g  h+ X # {% k! X" H* l7 [
    圖7:制造帶有應(yīng)力松弛層的日立WLCSP的關(guān)鍵工藝步驟。
    # k& `8 G! i3 m+ S) |2 I8 E
    6 [. {$ T4 Q- t. g3 t  r1 t應(yīng)力松弛層是通過模板遮罩印刷液態(tài)樹脂形成的。該層有助于吸收CTE不匹配引起的應(yīng)力。( L4 u3 i! o/ V& X" \' Y
    6 H' ]* q7 R% \7 ]; [0 A- l
    2 z. `" \. A0 i* L) j, `  h
    圖8:可靠性測試結(jié)果顯示10 mm x 10 mm芯片使用應(yīng)力松弛層后壽命得到改善。
    ; G3 {; @8 n9 D: W7 C1 I) w+ C
    7 P! S: Q+ g  N* X* H- E$ a1 {2. 無UBM集成0 P5 y* E  d3 s/ {# l
    臺積電開發(fā)了無UBM扇入型WLCSP工藝,以減少制造步驟和成本。該工藝使用聚合物復(fù)合保護(hù)層代替UBM來固定焊球。- F6 \4 a% q7 R9 P* n
    & C6 L: {, t/ r# z% H
    6 x. L0 Q! C  ^) ]
    圖9:傳統(tǒng)WLCSP(左)與臺積電無UBM WLCSP(右)的比較。
    9 m2 A% S& r4 A
    : ]' N  M2 m) B! j* y
    " I  \: L. _# s- r# ~8 n" D! S( Q圖10:臺積電無UBM WLCSP的熱循環(huán)可靠性結(jié)果,顯示最大10.3 mm x 10.3 mm芯片尺寸的良好性能。5 d3 w. C+ p1 R4 W
    ; `+ ~4 D4 ?' f& m+ k/ u/ ~9 [
    3. 模塑WLCSP
    : i; M5 w. }! C5 \6 W* s幾家公司開發(fā)了模塑WLCSP技術(shù)以提高保護(hù)性和可靠性:$ ^( X/ Z2 y/ @8 B) ~4 }
    1) STATS ChipPAC的封裝WLCSP (eWLCSP):: W5 Q: l8 I: N$ j) Q, |1 R+ j) w
  • 使用扇出型晶圓級封裝方法
  • 將晶圓切割成已知良好芯片
  • 在重構(gòu)晶圓周圍模塑環(huán)氧樹脂
  • 保護(hù)芯片的5個面(4個側(cè)壁+背面)
    . }. s" j3 r( u

    4 E& _+ T$ @* b: K: a' i; h# J# L
    $ e: w% M" O3 {) u( D7 A . }7 @6 x' d; i7 |' t! T3 v' F# ]
    圖11:STATS ChipPAC的eWLCSP工藝流程和結(jié)構(gòu)。
    0 Y+ V, P+ U) n/ C/ B& y3 P3 _& e) B9 ~
    2) UTAC的5面模塑WLCSP:
    3 v# @1 Y7 D0 h7 U
  • 使用原始設(shè)備晶圓
  • 模塑芯片的4個側(cè)壁和正面
  • 背面由層壓膠帶保護(hù)
    3 p. a7 [+ N' s' a& e
    0 O0 e8 [; E) x

    2 ?! t6 A( L* H3 s; {6 a, [ / t: Z; p, t: F8 n
    圖12:UTAC的5面模塑WLCSP結(jié)構(gòu)。
    7 K* E: L& D6 H% Q2 Z: b; e8 K( {8 T3 I( c, u) t& Y3 y
    3) 華天科技的6面模塑WLCSP:- j0 s7 r( W' P( q! j4 `& W
  • 類似于UTAC工藝,但也模塑背面
  • 芯片完全封裝
    2 Z/ W5 [) N  q: l

    8 b  Z8 T+ F9 v: [
    : C, q1 ^8 z' `' U7 P 4 y4 `) r) b/ I  c% a. j- r/ ^! q
    圖13:華天科技的6面模塑WLCSP結(jié)構(gòu)。
    . h  j' y/ e4 |3 q  ?
    1 F; H; I" I- ]4 _- p% {$ e" ] + C* @8 n' {  _) s$ `& ]
    圖14:華天科技6面模塑WLCSP的關(guān)鍵工藝步驟。3 W9 R- `9 P1 B3 r4 o8 A! v6 g

    " D9 e2 U4 p/ k

    ; e+ S7 \) ?1 s4 g2 [面板級芯片尺寸封裝
    " t" T8 N4 D3 X6 d  L9 x7 z為進(jìn)一步提高制造效率和降低成本,開發(fā)了面板級芯片尺寸封裝(PLCSP)工藝。這些工藝使用大型面板而不是圓形晶圓來同時處理多個器件。
    . }! Z" m4 U+ J* j  d4 E3 ], I: p  |
    / R4 W9 @% h' V! N7 `最近的一項研究展示了使用508 mm x 508 mm面板的6面模塑PLCSP工藝。主要特點包括:& i% E/ @! Y7 G, A
  • 在帶有多個設(shè)備晶圓的大型面板上進(jìn)行RDL制造
  • 使用PCB制造設(shè)備和工藝
  • 每個面板可處理2.25個300 mm晶圓
    ( k# Q/ o# M- |  G3 ~

    , e2 U6 k+ Z8 B. h7 t  Y# X# ~+ X& M' P. e3 x# e$ I

    / |7 ^, j9 s1 Q: @/ U5 b圖15:使用切割晶圓的PLCSP制造面板準(zhǔn)備過程。! A5 C/ J) h: o0 ~" |( L; R' i
    % V$ N) ]& E! f" J& G
      V2 l' \. p2 W! p& H) y
    圖16:用于PLCSP制造的508 mm x 508 mm面板,包含多個設(shè)備晶圓。
    3 S; }3 J7 h" l6 ]) [& _
    1 W& m6 m% n0 H" Y8 {6面模塑PLCSP工藝流程包括:
  • 在面板上制造RDL
  • 晶圓從面板上脫粘
  • 焊球安裝
  • 從正面部分切割晶圓
  • 正面和背面模塑
  • 等離子刻蝕以暴露焊球
  • 最終切割
      i; _9 c  _* ~, p3 x[/ol]0 t4 t( [* o3 w+ T$ C) x  M# q
    0 N* {3 V7 @5 q* C3 }- ?

    . g+ e$ G$ L2 y6 q; _1 Y8 j圖17:6面模塑PLCSP制造的關(guān)鍵工藝步驟。3 K. Q/ M6 X" |" [) Z

    ! `/ }6 ?! D" U: w0 _可靠性測試顯示6面模塑PLCSP比標(biāo)準(zhǔn)WLCSP性能更好:
    + n0 k  r6 s9 l& e
  • 通過JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的30次跌落測試
  • 熱循環(huán)測試中平均失效時間延長2.9倍; ^. L4 Y/ M8 y4 `' A

    0 e) R1 `" c: |2 H* F6 s: g有限元分析揭示了不同的失效模式:- m5 ]/ C# R/ v. X0 I0 w
  • 標(biāo)準(zhǔn)WLCSP:裂紋在芯片和焊料界面處開始
  • 6面模塑PLCSP:裂紋在PCB和焊料界面處開始
    6 m  C8 t$ J+ c. m, r/ x) G

      ]8 f8 |+ D  T& x) }$ {
    . e, t; A6 q. K* O9 l
    / I1 c- W$ ^# n& W" L1 F) V8 y圖18:6面模塑PLCSP角落焊點的模擬累積蠕變應(yīng)變。
    0 ^1 e+ t6 X+ Y4 z
    8 f8 K% ^* X  Q  ~' Q
    3 y5 {( t# D: j/ `3 J圖19:標(biāo)準(zhǔn)WLCSP角落焊點的模擬累積蠕變應(yīng)變。' M7 r* v  ~9 j; x
    3 f& L: m' q: j3 |
    模塑結(jié)構(gòu)有助于重新分配焊點中的應(yīng)力,從而提高可靠性。
    * C, z! a- d4 s) K2 b! h% D5 D" B" P# s
    結(jié)論" A% I  }' e" X" P, A
    晶圓級芯片尺寸封裝已成為許多便攜式和移動應(yīng)用中成熟且廣泛采用的技術(shù)。近期的發(fā)展,如應(yīng)力釋放層、無UBM工藝、模塑WLCSP和面板級封裝,繼續(xù)推動封裝尺寸、成本和可靠性的進(jìn)步。隨著對更小、更便宜、更可靠電子產(chǎn)品需求的持續(xù)增長,WLCSP技術(shù)預(yù)計在未來幾年將在半導(dǎo)體封裝中發(fā)揮重要作用。
    0 Y  U! h! q' c. P" s$ c( {1 |: Z
    * _: s: [5 x' P( N0 T2 |未來的主要挑戰(zhàn)包括實現(xiàn)更大的芯片尺寸、提高跌落測試性能以及通過面板級處理進(jìn)一步降低成本。在先進(jìn)材料、創(chuàng)新結(jié)構(gòu)和高密度RDL等領(lǐng)域的持續(xù)研究對解決這些挑戰(zhàn)和擴大WLCSP技術(shù)的應(yīng)用范圍具有重要意義。0 K' S$ v. Y; ?

    5 f) s3 ?0 S# M% w

    0 b7 Y0 U  `$ q9 m7 s/ W3 ]參考文獻(xiàn)! |/ Q8 B" Y. |0 W% i
    [1] J. H. Lau, "Flip Chip, Hybrid Bonding, Fan-In, and Fan-Out Technology," Singapore: Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2024.
    4 _9 |1 H) c2 f* c. ?% P8 A9 a8 h) f' E. M+ R/ h0 T
    - END -
    $ T+ q& }' M, `% M" }2 n5 s- E- ~5 K- B6 A# `' E3 D* W( L; R- O
    1 H, k, L6 G7 y  Z
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    & c2 k& s* ]9 _. R$ y& l5 s
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    % n/ T/ N6 P% `/ x5 x0 o  g$ }( @$ L5 _1 V7 c
    轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!% A1 j2 l5 K' J* B/ Y! I2 \% L

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      y: }! s3 ?4 {/ X( ~3 r
    1 ?+ f/ J8 Q. R3 C9 |! X0 u' @$ u

    2 N( ]) h" Z& C9 r# }# Y+ t2 U6 l5 t# ?
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    , C0 P! Q) i2 o  [- V
    # n4 u; j2 S: T9 t" `+ _& k

    - A: O$ {2 |/ d: @$ j9 R. m( \# `0 ]3 k, q

    6 [* V' C# p6 m, }2 b: E( ]% [+ r0 Y8 ~4 B5 d: m

    " E7 V4 F8 R; X) H2 h, r' @( h" A+ Q& [% n0 ~
                          ) @8 D' c1 i9 [6 b
    9 s2 \* R* p7 F1 p( ?

    * Z. G9 x$ i/ u* r$ w4 ?
    - m# Y" x* Z- i, i) d( j2 S關(guān)于我們:
    & n) }& R+ M$ k深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。& j: s8 }* G! v) e4 T  I

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