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引言
|9 ~9 K. Y+ O |) s; G晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)技術(shù)已成為低成本、小型化電子設(shè)備常用的封裝方案。本文概述了WLCSP技術(shù),包括主要特點、制造工藝、可靠性考慮因素和最新發(fā)展[1]。1 I' W& \" i1 J, g
, ]8 P! [" X# a- }% `WLCSP簡介
& Z" q: c! J$ X1 v) n& s, {WLCSP技術(shù)始于2001年,當(dāng)時安靠等公司從Flip Chip Technologies獲得了UltraCSP技術(shù)的許可。在過去二十年里,WLCSP被廣泛應(yīng)用于需要低引腳數(shù)(≤200)、小芯片尺寸(≤6 mm x 6 mm)、低成本和高產(chǎn)量的領(lǐng)域。常見應(yīng)用包括智能手機、平板電腦和數(shù)碼相機等移動和便攜式電子產(chǎn)品。
: v* O& S; E0 j i% a/ C4 M6 U: K1 [' X& w1 I
WLCSP的主要特點是在硅晶圓完整、單個芯片尚未切割之前就完成封裝制造。這允許在晶圓級進(jìn)行高效封裝。大多數(shù)WLCSP的關(guān)鍵特征是使用金屬重布線層(RDL),通常是銅,將芯片上的細(xì)間距周邊焊盤重新分布為更大間距的面陣格式,并具有更高的焊球。
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圖1:展示晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)及重布線層概念的示意圖。
. `6 D7 d% `+ r$ F$ ]
9 r6 Z- h8 v, |: O1 p- V6 wWLCSP的主要優(yōu)勢:
+ o1 N+ t. t8 G# Z( U: [3 J小型化 - 封裝尺寸接近裸芯片尺寸低成本 - 高效的晶圓級處理 改善電氣性能 - 更短的互連無需焊線或倒裝芯片凸點標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝組裝工藝8 z" c) g1 k! X( m
1 i% h% s- b+ c" z8 l+ tWLCSP結(jié)構(gòu)和制造典型的WLCSP結(jié)構(gòu)包括以下關(guān)鍵元素:: Z3 E: v: l4 U1 }* k
帶有周邊焊盤的硅芯片介電層金屬重布線層(RDL)底部金屬化(UBM)焊球
" a; g; A- o6 t& r g+ e( Q$ a7 o# c. r2 v
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5 t/ S/ v+ t% A" C6 `1 w8 V圖2:展示W(wǎng)LCSP結(jié)構(gòu)關(guān)鍵元素的橫截面圖。
3 g" b5 }% y8 e1 i8 c. p2 G/ H$ d6 ]; {& D* d3 t
基本的WLCSP制造流程包括:
( u1 r" \7 g- K' r' t! B' D晶圓準(zhǔn)備和清洗介電層沉積和圖形化RDL金屬沉積和圖形化 UBM沉積焊球放置和回流晶圓切割
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圖3:展示RDL、UBM和焊球結(jié)構(gòu)的WLCSP詳細(xì)橫截面圖。
% e6 r# @- Y- B# l7 K
% ]/ ]5 s# F4 _+ D5 lRDL通常使用銅將信號從周邊焊盤重新分布到面陣格式?梢允褂枚鄬覴DL進(jìn)行更復(fù)雜的布線。UBM為焊料潤濕提供表面并充當(dāng)擴散阻擋層。常見的UBM堆疊包括Ti/Cu/Ni或Ti/Cu/Au。
$ m( g: r$ B3 G. l8 s t: [2 K) R9 t- E$ y% `* B% e6 ?* C# ]
可靠性考慮: b4 o2 I( ~: {$ U% B: r
WLCSP的主要可靠性問題之一是由于硅芯片和印刷線路板(PCB)之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配導(dǎo)致的焊點疲勞。這種CTE不匹配在熱循環(huán)過程中對焊點造成壓力。
- d7 q% r" l! v5 w& P9 X, s! Q/ e& W( ~- [6 k
為評估焊點可靠性,通常使用有限元分析和加速熱循環(huán)測試。焊點中的累積蠕變應(yīng)變通常用作疲勞壽命的預(yù)測指標(biāo)。
! h# _3 w) P0 S1 X. v7 r6 V) d* [" W ?5 _0 p y" X# B. A
一項關(guān)于無鉛WLCSP焊點可靠性的研究使用有限元分析來模擬熱循環(huán)條件下的蠕變行為。該分析比較了96.5Sn-3.5Ag和100In焊料合金與共晶63Sn-37Pb的性能。
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6 b& I) i3 N4 y, E P8 ~3 m. p* Z圖4:不同焊料合金在50°C和75°C下的蠕變應(yīng)變率與剪切應(yīng)力曲線。! W: i) |( _5 V! i2 s* X
: A0 ~2 @- ]3 S6 J6 E: a模擬結(jié)果顯示:4 w: E8 {% i* J2 f) J- a, j
所有合金在更高溫度下蠕變應(yīng)變率更高100In的蠕變應(yīng)變率遠(yuǎn)高于其他合金在較高應(yīng)力水平下,96.5Sn-3.5Ag的蠕變應(yīng)變率低于63Sn-37Pb9 _/ s* j: Z- Q
1 u ?1 ]: B5 \/ T' t- L6 O H% i7 \, R+ @2 b. g
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+ X7 ~% s8 h2 o4 _3 v! D圖5:62Sn-36Pb-2Ag焊點的模擬剪切應(yīng)力與蠕變剪切應(yīng)變滯后曲線。
% H9 O; M0 R2 B0 A- ^
8 G4 N7 Z' v2 D' ] J* `% G8 T滯后曲線顯示了焊點在循環(huán)載荷下如何變形。曲線內(nèi)部的面積代表每個循環(huán)耗散的能量,與疲勞損傷累積相關(guān)。$ {8 s6 G+ Z) _
5 }8 H7 I& M7 H% E' U8 B3 TWLCSP技術(shù)的最新發(fā)展) a' I' {( |# h1 @
為解決可靠性問題并實現(xiàn)更大的芯片尺寸,近年來開發(fā)了幾種標(biāo)準(zhǔn)WLCSP的改進(jìn)方案:
% I4 C- ?& y" O V8 S1. 應(yīng)力釋放層. \) R V6 z2 _# r1 i
日立引入了硅芯片和焊球之間的應(yīng)力松弛層,以提高大尺寸芯片(最大10 mm x 10 mm)的可靠性,無需使用底部填充。
" @" U; o/ h) w
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' L9 }9 e1 C* @* W圖6:安裝在PCB上的日立WLCSP與應(yīng)力松弛層的橫截面圖。* j3 X$ F2 t8 S( G
7 C' o) G% h0 _( I9 \) | k% z% g h+ X
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# {% k! X" H* l7 [
圖7:制造帶有應(yīng)力松弛層的日立WLCSP的關(guān)鍵工藝步驟。
# k& `8 G! i3 m+ S) |2 I8 E
6 [. {$ T4 Q- t. g3 t r1 t應(yīng)力松弛層是通過模板遮罩印刷液態(tài)樹脂形成的。該層有助于吸收CTE不匹配引起的應(yīng)力。( L4 u3 i! o/ V& X" \' Y
6 H' ]* q7 R% \7 ]; [0 A- l
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2 z. `" \. A0 i* L) j, ` h
圖8:可靠性測試結(jié)果顯示10 mm x 10 mm芯片使用應(yīng)力松弛層后壽命得到改善。
; G3 {; @8 n9 D: W7 C1 I) w+ C
7 P! S: Q+ g N* X* H- E$ a1 {2. 無UBM集成0 P5 y* E d3 s/ {# l
臺積電開發(fā)了無UBM扇入型WLCSP工藝,以減少制造步驟和成本。該工藝使用聚合物復(fù)合保護(hù)層代替UBM來固定焊球。- F6 \4 a% q7 R9 P* n
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6 x. L0 Q! C ^) ]
圖9:傳統(tǒng)WLCSP(左)與臺積電無UBM WLCSP(右)的比較。
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" I \: L. _# s- r# ~8 n" D! S( Q圖10:臺積電無UBM WLCSP的熱循環(huán)可靠性結(jié)果,顯示最大10.3 mm x 10.3 mm芯片尺寸的良好性能。5 d3 w. C+ p1 R4 W
; `+ ~4 D4 ?' f& m+ k/ u/ ~9 [
3. 模塑WLCSP
: i; M5 w. }! C5 \6 W* s幾家公司開發(fā)了模塑WLCSP技術(shù)以提高保護(hù)性和可靠性:$ ^( X/ Z2 y/ @8 B) ~4 }
1) STATS ChipPAC的封裝WLCSP (eWLCSP):: W5 Q: l8 I: N$ j) Q, |1 R+ j) w
使用扇出型晶圓級封裝方法將晶圓切割成已知良好芯片在重構(gòu)晶圓周圍模塑環(huán)氧樹脂保護(hù)芯片的5個面(4個側(cè)壁+背面)
. }. s" j3 r( u
4 E& _+ T$ @* b: K: a' i; h# J# L
$ e: w% M" O3 {) u( D7 A
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. }7 @6 x' d; i7 |' t! T3 v' F# ]
圖11:STATS ChipPAC的eWLCSP工藝流程和結(jié)構(gòu)。
0 Y+ V, P+ U) n/ C/ B& y3 P3 _& e) B9 ~
2) UTAC的5面模塑WLCSP:
3 v# @1 Y7 D0 h7 U使用原始設(shè)備晶圓模塑芯片的4個側(cè)壁和正面背面由層壓膠帶保護(hù)
3 p. a7 [+ N' s' a& e0 O0 e8 [; E) x
2 ?! t6 A( L* H3 s; {6 a, [
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圖12:UTAC的5面模塑WLCSP結(jié)構(gòu)。
7 K* E: L& D6 H% Q2 Z: b; e8 K( {8 T3 I( c, u) t& Y3 y
3) 華天科技的6面模塑WLCSP:- j0 s7 r( W' P( q! j4 `& W
類似于UTAC工藝,但也模塑背面芯片完全封裝
2 Z/ W5 [) N q: l
8 b Z8 T+ F9 v: [
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4 y4 `) r) b/ I c% a. j- r/ ^! q
圖13:華天科技的6面模塑WLCSP結(jié)構(gòu)。
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+ C* @8 n' { _) s$ `& ]
圖14:華天科技6面模塑WLCSP的關(guān)鍵工藝步驟。3 W9 R- `9 P1 B3 r4 o8 A! v6 g
" D9 e2 U4 p/ k
; e+ S7 \) ?1 s4 g2 [面板級芯片尺寸封裝
" t" T8 N4 D3 X6 d L9 x7 z為進(jìn)一步提高制造效率和降低成本,開發(fā)了面板級芯片尺寸封裝(PLCSP)工藝。這些工藝使用大型面板而不是圓形晶圓來同時處理多個器件。
. }! Z" m4 U+ J* j d4 E3 ], I: p |
/ R4 W9 @% h' V! N7 `最近的一項研究展示了使用508 mm x 508 mm面板的6面模塑PLCSP工藝。主要特點包括:& i% E/ @! Y7 G, A
在帶有多個設(shè)備晶圓的大型面板上進(jìn)行RDL制造使用PCB制造設(shè)備和工藝每個面板可處理2.25個300 mm晶圓
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/ |7 ^, j9 s1 Q: @/ U5 b圖15:使用切割晶圓的PLCSP制造面板準(zhǔn)備過程。! A5 C/ J) h: o0 ~" |( L; R' i
% V$ N) ]& E! f" J& G
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V2 l' \. p2 W! p& H) y
圖16:用于PLCSP制造的508 mm x 508 mm面板,包含多個設(shè)備晶圓。
3 S; }3 J7 h" l6 ]) [& _
1 W& m6 m% n0 H" Y8 {6面模塑PLCSP工藝流程包括:在面板上制造RDL晶圓從面板上脫粘焊球安裝從正面部分切割晶圓正面和背面模塑等離子刻蝕以暴露焊球最終切割
i; _9 c _* ~, p3 x[/ol]0 t4 t( [* o3 w+ T$ C) x M# q
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. g+ e$ G$ L2 y6 q; _1 Y8 j圖17:6面模塑PLCSP制造的關(guān)鍵工藝步驟。3 K. Q/ M6 X" |" [) Z
! `/ }6 ?! D" U: w0 _可靠性測試顯示6面模塑PLCSP比標(biāo)準(zhǔn)WLCSP性能更好:
+ n0 k r6 s9 l& e通過JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的30次跌落測試熱循環(huán)測試中平均失效時間延長2.9倍; ^. L4 Y/ M8 y4 `' A
0 e) R1 `" c: |2 H* F6 s: g有限元分析揭示了不同的失效模式:- m5 ]/ C# R/ v. X0 I0 w
標(biāo)準(zhǔn)WLCSP:裂紋在芯片和焊料界面處開始6面模塑PLCSP:裂紋在PCB和焊料界面處開始
6 m C8 t$ J+ c. m, r/ x) G
]8 f8 |+ D T& x) }$ {
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/ I1 c- W$ ^# n& W" L1 F) V8 y圖18:6面模塑PLCSP角落焊點的模擬累積蠕變應(yīng)變。
0 ^1 e+ t6 X+ Y4 z
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3 y5 {( t# D: j/ `3 J圖19:標(biāo)準(zhǔn)WLCSP角落焊點的模擬累積蠕變應(yīng)變。' M7 r* v ~9 j; x
3 f& L: m' q: j3 |
模塑結(jié)構(gòu)有助于重新分配焊點中的應(yīng)力,從而提高可靠性。
* C, z! a- d4 s) K2 b! h% D5 D" B" P# s
結(jié)論" A% I }' e" X" P, A
晶圓級芯片尺寸封裝已成為許多便攜式和移動應(yīng)用中成熟且廣泛采用的技術(shù)。近期的發(fā)展,如應(yīng)力釋放層、無UBM工藝、模塑WLCSP和面板級封裝,繼續(xù)推動封裝尺寸、成本和可靠性的進(jìn)步。隨著對更小、更便宜、更可靠電子產(chǎn)品需求的持續(xù)增長,WLCSP技術(shù)預(yù)計在未來幾年將在半導(dǎo)體封裝中發(fā)揮重要作用。
0 Y U! h! q' c. P" s$ c( {1 |: Z
* _: s: [5 x' P( N0 T2 |未來的主要挑戰(zhàn)包括實現(xiàn)更大的芯片尺寸、提高跌落測試性能以及通過面板級處理進(jìn)一步降低成本。在先進(jìn)材料、創(chuàng)新結(jié)構(gòu)和高密度RDL等領(lǐng)域的持續(xù)研究對解決這些挑戰(zhàn)和擴大WLCSP技術(shù)的應(yīng)用范圍具有重要意義。0 K' S$ v. Y; ?
5 f) s3 ?0 S# M% w
0 b7 Y0 U `$ q9 m7 s/ W3 ]參考文獻(xiàn)! |/ Q8 B" Y. |0 W% i
[1] J. H. Lau, "Flip Chip, Hybrid Bonding, Fan-In, and Fan-Out Technology," Singapore: Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2024.
4 _9 |1 H) c2 f* c. ?% P8 A9 a8 h) f' E. M+ R/ h0 T
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