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[作業(yè)已審核] 4XDDR作業(yè)---馮凱

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發(fā)表于 2024-10-31 21:00:43 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4片DDR模塊布局時空間足夠的情況下采用菊花鏈模式,盡量靠近BGA擺放,串聯(lián)電阻放到最后一片DDR后邊,濾波電容靠近管腳放置。四片DDR地址線,時鐘線,控制線走線時走到第一片,再從第一片依次往后走,保證到DDR的線長度一致。DDR和BGA中間無排阻時,擺放間距在600-800mil,有排阻時間距在800-1000mil,濾波電容靠近IC管腳擺放,走線阻抗控制在50om,數(shù)據(jù)線每11根盡量走在同一層D0-D7,LDQM和一對差分線等。信號線之間滿足3W規(guī)則,數(shù)據(jù)線和時鐘線、地址線之間滿足20mil以上,空間足夠情況下,用地線隔離開,加過地孔。高低8位數(shù)據(jù)線保持等長,誤差在50mil,控制線,時鐘線和地址線誤差在100mil,差分線繞等長時先使差分對內(nèi)誤差保證在5mil內(nèi),在進行數(shù)據(jù)線等長操作。如果原理圖有特殊標注,走線應滿足要求。走線后在走線中間空余處打上過地孔減少干擾。4XDDR地址線繞等長時可以采用xSignals功能對地址線進行分段,使每段分別等長就可保證整體等長。

4XDDR3作業(yè).PcbDoc

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沙發(fā)
發(fā)表于 2024-11-4 09:02:17 | 只看該作者
bga內(nèi)部扇出不得開窗處理

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板凳
發(fā)表于 2024-11-4 10:13:38 | 只看該作者
VREF的連接需要加粗

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地板
發(fā)表于 2024-11-4 10:14:25 | 只看該作者
注意過孔數(shù)量

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截圖202411041014162055.png
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5#
發(fā)表于 2024-11-4 10:14:49 | 只看該作者
高速信號避免直角走線

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