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高速存儲器接口IBIS建模中的挑戰(zhàn)與解決方案

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發(fā)表于 2024-12-9 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言- W. b) P9 @- g& \6 z+ v# U
高速存儲器接口已發(fā)展到支持?jǐn)?shù)千兆比特每秒(Gbps)的數(shù)據(jù)傳輸率。這種發(fā)展為存儲器接口的有效建模帶來了多種挑戰(zhàn),特別是在IBIS(輸入/輸出緩沖信息規(guī)范)模型方面。本文探討了高速存儲器接口模型開發(fā)中的主要挑戰(zhàn)和相應(yīng)解決方案,重點(diǎn)關(guān)注封裝建模和均衡器實(shí)現(xiàn)。
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圖1:展示了高速存儲器接口中IBIS模型的主要挑戰(zhàn),突出顯示了封裝模型和均衡器模型的挑戰(zhàn)。
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封裝模型的挑戰(zhàn)與解決方案
+ B) {1 R  H3 m( l/ K" r存儲器接口日益復(fù)雜,在封裝建模方面引發(fā)了多個挑戰(zhàn)。目前支持Touchstone格式的模型主要分為兩類:互連模型和EMD(電氣模型數(shù)據(jù))。每種方法都有各自的優(yōu)勢和局限性,需要仔細(xì)權(quán)衡。
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5 f0 a% l. Y4 X圖2:互連模型和EMD的比較表,顯示了在多重連接、EDA工具支持、顯示實(shí)現(xiàn)和文件路徑規(guī)范方面的優(yōu)勢和限制。
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封裝建模中的主要挑戰(zhàn)之一是有效支持多重連接。這在涉及多芯片封裝的情況下尤為明顯。雖然互連模型使用廣泛,但在處理多重連接方面存在局限性。
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圖3:互連模型和EMD在多重連接支持方面的對比圖,展示了各自在處理多芯片封裝時(shí)的優(yōu)勢和局限性。4 U( |/ [. B3 t* g# Q

/ S) \1 a- V' P% q封裝模型的實(shí)現(xiàn)和可視化也是一個重要挑戰(zhàn)。這些模型在EDA工具中的顯示和處理方式會顯著影響設(shè)計(jì)過程中的可用性和有效性。1 S: [% f8 U" g3 |% ?& y; s

! B; i8 S% g. G) ]( c$ o( q圖4:互連模型和EMD的顯示實(shí)現(xiàn)對比,展示了在具有多個封裝實(shí)例的pcb設(shè)計(jì)中封裝的可視化方式。; E/ Z* P8 u* N  f3 Z
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均衡器模型的挑戰(zhàn): [% v  }) B6 q$ K3 W( T  A
DDR規(guī)范中引入均衡器帶來了新的建模復(fù)雜性。特別關(guān)注的是判決反饋均衡器(DFE),其使用外部時(shí)鐘信號(DQS)運(yùn)作,而非SerDes實(shí)現(xiàn)中使用的時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)(CDR)系統(tǒng)。
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1 u( [& K- t4 S9 |圖5:DDR DFE和SerDes DFE架構(gòu)的對比圖,突出顯示了時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)的差異。/ X" K* a5 k: P; r( q; B, Z& P2 J/ w

: |1 E9 B& @; {, t1 h基于雙尾鎖存型電壓感應(yīng)放大器(DTSA)的DFE實(shí)現(xiàn)引入了額外的建模挑戰(zhàn)。這些實(shí)現(xiàn)使用動態(tài)放大器作為加法器,在信號處理和分析方面與傳統(tǒng)線性放大器有顯著差異。
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: l% _4 }$ A- P6 H$ X圖6:展示DTSA基礎(chǔ)DFE架構(gòu)和探測點(diǎn)挑戰(zhàn)的技術(shù)圖。+ {/ i9 z9 F& f  L" r2 l/ c

7 w  B7 s: h% v3 ~隨著存儲器接口的復(fù)雜性增加,S參數(shù)模型的文件大小管理也面臨挑戰(zhàn)。隨著數(shù)據(jù)速率提高和并行接口變得更加復(fù)雜,提取的S參數(shù)文件大小顯著增長。這種增長需要仔細(xì)考慮磁盤使用、分析時(shí)間以及模型精度與文件大小之間的權(quán)衡。
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當(dāng)前建模環(huán)境中,Touchstone和IBIS-ISS文件的路徑規(guī)范也是一個挑戰(zhàn)。雖然IBIS規(guī)范提供了文件位置規(guī)則,但由于缺乏明確的路徑設(shè)置描述,導(dǎo)致在不同EDA工具中的實(shí)現(xiàn)不一致。這種不一致可能導(dǎo)致兼容性問題,使模型集成過程變得復(fù)雜。# Y# `( e) z/ I5 g0 R- q5 X4 K

. V+ L. y0 P) E9 {$ r, X針對這些挑戰(zhàn),提出了以下解決方案:
  • 提升互連模型以支持與EMD相當(dāng)?shù)亩嘀剡B接能力,為復(fù)雜封裝配置建模提供更大靈活性。
  • 制定清晰的封裝模型指南并促進(jìn)行業(yè)采用,確保實(shí)現(xiàn)一致性和更廣泛的工具支持。
  • 建立統(tǒng)一的文件路徑描述規(guī)范,消除歧義并提高不同EDA工具間的兼容性。
  • 為基于DTSA的DFE實(shí)現(xiàn)開發(fā)新的建模方法,可能包括數(shù)字信號的通過/失敗判定方法。2 [9 X: s5 V  m, i
    [/ol]
    9 w, O4 ^2 R1 N+ C! w. \基于DTSA的DFE建模提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn),需要創(chuàng)新解決方案。在處理動態(tài)放大器時(shí),傳統(tǒng)的模擬信號探測方法變得問題重重,因?yàn)檩敵隹赡懿惶峁┻m合分析的探測點(diǎn)。這種限制要求在均衡化之前探測輸入信號,或者處理切片器的數(shù)字信號輸出。
    + ^* f* n0 }* _1 _7 {0 B, w# m6 E% w
    IBIS開放論壇和EDA模型專業(yè)委員會繼續(xù)致力于解決這些挑戰(zhàn)。未來的發(fā)展可能包括處理外部時(shí)鐘驅(qū)動均衡器的新規(guī)范,以及改進(jìn)的大型S參數(shù)文件管理方法。行業(yè)重點(diǎn)仍然是開發(fā)更高效、更準(zhǔn)確的模型,同時(shí)保持與現(xiàn)有工具和工作流程的兼容性。& @! y; y. {0 ~. c

    0 `8 x8 f: }/ {# E9 b參考文獻(xiàn)* y7 F( z/ Z. g6 t7 P2 m
    [1] M. Yoshitomi, "Challenges and Proposals in Developing Models for High-Speed Memory Interface," KIOXIA Corporation, Design Technology Innovation Div., 2024.- \  c* c) e1 a( C0 s5 {( Q& o. _1 O
    $ ]1 W  p6 t3 I7 K( D
    END
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