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1、 定義 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可經(jīng) SD 卡轉(zhuǎn)換器后，當 SD 卡使用。 TF 卡產(chǎn)品4 o* h5 x% O0 x% E$ O0 m
采用 SD 架構(gòu)設計而成， SD 協(xié)會于2004年年底正式將其更名為 Micro SD ， 已成為 SD 產(chǎn)品中的一員 。" d8 k1 }. B) b) U4 _! N' A* F/ K
SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一種基于半導體快閃記憶器的新一
0 W& i8 o1 T8 V) p s9 e代記憶設備。 , m @3 V. O6 ] _- w
. {8 j3 O k" |7 B4 M
CLK:時鐘信號。, n* N& y+ C2 h! r/ P7 q9 J
CMD:雙向命令和響應信號。7 k% n+ n0 P/ s; ~( T0 l
DAT0-3:雙向數(shù)據(jù)信號。
8 x/ ~ x. d( g) U0 R3 @VDD、 VSS:電源和地信號。
' t9 R- K; y( VCD：卡檢測。
% N' Y5 u; U; A- R* A& K2 _- m, P6 x* N! m8 x$ Y
2、阻抗控制要求8 |' h2 ]0 R' ?/ ^! ~
單端阻抗控制在50歐姆。
* B# I, U9 n2 {* {4 m3、 走線要求2 ]& \7 J4 z0 [: @: a# ?
所有的信號線盡量走在同一層,參考GND平面，盡量避免夸分割的情況出現(xiàn)，
& Q0 s* r! ?5 `# g6 x# f特別是時鐘線。數(shù)據(jù)線控制線參照時鐘線盡量等長，誤差可以放寬點。做到+/-300mil即可。時鐘線在空間足夠的情況下，采取包地處理。如果做不到，盡量拉開時鐘線與其他信號線之間的距離。 大于 3W。在打孔換層的地方增加回流地過孔，縮短回流路徑。電源和地走線加寬，請注意載流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盤之間的間距，不能太近，預防連錫。（ 1.5mm 適宜）
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- j ^: C, W4 _2 J7 a更多精彩PCB知識不斷更新中，敬請關注... QQ群：547971984
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