|
引言) S1 o; o6 c: j0 }$ J/ l
pMaxwell RCWA 在其最新的0.6版本中引入了令人興奮的新功能,包括強(qiáng)大的可視化工具和折射率監(jiān)視器。這次更新大大提升了軟件顯示和分析仿真數(shù)據(jù)的能力。本文介紹這些新特性,包括一維和二維繪圖功能,以及獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的方法。% h6 y7 Q0 W: Z; c. U
, c9 B! h8 ~+ ^& T2 o
pMaxwell是PIC Studio光電設(shè)計(jì)與仿真方案的重要組成部分,在整個(gè)流程圖中位于右下角的元件部分。突顯了pMaxwell RCWA在光電子集成芯片設(shè)計(jì)和仿真過程中的關(guān)鍵角色。
/ t" f- ?8 P, ~7 \( L& m5 s
' C0 U% O ~+ Q8 l+ p7 R
henh5drthkf64027017827.png (242.58 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
henh5drthkf64027017827.png
2024-9-12 13:30 上傳
) r# l1 M2 ^$ K( _9 S3 d+ G
9 R; `' b# `; {! d0.6版本更新亮點(diǎn):6 a& z( x4 f7 X7 r
1. 新增可視化功能:包括1D和2D數(shù)據(jù)的繪圖能力
: ~* g8 E* u9 W5 S' l" F2. 折射率監(jiān)視器:允許用戶獲取指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率
4 ~8 B+ x% g+ |& b' Y; a3. 增強(qiáng)的數(shù)據(jù)分析能力:使用戶能更深入地理解復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu). q6 I) J/ z% Y+ v) l7 n
! {1 P& u& }% k/ g$ P這些新功能不僅提高了pMaxwell RCWA的實(shí)用性,還為用戶提供了更直觀、更全面的數(shù)據(jù)分析工具。接下來,我們將探討這些新功能的使用方法和應(yīng)用實(shí)例。
; K% g* f$ Y% N: Y" Q: k
% T# @+ C* @" _可視化功能. u) p- E; x/ j1 q
一維繪圖 plot_1D 函數(shù)是0.6版本中新增的功能,允許用戶輕松可視化一維數(shù)據(jù)。其語法如下:
" z8 j$ g* ^# T! S `( R% i2 q) {. L# d) W4 Q+ M% Z1 r6 h4 ~& K7 R
plot_1D(x, y, data_type, **kwargs)" u: S5 ^8 T% @4 f% p
參數(shù):: a) z8 q. [1 U1 ?# P7 m0 K& V: O8 G
x:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)y:需要可視化的數(shù)據(jù)(列表、元組或一維數(shù)組)data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")**kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)
+ ~5 D; r- P* x( s/ v. |% o! T' E* x8 m. p. q5 n
3 {* u: C8 c3 k7 T# Q5 m
dj4ca3tjf0m64027017927.png (188.93 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
dj4ca3tjf0m64027017927.png
2024-9-12 13:30 上傳
6 r! O0 E' U/ E. C圖1展示了0.6版本中新增的plot_1D()函數(shù),用于可視化菲涅爾方程數(shù)據(jù)的例子,顯示了導(dǎo)入必要模塊和設(shè)置繪圖的代碼片段。; n$ C- Q1 Q4 ~2 i5 q' Q0 Y" n
, q& H) b" R7 Z( ~- A二維繪圖 plot_2D 函數(shù)能夠可視化二維數(shù)據(jù):3 ^- c1 A! B( p) ^4 E
" N* e! @6 Q f- E
plot_2D(x, y, data, data_type, **kwargs)
4 t1 Y4 ~6 ?. C4 `3 \, t參數(shù):
" s# U% e* m6 C) P( b5 E" c% kx:x軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)y:y軸數(shù)據(jù)范圍(一維數(shù)組或列表)data:需要可視化的二維數(shù)組數(shù)據(jù)data_type:要可視化的數(shù)據(jù)類型("real"、"image"或"abs")**kwargs:用于自定義繪圖的附加參數(shù)* {) d# t# Y0 W2 ]0 ^8 @9 i( x
% m' c$ \! v, A! g
* ?0 H1 ^$ I* E* H! q$ Z
zekdsq34ui364027018028.png (214.86 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
zekdsq34ui364027018028.png
2024-9-12 13:30 上傳
1 L+ _+ H3 g/ j# o" J0 s圖2展示了使用plot_2D()可視化超透鏡單元結(jié)構(gòu)xz平面電磁場Ex分量實(shí)部的例子。# K0 C2 x) v' U: o4 \2 e/ }7 t
折射率監(jiān)視器
+ N3 ]* t1 O% Y( EpMaxwell RCWA 現(xiàn)在包含了獲取仿真結(jié)構(gòu)中指定界面的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的函數(shù):
4 E! n# R# `& B A3 D1. GetEpsMu_xy(mesh, layer_number)/ i( ?+ r T2 O5 N5 L* j
2. GetEpsMu_xz(mesh, z_info, y_position)
* y+ t! k4 T. Q, }1 `. K% u \3 H* q6 u3. GetEpsMu_yz(mesh, z_info, x_position)
8 A2 \1 Y" |7 P2 a
% h% |$ V7 u. o3 N) @參數(shù):
! b6 \# y7 K L* Wmesh:仿真網(wǎng)格對象5 ^) R5 z% A @; b: k, i
layer_number:層標(biāo)記(-1表示入射層,0到N表示結(jié)構(gòu)層,N表示出射層)3 [% v% C$ e; Q# s- u
z_info:z軸范圍和分辨率(start, stop, grid_number)
/ [) {5 R7 O8 @/ q" z( b8 ^x_position:yz平面的x軸位置
- ]% T# \# ]% s& U! M( @9 ny_position:xz平面的y軸位置
1 N. _; {0 q3 D' ]' @' H$ ]$ _2 C( D. G+ L W) s; V3 m) U
7 x% \8 v& H1 _$ L
jtnvhbe24yj64027018128.png (188.33 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
jtnvhbe24yj64027018128.png
2024-9-12 13:30 上傳
+ [3 ^4 O! a5 }# f1 n# R/ P
圖3提供了使用GetEpsMu函數(shù)獲取xy、xz和yz平面介電常數(shù)的代碼片段示例。) Z+ H5 U: s$ i3 k3 Y# q# Z0 I
. ?- [* z+ u/ O+ P
x5gi32nyfop64027018228.png (129.11 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
x5gi32nyfop64027018228.png
2024-9-12 13:30 上傳
# w& Z, K+ H" C4 |2 F圖4顯示了一維矩形光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部。# x* V! y5 I) m O; z
6 ?4 \0 p- M* Z
結(jié)構(gòu)參數(shù):3 D o+ r6 F0 f y1 U- Z/ H
周期:300 nm; Q' H: ~% @8 G( Y0 T" y. e
寬度:200 nm
2 T% ] Q/ T1 b; Q0 c2 W高度:300 nm
) J% Q; G4 p4 p7 a' m) c8 l- j: A! J硅折射率:4.22706 + 0.0599998j: o8 L) Z" H! t% A: y
二氧化硅折射率:1.4616(入射層)
+ z4 j- ?/ g0 k3 i2 ^! ]; T% j4 O
) t; {: `( v5 ~2 l
k04lzoez4yt64027018328.png (206.55 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
k04lzoez4yt64027018328.png
2024-9-12 13:30 上傳
/ C9 R! f! C( W9 o
圖5顯示了一維傾斜光柵結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部,其中坐標(biāo)原點(diǎn)已調(diào)整以提供更好的可視化效果。
* T! d F5 k6 v3 U, f' M% ]
* k% m6 |- P+ t& d結(jié)構(gòu)參數(shù):
% c: U* m; l6 R" O周期:393 nm填充系數(shù):0.5寬度:196.5 nm高度:300 nm傾斜角:60°空氣折射率:1.0光柵折射率:1.8分層數(shù):30
$ Y6 H$ ?9 u3 m* ?6 ?: q( d0 a9 f1 q- {5 d% c, H
) W+ t6 s! \, I, n- t0 S+ I( s
yxulsyzr0tj64027018428.png (135.98 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
yxulsyzr0tj64027018428.png
2024-9-12 13:30 上傳
0 B: Y. [5 J: b
圖6顯示了二維金屬超表面結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部。
) u1 e# }5 _2 S' m
* ^0 f1 X' K7 S S- n結(jié)構(gòu)參數(shù):
2 x6 b1 s9 q) q1 e& h5 l周期:0.4 μm高度h1:0.5 μm高度h2:0.04 μm長度L:0.2 μm寬度w:0.05 μm柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)$ R# v) ?; s! O
4 U7 p+ ^; |/ `8 V% c; t# m
hchwvbk0zeq64027018528.png (161.27 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
hchwvbk0zeq64027018528.png
2024-9-12 13:30 上傳
9 I9 ]. X9 z, W6 P, l$ J
圖7顯示了不規(guī)則結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部,其中xz平面可視化經(jīng)過縮放以強(qiáng)調(diào)結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。4 g% k" l1 x2 c! A; U/ h) b' L$ g y
+ u; [4 @* Y$ ^$ Z( h! j
結(jié)構(gòu)參數(shù):
! b9 t2 M2 C4 M' `' n9 c. |周期:0.35 μm高度:1.3 μm柱介電常數(shù):4.1616基底介電常數(shù):2.12074入射介質(zhì)介電常數(shù):2.12074出射介質(zhì)介電常數(shù):1.05 G- P2 y q+ U
2 f1 `4 ~. h7 A! x3 d6 b9 {
! C; Y: V2 Y: t, _# f+ Q. w" q9 F* f
fr42dmgrzza64027018629.png (140.65 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
fr42dmgrzza64027018629.png
2024-9-12 13:30 上傳
# S+ m5 a: v& L5 _! \圖8顯示了由長方體和圓柱組成的雙層結(jié)構(gòu)的xy、xz和yz平面介電常數(shù)實(shí)部。
# A" h2 L8 d9 C) g& r1 M# g& J; ]! ?9 D/ q: m9 t- c( g9 W2 @
結(jié)構(gòu)參數(shù):
3 V; ]1 j7 V1 H4 K/ g周期:0.4 μm高度h1:0.5 μm高度h2:0.04 μm長度L:0.2 μm寬度w:0.05 μm柱介電常數(shù):-14.8406 + 1.65i(銅)基底介電常數(shù):2.12001(玻璃)入射介質(zhì)介電常數(shù):1.0(空氣)出射介質(zhì)介電常數(shù):2.12001(玻璃)9 }3 b4 @, R' h
結(jié)論0 P" @; k" h$ j% B9 g/ P8 i
pMaxwell RCWA 的新增可視化功能和折射率監(jiān)視器為分析和可視化復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu)提供了強(qiáng)大的工具。通過利用這些特性,研究人員和工程師可以對仿真結(jié)果有更深入的理解,從而更有效地設(shè)計(jì)和優(yōu)化光學(xué)器件。輕松可視化一維和二維數(shù)據(jù)的能力,以及檢查不同平面上介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的功能,提升了pMaxwell RCWA軟件的整體功能和用戶體驗(yàn)。這些新功能將幫助用戶更好地理解和分析復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng),為光電子技術(shù)、硅基光電子和光電共封裝等領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支持。
* ^6 h1 t; e7 O9 K! E2 ^( d5 Z) N3 b7 }' h* G+ h' R
- END -
1 m8 ^6 s! ~" L. s7 O. H
& Z; h7 X' y' i/ s5 K4 g5 v: o軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。" [0 d: ]1 _/ |, @# l( I
點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請
. p ]6 ~, `' p0 J& X
8 R# S2 H6 t0 ?6 L+ Y1 S6 T, o歡迎轉(zhuǎn)載2 q: |' \% }, U) H- `4 i& G
5 m# I4 t9 W# y$ Y3 C9 g
轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!5 T4 v2 X5 f9 v0 y/ S7 x. \
: e9 F9 C7 g8 p7 J X* p, j' ?2 l" j0 U' W/ N( A5 P6 Z" O
+ Q4 N+ ]8 O0 V4 ^6 q
mctqhucgv3y64027018729.gif (16.04 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
mctqhucgv3y64027018729.gif
2024-9-12 13:30 上傳
& n$ T9 b1 m. G$ O$ r
! N9 i: A; m8 z3 `) _關(guān)注我們2 X$ M' ]+ u4 `; U* E$ ^8 W& P, ]: o
1 L0 N! @" ^- j; M6 w+ T& b9 F- G) G3 y; }
4u5kq0sutfu64027018829.png (31.33 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
4u5kq0sutfu64027018829.png
2024-9-12 13:30 上傳
2 ^) v. W& G) W
| 5 a9 t" h( b# \7 [1 J
tkhnopffyg364027018929.png (82.79 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
tkhnopffyg364027018929.png
2024-9-12 13:30 上傳
/ m; S, U5 K8 R7 T |
: u, ~5 g8 f' Q0 C- T( B! S
eqbil5gotgb64027019029.png (21.52 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
eqbil5gotgb64027019029.png
2024-9-12 13:30 上傳
2 r. |1 W, _' q
|
: s3 W/ y7 v: r3 q9 o; _0 ~% i' f8 u+ d) ~) s7 [
2 V' {- V' S; n4 @$ E4 r
6 c; V9 a ~. Y/ |6 h關(guān)于我們:' [+ Q0 ~& @. n+ o j
深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。; N9 X; ~; W1 \- N; y2 }
' v) @, S8 n" ~ @9 ]9 l- ehttp://www.latitudeda.com/5 h1 b2 R& O) l6 b7 M+ _
(點(diǎn)擊上方名片關(guān)注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內(nèi)容) |
|