防反接電路、防倒灌電路、過流保護(hù)電路

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防反接電路
常見的措施：
- N2 h) \4 u" `5 y8 X# C  z1.通過機(jī)械結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì) 讓接線端子 正確接入時(shí)能匹配上，不正確時(shí) 匹配不上
$ t% e( F) \' }6 Y" l! y9 p$ \2.通過線的顏色做區(qū)分
3.通過電路的設(shè)計(jì)

% u; H3 H3 h, q3 T; P& p8 B防反接電路匯總：
0 W1 T$ _1 m3 A典型電路類型：
1.二極管防反接（不常用）
二極管有 0.7的導(dǎo)通壓降 如果有大電流經(jīng)過的時(shí)候就會發(fā)熱 功率比較高。（一般選用 肖特基二極管導(dǎo)通壓降比較低  也要考慮反向電壓）


: C2 v1 |  ^, e: `' m; S. W% U4 n
, G; ]- R8 H. z# i2.保險(xiǎn)絲和二極管（穩(wěn)壓二極管）防反接
二極管并聯(lián)到電路中。二極管要考慮導(dǎo)通電流和反向耐壓等參數(shù)

  C, f4 h/ B; M& S8 C
3.橋式整流電路看好電路圖的 電源和負(fù)載的兩端接哪


- C0 p+ f- k3 g4 B0 B



* n; A9 G0 k( x. t4.MOS管防反接（用得比較多的一種）PMOS：
: d; F4 ?0 f# q. i) n在 PMOS 管防反接電路中，柵極那邊的兩個電阻主要起到限流和保護(hù)的作用。

這些電阻的阻值通常根據(jù)具體的電路設(shè)計(jì)要求來選擇，一般需要根據(jù) PMOS 管的特性和工作電壓來確定。
旁邊的二極管是一個穩(wěn)壓保護(hù)二極管 為了保護(hù)GS之間的電壓不會過高從而損壞二極管
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在電路分析中 pmos導(dǎo)通和體二極管無關(guān)。mos的源漏是相對的。對pmos，電壓高的是s，低的是d。正常上電時(shí)，3腳電壓高，所以這時(shí)3腳是s，g比s低，所以管子導(dǎo)通（圖中的D S應(yīng)該反過來）。

1 U- Q, f- A, j# M
% o9 y- C3 a% }/ I9 x
NMOS：
; p, q' v& u% sNMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS導(dǎo)通 形成回路
8 a  e% B/ l4 f- z( V3 @6 j4 o                 反接  Vg=0   Vs=5V  所以DS不導(dǎo)通  形成不了回路

0 d. s  Z: w  w2 Z0 ~




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$ f8 q- ]" Y; L9 @% o, o
  g1 \) U" }2 X5 N& B9 z防倒灌電路
什么是倒灌？
1.開關(guān)電源給負(fù)載供電， 如果負(fù)載是電池或者其他感性負(fù)載（比如像 電機(jī) 有線圈 當(dāng)電源突然斷掉時(shí) 會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢）時(shí)， 當(dāng)220V斷掉的時(shí)候，可能會出現(xiàn) 電池反向給開關(guān)電源 的 輸出端 供電，導(dǎo)致開關(guān)電源的一些莫名損壞。
- @3 S& q* t8 Y! \2.系統(tǒng)在不同的 輸出電壓 之間 切換時(shí)，會存在高壓電壓倒灌到低壓電壓源中。關(guān)注@電路一點(diǎn)通
7 g. i5 k# s- c, |) ^例如：系統(tǒng) 有兩個電源供電 比如 一個電池 一個 充電器 充電器的電壓一般會高于電池 如果沒有防倒灌的電路 可能充電器的電壓會直接倒灌給電池 造成電池的損壞。

0 x  d! i  w7 u' L; ~. X8 k! o, @9 }
& N8 _' u5 ]! q1.二極管串聯(lián)防倒灌電路：
2 ~8 i+ `9 A" l; L 該電路  二極管選型要 選取電源 額定輸出電流的（5-10）倍 并且可以加 散熱片。

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7 u5 U' y6 V" `8 b5 u+ X$ T( ?2.雙MOS組成的防倒灌電路
- c3 G; r4 g8 `6 P9 O: B: M電路分析：
正常情況下（無電流倒灌）  ON/OFF接口可以進(jìn)行IO口控制也可以直接通過VIN控制，
' j0 m8 X+ _& L$ j/ f所以這次就以 VIN的有無 來控制  VIN輸入電壓到三極管，三極管導(dǎo)通（基極電壓大于發(fā)射極），由于三極管下連的是地，所以 PMOS管的柵極電壓為0， Vgs=-Vin 所以導(dǎo)通 所以 兩個PMOS管導(dǎo)通。
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當(dāng)輸入電壓突然沒有的時(shí)候， Vin沒有 所以 三極管Vb=0  Vbe
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% W  N$ p8 W$ t3.雙MOS組成電源自動切換電路（前提 VCC>電池電壓）
Bat Charge 為電池電壓
VCC為系統(tǒng)電壓
; Y7 [# \3 }( P$ m當(dāng)只用電池電壓供電時(shí)：
6 I6 x  C- `( n. }& K( O9 DMOS管Q9 柵極g為0V  源極S Vs=V電池 Vgs=-V電池 PMOS導(dǎo)通 Q9導(dǎo)通了 Q10也導(dǎo)通了 ，然后給到 單片機(jī)VCC_mcu。
& M9 m7 M# _! @只有VCC時(shí)：
# Y  G# h1 X# t通過LDO Vout 通過二極管給到MCU進(jìn)行供電   Q9和Q10的G都是Vout的電壓 所以不導(dǎo)通。VCC_MCU=Vout-二極管的壓降關(guān)注@電路一點(diǎn)通
5 R3 v( b, W, ]. {5 {; ^當(dāng)VCC和電池同時(shí)供電時(shí)：
: [# E0 |& q/ r4 P0 I5 d( R% pQ9柵極電壓為VCC  對于MOS管 Vgs=Vout-V電池  所以MOS管不導(dǎo)通， Q10 g極 Vg=Vout  Vs=Vout-V二極管   Vgs>0 所以也截止 。

4.雙三極管鏡像電路防倒灌
& g$ R) b$ [! r# b, x  A0 S* r6 J6 L* S5 UVin 經(jīng)過三極管 由于是PNP三極管  Vb連接地=0V Ve=Vin 所以三極管Q6導(dǎo)通  導(dǎo)通之后就會有管壓降 所以 Vb的電壓=Vin-0.6V   Q7 Ve=Vout-0.6V 需要滿足 Ve>Vb 三極管Q7才會導(dǎo)通 但Vout會大于Vin  所以會是截止的。
正常工作時(shí) Q5 Q6導(dǎo)通 Q7不導(dǎo)通 ， 當(dāng)出現(xiàn)倒灌時(shí) Q5 Q6不導(dǎo)通 Q7導(dǎo)通  
4 N0 Q/ ^! v: u* D- F
過流保護(hù)
+ O9 @3 f/ X+ M% X. [2 ~3 h: q4 sESP：靜電放電(一般在芯片內(nèi)部電路)
ESD相關(guān)概念及模型
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0 L3 f* }' r! o/ V人體放電：人體帶的電荷  然后觸碰芯片管腳， 芯片其他管腳正好有個接了地 產(chǎn)生電流 損壞芯片
機(jī)器放電模式：機(jī)器觸碰芯片的時(shí)候，  帶電金屬體 觸碰芯片
. S& Y% c% Z7 L* q* D8 s% b8 L( B元件充電：芯片可能在搬運(yùn)啥的過程中  本身 被充電了 當(dāng)夾具夾住的時(shí)候可能就通過夾具釋放出來了
+ E2 j8 t% U% ~) X; [0 r

ESD保護(hù)概念
在芯片內(nèi)部 提供ESD的電流路徑 以免ESD放電的時(shí)候 靜電電流流入芯片內(nèi)部對芯片造成傷害 從而保護(hù)電路
2 @0 B! N, i% s- [5 k% {下圖 PAD可以當(dāng)做芯片引腳 如果沒加保護(hù)電路， 以人體放電為例，手碰到了 PAD1 PAD2接地 電流直接沿著紫色虛線的方向走從PAD1到PAD2，直接燒毀芯片。
藍(lán)色的這些都是ESD保護(hù) 這些電路能在發(fā)生ESD的時(shí)候 能瞬間導(dǎo)通 把電流引導(dǎo)出去 且是可逆的 不會被靜電所損傷
* U- R, p" t9 Q  i2 r7 c) s
, g. g  k( m. ^; J1 K

ESD保護(hù)示例
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/ I' z) a5 I3 j9 R8 C利用二極管（齊納二極管）的正向?qū)�通和反向擊穿特性可�?shí)現(xiàn)最基礎(chǔ)的ESD保護(hù)電路
如果來了ESD PAD1和PAD3形成回路

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