防反接電路、防倒灌電路、過流保護電路

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2 M% q1 L5 {' `+ _9 A: c$ w2 i. i防反接電路
! |% V2 x( `/ {& V常見的措施：
1.通過機械結(jié)構(gòu)的設(shè)計 讓接線端子 正確接入時能匹配上，不正確時 匹配不上
8 k; S1 O6 C4 T$ ?  g9 j2.通過線的顏色做區(qū)分
& f# n& O/ O, `2 ^& X9 i3.通過電路的設(shè)計

防反接電路匯總：
典型電路類型：
1.二極管防反接（不常用）
二極管有 0.7的導(dǎo)通壓降 如果有大電流經(jīng)過的時候就會發(fā)熱 功率比較高。（一般選用 肖特基二極管導(dǎo)通壓降比較低  也要考慮反向電壓）



2.保險絲和二極管（穩(wěn)壓二極管）防反接
" I$ j0 K: G' z& ~& x$ r. F二極管并聯(lián)到電路中。二極管要考慮導(dǎo)通電流和反向耐壓等參數(shù)
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& |7 {! C! }, H' y7 J3.橋式整流電路看好電路圖的 電源和負(fù)載的兩端接哪

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4.MOS管防反接（用得比較多的一種）PMOS：
在 PMOS 管防反接電路中，柵極那邊的兩個電阻主要起到限流和保護的作用。
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  `% U( Y4 o/ {+ q這些電阻的阻值通常根據(jù)具體的電路設(shè)計要求來選擇，一般需要根據(jù) PMOS 管的特性和工作電壓來確定。
& j* `* ^0 L/ w7 ^" S9 h; ~旁邊的二極管是一個穩(wěn)壓保護二極管 為了保護GS之間的電壓不會過高從而損壞二極管
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5 a0 q) o2 L+ S$ R 在電路分析中 pmos導(dǎo)通和體二極管無關(guān)。mos的源漏是相對的。對pmos，電壓高的是s，低的是d。正常上電時，3腳電壓高，所以這時3腳是s，g比s低，所以管子導(dǎo)通（圖中的D S應(yīng)該反過來）。



NMOS：
NMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS導(dǎo)通 形成回路
                 反接  Vg=0   Vs=5V  所以DS不導(dǎo)通  形成不了回路

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7 n& l% P3 S! h: ^! o6 {; [防倒灌電路
. A& C. `! L; g% q. t什么是倒灌？
  l0 D" q$ s- }( L8 P, f) l2 X2 Z+ ^1.開關(guān)電源給負(fù)載供電， 如果負(fù)載是電池或者其他感性負(fù)載（比如像 電機 有線圈 當(dāng)電源突然斷掉時 會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢）時， 當(dāng)220V斷掉的時候，可能會出現(xiàn) 電池反向給開關(guān)電源 的 輸出端 供電，導(dǎo)致開關(guān)電源的一些莫名損壞。
5 Q0 \0 ?8 E; p3 x2.系統(tǒng)在不同的 輸出電壓 之間 切換時，會存在高壓電壓倒灌到低壓電壓源中。關(guān)注@電路一點通
, t' Y) S, k# a6 v; K例如：系統(tǒng) 有兩個電源供電 比如 一個電池 一個 充電器 充電器的電壓一般會高于電池 如果沒有防倒灌的電路 可能充電器的電壓會直接倒灌給電池 造成電池的損壞。

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1.二極管串聯(lián)防倒灌電路：
! Y3 ?* o$ T9 _3 |$ `7 p" n7 Z7 M" b 該電路  二極管選型要 選取電源 額定輸出電流的（5-10）倍 并且可以加 散熱片。

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2 Y% g" a4 |0 J' ?( |3 n2.雙MOS組成的防倒灌電路
電路分析：
正常情況下（無電流倒灌）  ON/OFF接口可以進行IO口控制也可以直接通過VIN控制，
所以這次就以 VIN的有無 來控制  VIN輸入電壓到三極管，三極管導(dǎo)通（基極電壓大于發(fā)射極），由于三極管下連的是地，所以 PMOS管的柵極電壓為0， Vgs=-Vin 所以導(dǎo)通 所以 兩個PMOS管導(dǎo)通。

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* _9 Q, U$ Y$ Y& t當(dāng)輸入電壓突然沒有的時候， Vin沒有 所以 三極管Vb=0  Vbe

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3.雙MOS組成電源自動切換電路（前提 VCC>電池電壓）
0 i* u5 f! f/ OBat Charge 為電池電壓
7 {" `) i  p" ?5 `* r" w/ aVCC為系統(tǒng)電壓
0 Z. P$ ~6 T5 ^7 B4 L6 e' y當(dāng)只用電池電壓供電時：
% P. ?" H3 W: T) O  H2 QMOS管Q9 柵極g為0V  源極S Vs=V電池 Vgs=-V電池 PMOS導(dǎo)通 Q9導(dǎo)通了 Q10也導(dǎo)通了 ，然后給到 單片機VCC_mcu。
只有VCC時：
+ J7 M8 B2 K* s* @) `# s通過LDO Vout 通過二極管給到MCU進行供電   Q9和Q10的G都是Vout的電壓 所以不導(dǎo)通。VCC_MCU=Vout-二極管的壓降關(guān)注@電路一點通
( z. l, `5 X( v5 G當(dāng)VCC和電池同時供電時：
5 n$ l# [+ T. X% j) [, e# FQ9柵極電壓為VCC  對于MOS管 Vgs=Vout-V電池  所以MOS管不導(dǎo)通， Q10 g極 Vg=Vout  Vs=Vout-V二極管   Vgs>0 所以也截止 。
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: [& t2 s* O  p5 [' [0 o) f5 V4.雙三極管鏡像電路防倒灌
) W7 t4 K7 ?/ y; X: L. D1 M2 j; @8 [Vin 經(jīng)過三極管 由于是PNP三極管  Vb連接地=0V Ve=Vin 所以三極管Q6導(dǎo)通  導(dǎo)通之后就會有管壓降 所以 Vb的電壓=Vin-0.6V   Q7 Ve=Vout-0.6V 需要滿足 Ve>Vb 三極管Q7才會導(dǎo)通 但Vout會大于Vin  所以會是截止的。
6 `7 I* T6 e! |正常工作時 Q5 Q6導(dǎo)通 Q7不導(dǎo)通 ， 當(dāng)出現(xiàn)倒灌時 Q5 Q6不導(dǎo)通 Q7導(dǎo)通  

過流保護
ESP：靜電放電(一般在芯片內(nèi)部電路)
ESD相關(guān)概念及模型
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人體放電：人體帶的電荷  然后觸碰芯片管腳， 芯片其他管腳正好有個接了地 產(chǎn)生電流 損壞芯片
" f* J! O* s6 X& v* I- }6 K機器放電模式：機器觸碰芯片的時候，  帶電金屬體 觸碰芯片
2 E7 W1 i& v, }6 `元件充電：芯片可能在搬運啥的過程中  本身 被充電了 當(dāng)夾具夾住的時候可能就通過夾具釋放出來了

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ESD保護概念
在芯片內(nèi)部 提供ESD的電流路徑 以免ESD放電的時候 靜電電流流入芯片內(nèi)部對芯片造成傷害 從而保護電路
- K3 V* ]" g- ^- I  f$ X! {% o下圖 PAD可以當(dāng)做芯片引腳 如果沒加保護電路， 以人體放電為例，手碰到了 PAD1 PAD2接地 電流直接沿著紫色虛線的方向走從PAD1到PAD2，直接燒毀芯片。
藍(lán)色的這些都是ESD保護 這些電路能在發(fā)生ESD的時候 能瞬間導(dǎo)通 把電流引導(dǎo)出去 且是可逆的 不會被靜電所損傷
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" {, p7 E4 @% O( U. KESD保護示例
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利用二極管（齊納二極管）的正向?qū)�通和反向擊穿特性可實現(xiàn)最基礎(chǔ)的ESD保護電路
如果來了ESD PAD1和PAD3形成回路
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