|
|
作者：一博科技; E5 L9 R6 m2 M" b# C z
& \* w, Q8 t7 Q
前面高速先生團(tuán)隊(duì)已經(jīng)講解過眾多的DDR3理論和仿真知識(shí)，下面就開始談?wù)勎覀僉ATOUT攻城獅對(duì)DDR3設(shè)計(jì)那些事情了，那么布局自然是首當(dāng)其沖了。
* j) r' s" _3 V$ Z- _7 o* G" M$ h
對(duì)于DDR3的布局我們首先需要確認(rèn)芯片是否支持FLY-BY走線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，來確定我們是使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還是FLY-BY拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).。0 {' ]: i* R- c7 q8 t
5 k7 m( u1 t' |1 S+ T
常規(guī)我們DDR3的布局滿足以下基本設(shè)計(jì)要求即可：
. U9 q) ?1 H0 q9 e& s+ A
/ h5 X R- @& l. k1.考慮BGA可維修性：BGA周邊器件5MM禁布，最小3MM。
/ [6 S9 {0 b8 S$ N9 Q% F2.DFM 可靠性：按照相關(guān)的工藝要求，布局時(shí)器件與器件間滿足DFM的間距要求；且考慮元件擺放的美觀性。
# v' R' s! H8 i' T: r3 D) b3.絕對(duì)等長(zhǎng)是否滿足要求，相對(duì)長(zhǎng)度是否容易實(shí)現(xiàn)：布局時(shí)需要確認(rèn)長(zhǎng)度限制，及時(shí)序要求，留有足夠的繞等長(zhǎng)空間。- t; g( E! f0 S5 Q/ V
4.濾波電容、上拉電阻的位置等：濾波電容靠近各個(gè)PIN放置，儲(chǔ)能電容均勻放置在芯片周邊（在電源平面路徑上）；上拉電阻按要求放置(布線長(zhǎng)度小于500mil）。 - i4 ^7 {1 k& T% P# n; Y
注意：如有提供DEMO板或是芯片手冊(cè)，請(qǐng)按照DEMO板或是芯片手冊(cè)的要求來做。 J! j% X) N; ?! F/ h% G
# b, z/ L' w, m/ ~% @% Y1.濾波電容的布局要求 4 m7 m' i9 V7 ?) K/ e1 _
# j/ b% f* ?* T. F: U
電源設(shè)計(jì)是pcb設(shè)計(jì)的核心部分，電源是否穩(wěn)定，紋波是否達(dá)到要求，都關(guān)系到CPU系統(tǒng)是否能正常工作。濾波電容的布局是電源的重要部分，遵循以下原則： 3 ^: @% M. t. A f
( d! ~3 D4 [+ ?( c
CPU端和DDR3顆粒端，每個(gè)引腳對(duì)應(yīng)一個(gè)濾波電容，濾波電容盡可能靠近引腳放置。 k' ~- U1 N# z. [
線短而粗，回路盡量短；CPU和顆粒周邊均勻擺放一些儲(chǔ)能電容，DDR3顆粒每片至少有一個(gè)儲(chǔ)能電容。
& v' q+ F6 B% |: k |$ P; Y& [8 Y) t: G( f& U7 N
* N8 v6 K- P- N @- y 圖1：VDD電容的布局（DDR顆粒單面放）
; ^' ^# O8 Z+ X% K5 e2 k u2 d) \/ J7 \; P4 p
如圖2所示：VDD電容的布局（DDR顆粒正反貼） $ i& W9 F3 v0 S# `( J
DDR 正反貼的情況，電容離BGA 1MM，就近打孔；如可以跟PIN就近連接就連接在一起。
; O) ], v, B/ T5 d |0 j
. B! o4 U; M% z' F1 M" v" w' C2.VREF電路布局 ' A4 @- L" f* o, k
在DDR3中，VREF分成兩部分： 4 F) N6 ]* I3 [& X( R
9 t) W) M6 Q# K) }1 C
一個(gè)是為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA；另一個(gè)是為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ。
! Z7 `* o( {2 n, p' H1 l在布局時(shí)，VREFCA、VREFDQ的濾波電容及分壓電阻要分別靠近芯片的電源引腳，如圖3所示。
2 G9 P+ g5 `$ [ t: O: U
) I- o9 e( I+ P' `' ~% u; e) T/ F
圖3：VREF電路布局 1 S1 K% |$ ~9 ?# u5 t
: K7 B7 ?5 E! b/ U" f! p0 u3.匹配電阻的布局9 T6 r$ r4 ~1 |7 }$ D8 U
# G1 ]4 c2 N5 C9 V$ n
為了提高信號(hào)質(zhì)量，地址、控制信號(hào)一般要求在源端或終端增加匹配電阻；數(shù)據(jù)可以通過調(diào)節(jié)ODT 來實(shí)現(xiàn)，所以一般建議不用加電阻。
) P# ~( m% Q$ R" Y! ~
8 C( j" H- P; {9 \布局時(shí)要注意電阻的擺放，到電阻端的走線長(zhǎng)度對(duì)信號(hào)質(zhì)量有影響。
3 q0 k$ \$ [1 N+ s) {7 J6 X% }" h: y1 ^ N& }! e9 l, D# b
布局原則如下：$ V( n4 }/ }2 T, D* F% B3 Q& u
$ A% m! L# W& k. P) i+ N8 X0 \& |對(duì)于源端匹配電阻靠近CPU（驅(qū)動(dòng)）放，而對(duì)于并聯(lián)端接則靠近負(fù)載端（FLy-BY靠近最后一個(gè)DDR3顆粒的位置放置而T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）( l* e) Z: |0 L
% g! [1 [: {* V4 H' w: U
下圖是源端匹配電阻布局示意圖；
: K8 B+ f0 H( D5 q: v9 Q0 x- j$ M1 `* K
; c% H2 x4 l% ?3 J7 r
圖4：源端匹配電阻
3 ~$ r6 C# F. Z
& D: C9 Q* T8 H7 B9 d: y9 w圖4：并聯(lián)端接 * V- n' @/ v; h: S6 T7 p
& e7 k* W! p3 p而對(duì)于終端VTT上拉電阻要放置在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的末端，即靠近最后一個(gè)DDR3顆粒的位置放置（T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）；注意VTT上拉電阻到DDR3顆粒的走線越短越好；走線長(zhǎng)度小于500mil；每個(gè)VTT上拉電阻對(duì)應(yīng)放置一個(gè)VTT的濾波電容（最多兩個(gè)電阻共用一個(gè)電容）；VTT電源一般直接在元件面同層鋪銅來完成連接，所以放置濾波電容時(shí)需要兼顧兩方面，一方面要保證有一定的電源通道，另一方面濾波電容不能離上拉電阻太遠(yuǎn)，以免影響濾波效果。 4 K/ g/ V8 S- t F" \4 Q3 `2 {
! l/ V6 C: C8 \, i& a m; T+ |4 ?
圖5：VTT濾波電容
1 q2 p1 a8 w- X* O" N* Q0 S0 }9 J: m3 I$ N* d4 x
DDR3的布局基本沒有什么難點(diǎn)，只是要注意諸多細(xì)節(jié)之處，相信大家都已經(jīng)學(xué)會(huì)。
* D! `" D1 f! L( t5 K' n0 E3 P! h/ d
4 J+ |. e: [6 Q. B
|
|
電子產(chǎn)業(yè)一站式賦能平臺(tái)
窺視卡
置頂卡
變色卡
