防反接電路、防倒灌電路、過流保護電路

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防反接電路
常見的措施：
% j; F/ @6 |7 U* [, }7 b5 A  x1.通過機械結(jié)構(gòu)的設(shè)計 讓接線端子 正確接入時能匹配上，不正確時 匹配不上
2.通過線的顏色做區(qū)分
3.通過電路的設(shè)計

防反接電路匯總：
: L: C) l1 @6 T$ V典型電路類型：
) i! d2 r& C( M, ?, v1.二極管防反接（不常用）
2 X2 N5 J% D( T5 D  Q* D' d" p二極管有 0.7的導通壓降 如果有大電流經(jīng)過的時候就會發(fā)熱 功率比較高。（一般選用 肖特基二極管導通壓降比較低  也要考慮反向電壓）



& T( A9 s/ b, W: Q. \4 l9 `2.保險絲和二極管（穩(wěn)壓二極管）防反接
二極管并聯(lián)到電路中。二極管要考慮導通電流和反向耐壓等參數(shù)
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3.橋式整流電路看好電路圖的 電源和負載的兩端接哪
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4.MOS管防反接（用得比較多的一種）PMOS：
7 n# O+ f/ }& X$ ~9 K在 PMOS 管防反接電路中，柵極那邊的兩個電阻主要起到限流和保護的作用。

3 W! f3 E" O' M( w% x, C這些電阻的阻值通常根據(jù)具體的電路設(shè)計要求來選擇，一般需要根據(jù) PMOS 管的特性和工作電壓來確定。
旁邊的二極管是一個穩(wěn)壓保護二極管 為了保護GS之間的電壓不會過高從而損壞二極管
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( v0 W+ I/ ?2 }/ l0 V( p' e9 L6 O: C- \ 在電路分析中 pmos導通和體二極管無關(guān)。mos的源漏是相對的。對pmos，電壓高的是s，低的是d。正常上電時，3腳電壓高，所以這時3腳是s，g比s低，所以管子導通（圖中的D S應該反過來）。

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( ~9 ?  G: d2 Q' V
NMOS：
NMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS導通 形成回路
                 反接  Vg=0   Vs=5V  所以DS不導通  形成不了回路
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- v2 r5 {: V9 M/ N6 a8 X. ~/ ?3 D防倒灌電路
( Q) Q6 g, s! e6 S7 y6 ^- a什么是倒灌？
1.開關(guān)電源給負載供電， 如果負載是電池或者其他感性負載（比如像 電機 有線圈 當電源突然斷掉時 會產(chǎn)生感應電動勢）時， 當220V斷掉的時候，可能會出現(xiàn) 電池反向給開關(guān)電源 的 輸出端 供電，導致開關(guān)電源的一些莫名損壞。
2.系統(tǒng)在不同的 輸出電壓 之間 切換時，會存在高壓電壓倒灌到低壓電壓源中。關(guān)注@電路一點通
例如：系統(tǒng) 有兩個電源供電 比如 一個電池 一個 充電器 充電器的電壓一般會高于電池 如果沒有防倒灌的電路 可能充電器的電壓會直接倒灌給電池 造成電池的損壞。


9 f9 ~& c0 Y/ b4 z1 Y7 g$ q1.二極管串聯(lián)防倒灌電路：
, {& O& M7 Z- g# W5 s 該電路  二極管選型要 選取電源 額定輸出電流的（5-10）倍 并且可以加 散熱片。
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, X  w1 R9 j( Y$ E3 \% m  V2.雙MOS組成的防倒灌電路
電路分析：
正常情況下（無電流倒灌）  ON/OFF接口可以進行IO口控制也可以直接通過VIN控制，
" |; C* d& m. r1 e( _9 r8 P所以這次就以 VIN的有無 來控制  VIN輸入電壓到三極管，三極管導通（基極電壓大于發(fā)射極），由于三極管下連的是地，所以 PMOS管的柵極電壓為0， Vgs=-Vin 所以導通 所以 兩個PMOS管導通。

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當輸入電壓突然沒有的時候， Vin沒有 所以 三極管Vb=0  Vbe

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( s8 X0 g( `5 k7 Z$ J3.雙MOS組成電源自動切換電路（前提 VCC>電池電壓）
Bat Charge 為電池電壓
VCC為系統(tǒng)電壓
. z6 D: Z  }0 s4 z當只用電池電壓供電時：
" K" `0 w( \7 J' y* Y, `/ t6 LMOS管Q9 柵極g為0V  源極S Vs=V電池 Vgs=-V電池 PMOS導通 Q9導通了 Q10也導通了 ，然后給到 單片機VCC_mcu。
只有VCC時：
0 O2 f+ U8 {" U% W; V2 p通過LDO Vout 通過二極管給到MCU進行供電   Q9和Q10的G都是Vout的電壓 所以不導通。VCC_MCU=Vout-二極管的壓降關(guān)注@電路一點通
當VCC和電池同時供電時：
5 V# E! K5 l: C4 e: E& y# {* r) GQ9柵極電壓為VCC  對于MOS管 Vgs=Vout-V電池  所以MOS管不導通， Q10 g極 Vg=Vout  Vs=Vout-V二極管   Vgs>0 所以也截止 。

8 @  N9 v# ~6 d. [( D" Z4.雙三極管鏡像電路防倒灌
Vin 經(jīng)過三極管 由于是PNP三極管  Vb連接地=0V Ve=Vin 所以三極管Q6導通  導通之后就會有管壓降 所以 Vb的電壓=Vin-0.6V   Q7 Ve=Vout-0.6V 需要滿足 Ve>Vb 三極管Q7才會導通 但Vout會大于Vin  所以會是截止的。
正常工作時 Q5 Q6導通 Q7不導通 ， 當出現(xiàn)倒灌時 Q5 Q6不導通 Q7導通  

過流保護
ESP：靜電放電(一般在芯片內(nèi)部電路)
ESD相關(guān)概念及模型
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9 C8 _5 S- U: p5 O) R人體放電：人體帶的電荷  然后觸碰芯片管腳， 芯片其他管腳正好有個接了地 產(chǎn)生電流 損壞芯片
3 a; Z/ [* ?  N7 o- d機器放電模式：機器觸碰芯片的時候，  帶電金屬體 觸碰芯片
元件充電：芯片可能在搬運啥的過程中  本身 被充電了 當夾具夾住的時候可能就通過夾具釋放出來了
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ESD保護概念
在芯片內(nèi)部 提供ESD的電流路徑 以免ESD放電的時候 靜電電流流入芯片內(nèi)部對芯片造成傷害 從而保護電路
下圖 PAD可以當做芯片引腳 如果沒加保護電路， 以人體放電為例，手碰到了 PAD1 PAD2接地 電流直接沿著紫色虛線的方向走從PAD1到PAD2，直接燒毀芯片。
藍色的這些都是ESD保護 這些電路能在發(fā)生ESD的時候 能瞬間導通 把電流引導出去 且是可逆的 不會被靜電所損傷
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ESD保護示例

% a- y9 e' D! m& R* Y5 j利用二極管（齊納二極管）的正向?qū)�通和反向擊穿特性可實現(xiàn)最基礎(chǔ)的ESD保護電路
0 Q8 e2 v' }( O如果來了ESD PAD1和PAD3形成回路
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