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引言/ {, T9 a3 T) @2 X3 V, m& k
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代科技的基石,為智能手機(jī)到先進(jìn)人工智能系統(tǒng)等各類(lèi)設(shè)備提供動(dòng)力。近年來(lái),美國(guó)通過(guò)通貨膨脹削減法案和芯片與科學(xué)法案等舉措,大力推動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造能力的提升。然而,盡管有政府的大力支持,許多重大半導(dǎo)體項(xiàng)目卻遭遇了意外延遲。本文將探討美國(guó)半導(dǎo)體制造的現(xiàn)狀,重點(diǎn)關(guān)注行業(yè)主要參與者面臨的挑戰(zhàn)。
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( M! O" W4 e+ J( x美國(guó)半導(dǎo)體制造的前景與挑戰(zhàn)
% D, V; J: ]! c美國(guó)政府承諾提供超過(guò)4000億美元的稅收優(yōu)惠、貸款和補(bǔ)貼,以振興本地清潔能源技術(shù)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。這項(xiàng)巨額投資旨在減少對(duì)外國(guó)芯片制造商的依賴(lài),加強(qiáng)國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈。但實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的道路并不平坦。
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, Y8 x) w7 w7 F2 B0 x截至2024年8月,與這些法案相關(guān)的重大項(xiàng)目有114個(gè),總投資價(jià)值達(dá)2279億美元。不幸的是,約840億美元的項(xiàng)目遇到了從兩個(gè)月到數(shù)年不等的延遲,有些甚至無(wú)限期推遲。這些延遲影響了幾個(gè)備受關(guān)注的半導(dǎo)體項(xiàng)目,引發(fā)了人們對(duì)政府戰(zhàn)略有效性的擔(dān)憂。
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圖1:《芯片與科學(xué)法案》簽署儀式
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7 J/ w# o/ C: U0 a! j案例研究:面臨延遲的主要參與者
1 C3 P) c1 B' ~. ~$ h1. 臺(tái)積電的亞利桑那州工廠
5 C' R& O. g$ R2 B臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(臺(tái)積電),全球最大的合約芯片制造商,宣布計(jì)劃在亞利桑那州建造三座晶圓廠,總投資650億美元。然而,該項(xiàng)目面臨重大挑戰(zhàn):, k* t/ ]- z$ ~ \) d; T, a) F
初始計(jì)劃:2021年開(kāi)始建設(shè),2024年開(kāi)始生產(chǎn)。當(dāng)前狀態(tài):第一座晶圓廠的生產(chǎn)開(kāi)始時(shí)間推遲到2025年上半年,第二座晶圓廠的生產(chǎn)推遲到2028年。挑戰(zhàn):文化差異和與英特爾爭(zhēng)奪勞動(dòng)力資源是導(dǎo)致延遲的因素。技術(shù):第一座晶圓廠將使用4納米制程技術(shù),第二座使用2納米,第三座(計(jì)劃于2030年代后期)將使用2納米或更先進(jìn)的制程。( k" ~( J+ U ]: B
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$ Q+ \% L- V' \2 c. X圖2:臺(tái)積電亞利桑那州工廠建設(shè)
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' q1 h! R$ L) V q# w R2. 英特爾的俄亥俄州項(xiàng)目4 q8 }( U, B* T! A2 Y
英特爾,美國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,計(jì)劃在五年內(nèi)投資1000億美元用于在多個(gè)州建設(shè)新晶圓廠和擴(kuò)建現(xiàn)有設(shè)施。然而,俄亥俄州項(xiàng)目遇到了障礙:# ^9 ?9 K, V4 x# L( R
初始計(jì)劃:在俄亥俄州建造兩座新的先進(jìn)晶圓廠,2025年開(kāi)始芯片制造。當(dāng)前狀態(tài):Fab1和Fab2的完工時(shí)間推遲到2026-2027年,預(yù)計(jì)2027-2028年左右開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。延遲原因:市場(chǎng)低迷和美國(guó)補(bǔ)貼延遲。( ]' O- @8 ~ B8 ]% N1 r3 q
: z+ W/ N. N3 J6 e# \; ]英特爾還調(diào)整了歐洲項(xiàng)目,包括推遲德國(guó)晶圓廠的啟動(dòng)日期,暫停在法國(guó)和意大利的投資。# y5 L$ k+ M# }0 ~0 [# f$ M- d6 k
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[! c J' D+ }% o8 M3 Z) k圖3:英特爾俄亥俄州項(xiàng)目% o$ h/ w1 I1 Q! U* x
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3. 三星的泰勒晶圓廠項(xiàng)目8 i7 k4 O1 Q( Q$ t
三星計(jì)劃在德克薩斯州泰勒建設(shè)半導(dǎo)體集群,包括兩座先進(jìn)邏輯晶圓廠和一座先進(jìn)封裝設(shè)施。該項(xiàng)目也遇到了延遲:3 u: y$ s {6 D' T3 I+ l
初始計(jì)劃:第一座晶圓廠原計(jì)劃2024年開(kāi)始生產(chǎn),具備4納米制程能力。當(dāng)前狀態(tài):運(yùn)營(yíng)可能要到2026年才能開(kāi)始。可能的升級(jí):三星正考慮將設(shè)施的制程技術(shù)從4納米升級(jí)到2納米,以提高競(jìng)爭(zhēng)力。) x) L! \5 D& q, J$ E: Y, O7 a( N
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圖4:三星泰勒晶圓廠建設(shè)# J$ Z9 o g: Y6 f a; _3 f
9 a% b6 P8 N9 l( A7 X( q/ r導(dǎo)致延遲的因素7 T+ t9 ]5 n1 v* }1 E6 q2 O
造成美國(guó)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目廣泛延遲的因素有幾個(gè):0 i2 A/ s" L1 K5 F
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1.市場(chǎng)條件:半導(dǎo)體行業(yè)具有周期性,目前的市場(chǎng)低迷使公司對(duì)大規(guī)模投資更加謹(jǐn)慎。
U4 U! b* `: j: m2.需求放緩:隨著疫情后電子產(chǎn)品需求激增的勢(shì)頭減弱,芯片制造商正在重新評(píng)估產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。" X! Y& ~% u3 [' P8 |1 U
3.政策不確定性:政府補(bǔ)貼發(fā)放的延遲使公司陷入困境,無(wú)法按原定時(shí)間表推進(jìn)。* [$ q( z+ _5 T9 d4 W
4.技術(shù)挑戰(zhàn):隨著芯片制造工藝推進(jìn)到3納米和2納米,建造新晶圓廠的復(fù)雜性和成本顯著增加。$ t* @8 K! |9 G
5.勞動(dòng)力問(wèn)題:爭(zhēng)奪熟練工人和文化差異構(gòu)成了挑戰(zhàn),特別是對(duì)在美國(guó)運(yùn)營(yíng)的外國(guó)公司而言。
5 R4 {8 f0 E9 A, s: ^6 ` h6.供應(yīng)鏈中斷:持續(xù)的全球供應(yīng)鏈問(wèn)題影響了晶圓廠建設(shè)所需的關(guān)鍵設(shè)備和材料的及時(shí)交付。
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7 T9 q6 {1 `% C! P& F對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的影響
7 E) x6 y3 C% A這些重大項(xiàng)目的延遲對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了幾個(gè)方面的影響:% C6 t9 z2 R' v& k" Y
& n' g& R/ |: Z: ]2 v5 a1.競(jìng)爭(zhēng)地位:延遲可能會(huì)擴(kuò)大美國(guó)制造能力與臺(tái)積電等全球領(lǐng)導(dǎo)者之間的差距。
/ j: M: Z$ u/ c* S/ c* e2.經(jīng)濟(jì)影響:項(xiàng)目推遲意味著當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)的就業(yè)創(chuàng)造和經(jīng)濟(jì)效益也將延后。
1 R+ k" I4 z' N( `4 N3.供應(yīng)鏈脆弱性:對(duì)外國(guó)芯片制造的依賴(lài)可能會(huì)持續(xù)比預(yù)期更長(zhǎng)的時(shí)間。
0 y& A* p8 k) l+ L7 q9 o* v6 k" ]% v4.政策有效性:這些挫折引發(fā)了人們對(duì)當(dāng)前政府激勵(lì)措施和政策有效性的質(zhì)疑。* H- H; E5 y/ k# u$ H
5.技術(shù)領(lǐng)先地位:先進(jìn)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)的延遲可能影響美國(guó)在尖端半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的地位。
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! B5 O7 @7 c. Q! w( T" H z# y結(jié)論2 y* R% @2 a+ }( ?, l/ l; W
美國(guó)半導(dǎo)體制造格局目前處于變動(dòng)狀態(tài)。雄心勃勃的計(jì)劃和大量政府支持為美國(guó)國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)的潛在復(fù)興奠定了基礎(chǔ),但該行業(yè)面臨重大挑戰(zhàn)。臺(tái)積電、英特爾和三星等主要參與者經(jīng)歷的延遲凸顯了經(jīng)濟(jì)、技術(shù)和政策因素在塑造行業(yè)未來(lái)方面的復(fù)雜相互作用。
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4 ?5 Z+ M' B8 _" f隨著局勢(shì)繼續(xù)發(fā)展,政策制定者、行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者和利益相關(guān)者密切合作以應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)將變得極為重要。調(diào)整策略以適應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)條件,簡(jiǎn)化補(bǔ)貼流程,并專(zhuān)注于勞動(dòng)力發(fā)展可能有助于緩解障礙。這些努力的成功將在決定美國(guó)半導(dǎo)體制造在全球舞臺(tái)上的未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。) O2 v& N$ ?" w+ F+ \7 S' r# |
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參考來(lái)源
* M- h- q0 F) \2 d$ J+ F4 \% q8 D[1] TrendForce, "Multiple Semiconductor Manufacturing Projects Delayed in the U.S.," TrendForce, Aug. 15, 2024. [Online]. Available: https://www.trendforce.com/news/2024/08/15/news-multiple-semiconductor-manufacturing-projects-delayed-in-the-u-s/. [Accessed: Aug. 25, 2024].# Y, t1 X. r) L: |" n) o8 R4 O
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