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引言8 X3 H+ A4 m% D8 K M
集成光電子技術(shù)在高速通信、量子信息處理等多個(gè)領(lǐng)域帶來了變化。在眾多探索的材料中,磷化銦鎵(InGaP)因其強(qiáng)大的非線性光學(xué)特性和寬禁帶而成為極具潛力的候選材料。本文將探討InGaP-on-Insulator(InGaPOI)的晶圓級(jí)制造工藝及其在非線性和量子光電子應(yīng)用中的潛力[1]。
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$ ^* j: P' B( C- H* ~" G+ e圖1:完成全部制造工藝后的100毫米InGaP-on-Insulator(InGaPOI)晶圓。6 o; f$ S* g) Y
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( \. B7 T3 {, h3 Y1 N: k; ?+ UInGaPOI平臺(tái):優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)! v) q2 p; r, ]' _# c
相比于集成光電子中常用的其他材料,InGaP具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其二階非線性極化率(χ(2))高達(dá)約220 pm/V,是AlGaAs的1.5倍,是鈮酸鋰的10倍。此外,三階非線性極化率(χ(3))與其他III-V族半導(dǎo)體相當(dāng)。1.9 eV的寬禁帶(對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)645 nm)使得在電信波段進(jìn)行高效非線性過程時(shí)不會(huì)產(chǎn)生顯著的雙光子吸收。
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8 @+ o; J0 @" r& \盡管具有這些優(yōu)勢(shì),InGaP在集成光電子中的廣泛應(yīng)用受到了制造工藝挑戰(zhàn)的限制。開發(fā)可擴(kuò)展、可制造的高質(zhì)量InGaPOI器件工藝對(duì)于實(shí)現(xiàn)其在實(shí)際應(yīng)用中的全部潛力具有重要意義。* D3 q( ], @: I I) I7 L7 J% r
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+ Z3 m: |) _% k! V晶圓級(jí)制造工藝! o$ Y/ K3 j. B" ?9 d$ X4 k
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$ i. L% [7 \& P7 b圖2:InGaPOI工藝流程圖,展示了制造的關(guān)鍵步驟。: E" G, H+ _ h* u& q8 c
& g. w/ k0 X5 s5 wInGaPOI的晶圓級(jí)制造涉及幾個(gè)關(guān)鍵步驟:晶圓鍵合:首先進(jìn)行低溫等離子體活化鍵合,將InGaP外延晶圓與熱氧化硅基底晶圓鍵合。這一步驟需要仔細(xì)檢查和清潔晶圓,以確保高質(zhì)量的鍵合。襯底去除:使用NH4OH:H2O2濕法刻蝕去除GaAs生長(zhǎng)襯底。然后用稀HF選擇性去除AlGaAs刻蝕停止層。波導(dǎo)定義:使用原子層沉積(ALD)沉積90 nm厚的SiO2硬掩模。通過深紫外光刻和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕定義波導(dǎo)特征。包覆層和加熱器:沉積30 nm ALD SiO2層和1.5 μm PECVD SiO2層作為波導(dǎo)包覆層。然后在包覆層頂部圖案化Ti/Pt電阻加熱器,用于熱光相位調(diào)諧。刻面和切割:晶圓進(jìn)行刻面工藝,然后切割成單獨(dú)的芯片進(jìn)行測(cè)試和表征。3 w+ h0 A0 q* v+ c
[/ol]
& D, @8 a4 M" R: M+ Y這一工藝可以在單個(gè)100毫米晶圓上制造數(shù)千個(gè)光電子器件,并有潛力擴(kuò)展到200毫米晶圓。7 W/ p- F; M) g4 j# F8 G% u* P R
: v. d* j( u. G7 y( L/ d) D器件設(shè)計(jì)和優(yōu)化) m" b; L, z5 R' z1 o; y( j0 V
InGaPOI器件的設(shè)計(jì)需要仔細(xì)考慮波導(dǎo)幾何結(jié)構(gòu),以實(shí)現(xiàn)不同非線性過程的最佳性能。兩個(gè)主要關(guān)注的過程是自發(fā)四波混頻(SFWM)和自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換(SPDC)。4 ~0 @0 B& W/ G" j
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* Z' X9 B5 U/ j) q) M圖3:SFWM和SPDC設(shè)計(jì)的模態(tài)截面和色散特性。 s8 U8 F1 ?' {
+ ~; l7 a) k" Z" d
對(duì)于依賴χ(3)非線性的SFWM,理想的是近零色散波導(dǎo)設(shè)計(jì)。這允許在更寬的帶寬范圍內(nèi)產(chǎn)生糾纏光子對(duì)。模擬表明,400 × 650 nm的波導(dǎo)截面對(duì)于使用基礎(chǔ)TE模式在1550 nm進(jìn)行SFWM是最佳的。
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利用χ(2)非線性的SPDC需要泵浦光(通常在775 nm)和產(chǎn)生的光子對(duì)(約1550 nm)之間的相位匹配。由于InGaP的強(qiáng)材料色散,實(shí)現(xiàn)相位匹配需要使用高縱橫比的波導(dǎo)截面。對(duì)于102 nm的波導(dǎo)高度,相位匹配的理想寬度約為1.2 μm。2 R, M7 z, h5 g- f
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引言器件表征和性能; e$ ~ |; H1 a; D O* b
為評(píng)估制造的InGaPOI器件質(zhì)量,采用了多種表征技術(shù)。使用可調(diào)諧激光在1530至1600 nm范圍內(nèi)掃描,對(duì)微環(huán)諧振器進(jìn)行線性透射測(cè)量。" @1 `2 r5 L5 c: g- [$ ^
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( v7 ?& i: H. k- D圖4:1550-1600 nm范圍內(nèi)的典型環(huán)形諧振器透射譜,插圖顯示了高Q值諧振。7 g+ \5 g% ~9 v7 x& R
+ q* v$ C/ Q0 E5 P透射譜顯示了載荷品質(zhì)因數(shù)(QL)超過200,000的高質(zhì)量諧振。通過將諧振擬合到解析模型,測(cè)得本征品質(zhì)因數(shù)(Qi)高達(dá)440,000,對(duì)應(yīng)1550 nm處的傳播損耗低至1.22 dB/cm。2 B" p5 a2 p9 z7 q
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/ ~. C7 I+ M% K5 V9 D# r, x. t圖5:微環(huán)諧振器的傳播損耗與半徑和寬度的關(guān)系,以及整個(gè)晶圓上最高的本征品質(zhì)因數(shù)。& B* w7 e4 R! Z' A
. p% T- ?* {- B( \對(duì)制造的器件進(jìn)行進(jìn)一步分析揭示了幾個(gè)重要趨勢(shì):傳播損耗隨環(huán)半徑增加而降低,從20 μm半徑時(shí)的約5.4 dB/cm降至40 μm半徑時(shí)的約2.4 dB/cm。更寬的波導(dǎo)表現(xiàn)出更低的損耗,這是由于與側(cè)壁的模式重疊減少。在整個(gè)晶圓上持續(xù)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量器件,本征Q因子范圍從194,000到440,000。 g8 R% V9 `" Q$ g
[/ol]
8 t* ?) Q; I9 N2 z這些結(jié)果展示了晶圓級(jí)制造工藝的優(yōu)異性能和均勻性。/ j* [( Z( S d! {0 n; @0 Q: \6 ^) J
( H# r% |# f& W9 C3 Z
3 o9 `) W# ]0 e5 _: \3 ]8 q與其他非線性平臺(tái)的比較& Y8 Y- T' s3 B" L, U' {
InGaPOI在1550 nm處實(shí)現(xiàn)的1.22 dB/cm傳播損耗與其他新興非線性光電子平臺(tái)相比具有競(jìng)爭(zhēng)力。! z3 N5 Q" d! X9 k4 b# H. s
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雖然一些材料如AlGaAsOI和絕緣體上鈮酸鋰(LNOI)已經(jīng)展示了更低的損耗,但I(xiàn)nGaPOI平臺(tái)提供了幾個(gè)優(yōu)勢(shì):使用深紫外光刻的晶圓級(jí)制造,實(shí)現(xiàn)更高的產(chǎn)能和批量生產(chǎn)潛力。強(qiáng)大的χ(2)和χ(3)非線性,允許多樣化的非線性光學(xué)過程。寬禁帶,減少了電信波長(zhǎng)下不需要的非線性吸收。
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未來前景和改進(jìn)
; n- V2 X% Q3 g: H當(dāng)前結(jié)果令人鼓舞,但I(xiàn)nGaPOI平臺(tái)仍有改進(jìn)空間:先前研究表明,使用Al2O3進(jìn)行表面鈍化可以將本征品質(zhì)因數(shù)提高3倍。使用氘化SiO2作為包覆材料可以在1550 nm處將吸收損耗降低約7倍。進(jìn)一步優(yōu)化制造工藝,包括改進(jìn)刻蝕技術(shù)和表面處理,可能導(dǎo)致更低的傳播損耗。
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2 ]' J9 X" N- B8 t% }! i9 D6 L這些改進(jìn)可能使InGaPOI器件的性能達(dá)到或超過其他非線性光電子平臺(tái)。
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' i6 X' p& {, B' o1 z! N# m結(jié)論
( M m! Q" o5 ~. r6 k3 b3 [高質(zhì)量InGaP-on-Insulator器件的晶圓級(jí)制造是集成非線性和量子光電子技術(shù)發(fā)展的重要進(jìn)展。強(qiáng)大的χ(2)和χ(3)非線性、寬禁帶以及現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)的低損耗波導(dǎo)的組合使InGaPOI成為適用于廣泛應(yīng)用的多功能平臺(tái)。
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% ]# @' b' N. V, q8 L" Y8 a參考文獻(xiàn) p( V9 I# x$ X
[1] L. Thiel et al., "Wafer-scale fabrication of InGaP-on-insulator for nonlinear and quantum photonic applications," Appl. Phys. Lett., vol. 125, no. 131102, Sep. 2024, doi: 10.1063/5.0225747.# i8 f$ V! A( P5 p1 x6 o% a
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