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解析美國半導(dǎo)體制造面臨的挑戰(zhàn):近期延遲項(xiàng)目案例研究

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發(fā)表于 2024-9-12 08:03:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言
  W9 |1 }9 b0 ^5 q半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代科技的基石,為智能手機(jī)到先進(jìn)人工智能系統(tǒng)等各類設(shè)備提供動(dòng)力。近年來,美國通過通貨膨脹削減法案和芯片與科學(xué)法案等舉措,大力推動(dòng)國內(nèi)半導(dǎo)體制造能力的提升。然而,盡管有政府的大力支持,許多重大半導(dǎo)體項(xiàng)目卻遭遇了意外延遲。本文將探討美國半導(dǎo)體制造的現(xiàn)狀,重點(diǎn)關(guān)注行業(yè)主要參與者面臨的挑戰(zhàn)。
; P: s  {* [: R+ \) k  J, F) h5 m% O8 T- _. Y- |
美國半導(dǎo)體制造的前景與挑戰(zhàn)1 p5 z1 p1 g: B: q
美國政府承諾提供超過4000億美元的稅收優(yōu)惠、貸款和補(bǔ)貼,以振興本地清潔能源技術(shù)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。這項(xiàng)巨額投資旨在減少對外國芯片制造商的依賴,加強(qiáng)國內(nèi)供應(yīng)鏈。但實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的道路并不平坦。
, T2 ]3 X2 B! C* ^/ ?: ^2 p
5 \  @% O1 A, I2 [) u$ {/ p  I截至2024年8月,與這些法案相關(guān)的重大項(xiàng)目有114個(gè),總投資價(jià)值達(dá)2279億美元。不幸的是,約840億美元的項(xiàng)目遇到了從兩個(gè)月到數(shù)年不等的延遲,有些甚至無限期推遲。這些延遲影響了幾個(gè)備受關(guān)注的半導(dǎo)體項(xiàng)目,引發(fā)了人們對政府戰(zhàn)略有效性的擔(dān)憂。  Y* ]7 V! m9 y6 b- u0 X2 ?
, q3 @  j3 s8 i# P& o. ]

8 @/ ]( n9 m4 h0 ]& s圖1:《芯片與科學(xué)法案》簽署儀式. V3 K3 ~: [; d* e2 D* q( @) k( \
3 y- o1 b# g8 S" ~- m( o7 C, U* N
案例研究:面臨延遲的主要參與者
: `+ X& a  z) R) w9 d9 d; L  {3 }1. 臺(tái)積電的亞利桑那州工廠6 N+ R+ i: [2 M/ {+ H
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(臺(tái)積電),全球最大的合約芯片制造商,宣布計(jì)劃在亞利桑那州建造三座晶圓廠,總投資650億美元。然而,該項(xiàng)目面臨重大挑戰(zhàn):
4 J  a3 ~7 O8 @, P/ F
  • 初始計(jì)劃:2021年開始建設(shè),2024年開始生產(chǎn)。
  • 當(dāng)前狀態(tài):第一座晶圓廠的生產(chǎn)開始時(shí)間推遲到2025年上半年,第二座晶圓廠的生產(chǎn)推遲到2028年。
  • 挑戰(zhàn):文化差異和與英特爾爭奪勞動(dòng)力資源是導(dǎo)致延遲的因素。
  • 技術(shù):第一座晶圓廠將使用4納米制程技術(shù),第二座使用2納米,第三座(計(jì)劃于2030年代后期)將使用2納米或更先進(jìn)的制程。4 c, X6 F  M2 q' ?# K
    # U: @; b6 k" v7 ]. M
    * @# i2 P8 }$ }$ \$ `+ F
    0 O* ~; L3 w3 G5 X4 Q7 ]
    圖2:臺(tái)積電亞利桑那州工廠建設(shè)" p2 C9 D/ x% Y1 v+ V( G

    . r( g, _7 E) p5 U! F$ q% ]2. 英特爾的俄亥俄州項(xiàng)目
    * B; L6 {/ M7 Q" H+ b英特爾,美國領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,計(jì)劃在五年內(nèi)投資1000億美元用于在多個(gè)州建設(shè)新晶圓廠和擴(kuò)建現(xiàn)有設(shè)施。然而,俄亥俄州項(xiàng)目遇到了障礙:9 U- X& a- X+ L# p* F
  • 初始計(jì)劃:在俄亥俄州建造兩座新的先進(jìn)晶圓廠,2025年開始芯片制造。
  • 當(dāng)前狀態(tài):Fab1和Fab2的完工時(shí)間推遲到2026-2027年,預(yù)計(jì)2027-2028年左右開始運(yùn)營。
  • 延遲原因:市場低迷和美國補(bǔ)貼延遲。6 }6 _, b* K7 P% I6 j, V+ C( H' U& M

    * q. U0 S( k3 y! T) d( K- A英特爾還調(diào)整了歐洲項(xiàng)目,包括推遲德國晶圓廠的啟動(dòng)日期,暫停在法國和意大利的投資。: N  i4 I) K+ @4 k6 ]
    4 x: R& r- ^2 n+ z

    3 h! r. a0 \- X" ~% q6 w4 K圖3:英特爾俄亥俄州項(xiàng)目  ~3 T  r2 ]0 y. N" e3 q
    # e  z* G- G7 P# T; T
    3. 三星的泰勒晶圓廠項(xiàng)目
    " x/ |- t3 [' ~三星計(jì)劃在德克薩斯州泰勒建設(shè)半導(dǎo)體集群,包括兩座先進(jìn)邏輯晶圓廠和一座先進(jìn)封裝設(shè)施。該項(xiàng)目也遇到了延遲:1 z  O' o8 }, f% P3 [
  • 初始計(jì)劃:第一座晶圓廠原計(jì)劃2024年開始生產(chǎn),具備4納米制程能力。
  • 當(dāng)前狀態(tài):運(yùn)營可能要到2026年才能開始。
  • 可能的升級:三星正考慮將設(shè)施的制程技術(shù)從4納米升級到2納米,以提高競爭力。
    0 v2 J3 ?9 }  |" @0 f+ u$ K

    . J+ u9 l" x9 l5 A5 {2 R  K' \) l& ~0 i: N% C' L
    4 I" w" }3 E* m1 G1 ?2 H) j6 @
    圖4:三星泰勒晶圓廠建設(shè)& A* ], }( s- F3 u3 |
    : i) A* ^: y/ k8 E& T! i: |
    導(dǎo)致延遲的因素
    , O- l  X* d& E4 O造成美國半導(dǎo)體制造項(xiàng)目廣泛延遲的因素有幾個(gè):, l0 l) r) C4 G  G7 U

    # N$ P3 s3 \# ?' {! n7 v1.市場條件:半導(dǎo)體行業(yè)具有周期性,目前的市場低迷使公司對大規(guī)模投資更加謹(jǐn)慎。
    " N: ?- ]$ U3 W" K6 m- J, O2.需求放緩:隨著疫情后電子產(chǎn)品需求激增的勢頭減弱,芯片制造商正在重新評估產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。
    7 p2 }6 u" F' J2 L  c3.政策不確定性:政府補(bǔ)貼發(fā)放的延遲使公司陷入困境,無法按原定時(shí)間表推進(jìn)。( `( c2 `5 v- F8 u" |
    4.技術(shù)挑戰(zhàn):隨著芯片制造工藝推進(jìn)到3納米和2納米,建造新晶圓廠的復(fù)雜性和成本顯著增加。7 r1 ~8 A- |! |3 o( C, W
    5.勞動(dòng)力問題:爭奪熟練工人和文化差異構(gòu)成了挑戰(zhàn),特別是對在美國運(yùn)營的外國公司而言。
    4 B/ j( o6 k6 C4 `0 o6 P6.供應(yīng)鏈中斷:持續(xù)的全球供應(yīng)鏈問題影響了晶圓廠建設(shè)所需的關(guān)鍵設(shè)備和材料的及時(shí)交付。% [. l, M$ V) H0 P, y( n

    & Q0 [' E, s+ K, T/ |對美國半導(dǎo)體行業(yè)的影響% n$ _9 s, m$ x+ h* j
    這些重大項(xiàng)目的延遲對美國半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了幾個(gè)方面的影響:5 b$ I2 b. F" [" P* y% B3 A

    " e- y4 Z7 ~% o. N1 p" F1.競爭地位:延遲可能會(huì)擴(kuò)大美國制造能力與臺(tái)積電等全球領(lǐng)導(dǎo)者之間的差距。
    2 ~  x1 @" l0 X) ^2.經(jīng)濟(jì)影響:項(xiàng)目推遲意味著當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)的就業(yè)創(chuàng)造和經(jīng)濟(jì)效益也將延后。; Z' g. H/ K/ {8 ?
    3.供應(yīng)鏈脆弱性:對外國芯片制造的依賴可能會(huì)持續(xù)比預(yù)期更長的時(shí)間。) B9 P' U3 v3 H0 r
    4.政策有效性:這些挫折引發(fā)了人們對當(dāng)前政府激勵(lì)措施和政策有效性的質(zhì)疑。+ c5 T; a8 N0 ~  q/ y4 ?
    5.技術(shù)領(lǐng)先地位:先進(jìn)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)的延遲可能影響美國在尖端半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的地位。
    8 W! V( Z/ s/ r" {# Y- J1 M4 @2 E! F/ }' e
    ; z5 l2 |% R3 K0 {; M; N
    結(jié)論9 K, L0 E6 `& |# }
    美國半導(dǎo)體制造格局目前處于變動(dòng)狀態(tài)。雄心勃勃的計(jì)劃和大量政府支持為美國國內(nèi)芯片生產(chǎn)的潛在復(fù)興奠定了基礎(chǔ),但該行業(yè)面臨重大挑戰(zhàn)。臺(tái)積電、英特爾和三星等主要參與者經(jīng)歷的延遲凸顯了經(jīng)濟(jì)、技術(shù)和政策因素在塑造行業(yè)未來方面的復(fù)雜相互作用。
    0 J( X- o" \/ }2 K( ~& ?8 s
    & g0 b" [) y: H$ ~* c: y( f隨著局勢繼續(xù)發(fā)展,政策制定者、行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者和利益相關(guān)者密切合作以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)將變得極為重要。調(diào)整策略以適應(yīng)不斷變化的市場條件,簡化補(bǔ)貼流程,并專注于勞動(dòng)力發(fā)展可能有助于緩解障礙。這些努力的成功將在決定美國半導(dǎo)體制造在全球舞臺(tái)上的未來競爭力方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。  d, S5 _. X( p. D$ e7 Z; e0 i6 I

    $ p5 F" a2 ~$ D* _1 ~  f% m$ x( g參考來源$ o* w* B1 S$ o
    [1] TrendForce, "Multiple Semiconductor Manufacturing Projects Delayed in the U.S.," TrendForce, Aug. 15, 2024. [Online]. Available: https://www.trendforce.com/news/2024/08/15/news-multiple-semiconductor-manufacturing-projects-delayed-in-the-u-s/. [Accessed: Aug. 25, 2024].: g3 q1 R& `3 `! K
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    6 n2 h# R1 a# K# J" t深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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