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這個(gè)電路該怎么設(shè)計(jì)?點(diǎn)評(píng)幾位兄弟的電路圖,第四個(gè)有點(diǎn)意思

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發(fā)表于 2024-9-11 07:37:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
5 ~3 G  d4 ~! r% ^, `
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+ ~9 o" e0 f/ I& V8 `9 _/ P4 l' I$ x: J* y! s- z

7 E) J8 ]/ b% l: G7 M' f: ~9 u大家好,我是王工。% U8 o- P, J* Y; t) _* H
在講電路之前,我想先說幾句。
) w3 V- M) C: J) B1、首先感謝大家的評(píng)論,朋友圈差不多40來個(gè)兄弟在評(píng)論區(qū)給出意見,有幾個(gè)群里也在討論,還有幾個(gè)兄弟把圖發(fā)給我,一起琢磨。不管有沒有實(shí)現(xiàn)功能,這種自我思考的過程是挺有意思的。
. I1 i0 C; s# ]' e- R1 H- {8 T( J2、做硬件電路,真的是要靠積累,沒有成千上萬個(gè)細(xì)節(jié)是做不好硬件的,所以都說硬件靠經(jīng)驗(yàn),不是沒有道理的。
/ u6 l9 V5 I: ~1 h8 u& |& D3、本文的總結(jié)是好幾個(gè)兄弟提出來的,希望能夠收集大家的意見,看看別人是怎么想的,也希望能從中學(xué)到一點(diǎn)東西,一起學(xué)習(xí),共同進(jìn)步。6 X5 `, j2 k) B7 {' }, i2 s
以下進(jìn)入正題
; d0 |$ X3 ^8 W1 i需求回顧:客戶在使用產(chǎn)品時(shí),需要考慮DC12V和DC5V兩種電壓,可同時(shí)使用,也可單獨(dú)使用。那么可能出現(xiàn)三種情況:
, \+ |  y9 A  q9 k( \
) y3 ]+ E+ T) d: h
4 r& L+ a7 Y, a& C1、只有DC12V輸入時(shí),電路正常工作;
8 b+ Y7 A6 `2 W! N2、只有DC5V輸入時(shí),電路正常工作;
4 J6 h% h7 o8 W0 m* F, U  k. O" h3、當(dāng)同時(shí)輸入DC12V和DC5V時(shí),電路正常工作,且5V電壓不能影響12V電壓源,12V電壓也不能影響5V電壓源。
1 i8 a6 w/ \3 B, t . I0 U4 A5 l+ a1 l, g% E/ T/ Q

3 W7 t. Z. }8 [' I很多兄弟就會(huì)想:這個(gè)簡(jiǎn)單,其實(shí)就是防反接,不是二極管就是MOS管,像上圖那樣最簡(jiǎn)單。因?yàn)榭蛻粜枨箅娏鞅容^大(max=8A),所以最好不要串二極管,不然二極管的功耗會(huì)很大,也可以選一個(gè)功率大些的二極管,但體積肯定很大,受限于功耗和板框大小,所以二極管不考慮。/ t% `3 B" W4 M
總之,要設(shè)計(jì)一個(gè)最簡(jiǎn)單的電路,但是要實(shí)現(xiàn)功能,用的元件最少,最可靠,這樣的產(chǎn)品才有競(jìng)爭(zhēng)力。
5 y  j  Y0 l6 S" g. R. y* D; ~' {$ z. R% `) H

& L1 G+ B6 v$ Z1 {$ {- b' j( o/ y電路點(diǎn)評(píng):
' e0 \7 ~$ l5 j9 i7 t4 r1 J電路1
4 @; |' p# j! ?4 N/ b
; E' o) _( J" K$ ~$ y4 d9 t: T這位兄弟應(yīng)該是想通過控制三極管的通斷,進(jìn)而控制PMOS的通斷。圖中三極管畫錯(cuò)了,NPN畫成了PNP,且發(fā)射極應(yīng)該連接在GND。3 y/ h* w& ]( x( }% x% x6 z- Y
當(dāng)DC12V輸入時(shí),NPN三極管導(dǎo)通,引起PMOS導(dǎo)通,12V輸出。因?yàn)镈C12V輸入,所以5V串聯(lián)的PMOS不通,同時(shí)體二極管會(huì)阻止12V灌入,5V接口無電壓流入。, P1 I6 E1 a- D- g
當(dāng)5V輸入時(shí),通過PMOS體二極管輸出,PMOS本身是無法導(dǎo)通的,所以全部電流流過體二極管,要知道體二極管流過的電流是有限的,這個(gè)是有點(diǎn)問題的。
+ e) m$ D) w* p8 f當(dāng)兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),5V電壓串聯(lián)的PMOS也是無法開通的。2 e) E% L% y6 z9 Q* {- ^" ]8 I/ e
總之,電路看起來簡(jiǎn)單,但是沒有達(dá)到想要的效果。
- Q8 K) ~3 t3 i) t3 \電路2
% e; n; T4 _; F9 ?. T! u& Q9 Z
$ W% `3 {# w' G: G/ V9 p$ n2 u
( B4 V* \6 d" e7 f* H, F9 b
當(dāng)DC12V輸入時(shí),順著二極管直接就輸出。且12V連接到PMOS柵極,柵極被拉高,PMOS關(guān)斷,體二極管會(huì)阻止12V灌入,5V接口無電壓流入。
# h3 w6 h* b. h* `" x/ y當(dāng)DC5V輸入時(shí),PMOS開通,5V電壓輸出,由于D1的存在不會(huì)倒灌進(jìn)去DC12V接口。
7 S6 h2 y+ ?# z8 a( f7 E, F當(dāng)兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),5V電壓關(guān)斷,PMOS的體二極管擋住12V過不來。
3 e3 L; A$ H: {0 X; z. }7 x' A圖中二極管D3,我覺得是多余的,而且會(huì)將PMOS的GS電壓鉗位在0.7V,導(dǎo)致管子無法開通。1 C4 v0 i; X  [

& h  }* A5 Q5 x! ^) W/ b! [) K( q電路3  I% \& Q' Y) |0 x+ _4 t7 x, P' W

6 q7 e2 R- G: d3 A, h$ `( m3 R0 J) q0 J% Z
乍一看,這個(gè)電路感覺有點(diǎn)復(fù)雜,用了5個(gè)MOS管。三種情況供電,兩組電壓各自回路上的PMOS都會(huì)自動(dòng)打開,因?yàn)闁艠O直接到地,都會(huì)形成倒灌,所以這個(gè)功能沒有實(shí)現(xiàn)。
+ h. J9 D) F1 H! j
. m* [7 }& U' `# f" S$ W: o電路4
5 E1 I0 z8 e, C+ R0 U8 l! H
. a$ S5 e; }- w# V, I這個(gè)兄弟設(shè)計(jì)的電路挺好玩的,巧妙的用了一個(gè)6V的穩(wěn)壓二極管,這個(gè)二極管的作用很大,給人一種不一樣的感覺,很有意思。
/ f& X' G6 ~1 @2 Q當(dāng)DC12V和5V同時(shí)輸入時(shí),穩(wěn)壓二極管D9導(dǎo)通,三極管Q4基極就有了電壓(>0.7V),Q4導(dǎo)通,這時(shí)三極管Q3的基極電壓就會(huì)拉低,Q3截止,進(jìn)而Q1,Q2截止,5V斷開,同時(shí)體二極管會(huì)阻止12V的倒灌。' S8 ]- ~  v4 B0 L/ N" O
簡(jiǎn)單說,就是兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),會(huì)斷開5V,自動(dòng)選擇高端電壓DC12V供電。
2 I3 X  x2 S4 o) r, @但是該電路有一個(gè)弊端和一個(gè)不確定性。
/ Q# r# P) N% }弊端:只有5V供電時(shí),12V接口也會(huì)有5V電壓。5 P+ j2 j, b2 r- B3 k
不確定性:當(dāng)先插上5V后,再插入12V時(shí),12V可能會(huì)直接倒灌入5V電壓。怎么講?12V上電后,路徑12V→D9→Q4,這個(gè)回路會(huì)把5V拉低從而使兩個(gè)MOS截止。如果在截止前12V過來,就會(huì)直接倒灌入5V電壓源。4 J1 ~* @( |$ C: g( P

+ d2 U; N" w0 d! t, O電路5
% ~0 t, `9 w: r / S5 y8 J1 H' ], D. `3 Q1 u& B
這位兄弟設(shè)計(jì)的電路,按理說應(yīng)該可以達(dá)到要求,電路簡(jiǎn)單。
/ B, q! _" M# |& q% f
: F. ^/ _+ g$ c& \* e電路6以下這個(gè)圖就是我設(shè)計(jì)的,跟上面兄弟的電路差不多。經(jīng)過上面的分析后,相信大家應(yīng)該也明白怎么回事了,大家嘗試自己分析一下。主要思路就是想達(dá)到一個(gè)自鎖的功能,即:當(dāng)兩路電源同時(shí)供電時(shí),關(guān)掉其中一路電源,且MOS內(nèi)部的寄生二極管阻斷另一路電源過來(圖中阻值可忽略,可調(diào))。我跟一個(gè)朋友討論過這個(gè)電路,應(yīng)該沒有什么問題,但是不確認(rèn)實(shí)際使用時(shí)會(huì)不會(huì)出現(xiàn)沒有考慮到的地方,如果有疑問,歡迎一起討論。6 [2 O  {) U$ A+ [+ [0 Y
/ a4 @/ y5 @; u1 J
' A3 w1 K1 p; r1 V/ s
電路7& q4 u9 _+ J0 X1 O3 g5 T0 A0 c* n" R# ?
" K( H- R# u1 Z. D
這位兄弟的電路據(jù)說已經(jīng)量產(chǎn)了千萬次以上,完全沒問題,稍加修改,幾乎跟我的電路一樣。
. ^5 q4 Z" W( X
+ m3 z- l: X- E電路8  X2 H5 ]6 y! D- H/ q
7 A1 Z: L( @9 t. j" m0 E9 {( I
這是我那天在地鐵上,無意想到的另一個(gè)電路,思路跟上一個(gè)電路差不多,大家可自行分析,如果有疑問,歡迎一起討論。
& C/ q/ ~4 m6 q0 y4 p) L: D' c& d6 l& [% l
電路9還有位兄弟推薦了一款芯片LM74610-Q1,這個(gè)芯片主要就是用來驅(qū)動(dòng)外部MOS管,串聯(lián)電源時(shí)可模擬理想二極管,也就是說串聯(lián)回路基本可以看成零壓降,這一點(diǎn)特別友好。
1 A$ c4 T. y' N3 P+ U5 M
0 B/ J# K( f8 @$ o$ S5 o% j
/ d0 x% d. F. T+ \1 M1 K3 ?如果大家要用的話,具體的大家去看一下手冊(cè),里面的原理,參數(shù),包括參考電路,layout都有講。這里主要提一點(diǎn):外部MOS選型的時(shí)候,體二極管壓降最小電壓為0.48V。為什么會(huì)有這個(gè)要求呢?那是因?yàn)殡妷簭?V到0.45V上升的這期間,會(huì)給電容Vcap充電,然后這個(gè)芯片才會(huì)正常工作,從而驅(qū)動(dòng)NMOS打開。如果外部體二極管壓降太小,芯片可能就無法正常工作。
5 B0 ]# r4 K3 a- D. H, x $ }" L- I6 Z3 k8 [) _( k6 D# F4 \, ?+ b

# i, W  r, ?+ s  p這個(gè)芯片雖好,但有兩個(gè)弊端:" \" b$ C, |- f7 ?. T
1、價(jià)格太高,對(duì)于成本有要求的,可能不太適用。
" `$ F0 |" t  l- w& o & x) f5 @3 T3 l* ^

; e& D9 M7 C, F# A1 a% |" k2、應(yīng)用場(chǎng)景比較狹窄,只用在這種特殊場(chǎng)合。如果你用的項(xiàng)目不多,且量不大,基本上沒什么優(yōu)勢(shì)。
! \* w1 l& q! Y# F: W/ V/ p1 j$ f
* ?) X3 l) G' k& K以上都只是對(duì)電路進(jìn)行一個(gè)粗略的分析,也可能有我沒有考慮到的地方,實(shí)際使用還有待驗(yàn)證,請(qǐng)勿直接使用,畢竟沒有量產(chǎn)過,硬件出錯(cuò)成本可是很高,本文旨在拋磚引玉。
- J5 q" U& Q( Z$ @1 j/ j- L9 c; Z如果你對(duì)以上電路有疑問,或還有更好的想法,請(qǐng)留言評(píng)論或加我微信私聊,謝謝!
- V$ @; R! e6 d0 w; E" L& I& H
5 l) t: p. B$ p$ I! a- H8 S - R1 U# q1 s# Z+ M  [
聲明:( B9 K! o3 U3 }4 q& h
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