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這個(gè)電路該怎么設(shè)計(jì)?點(diǎn)評(píng)幾位兄弟的電路圖,第四個(gè)有點(diǎn)意思

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發(fā)表于 2024-9-11 07:37:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式

) n; l0 o9 q% S點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多, I) F. _$ t* X) \- z' V$ t+ {

# y( I* y* k2 J
4 G7 |0 R. y4 p+ q大家好,我是王工。
5 S; N) y9 G' b在講電路之前,我想先說幾句。. M0 _: H( ?: F. v, c# N
1、首先感謝大家的評(píng)論,朋友圈差不多40來個(gè)兄弟在評(píng)論區(qū)給出意見,有幾個(gè)群里也在討論,還有幾個(gè)兄弟把圖發(fā)給我,一起琢磨。不管有沒有實(shí)現(xiàn)功能,這種自我思考的過程是挺有意思的。( v* [5 T$ P) T) y) W
2、做硬件電路,真的是要靠積累,沒有成千上萬個(gè)細(xì)節(jié)是做不好硬件的,所以都說硬件靠經(jīng)驗(yàn),不是沒有道理的。
5 a, F9 z% a4 I+ R7 P' T+ V3、本文的總結(jié)是好幾個(gè)兄弟提出來的,希望能夠收集大家的意見,看看別人是怎么想的,也希望能從中學(xué)到一點(diǎn)東西,一起學(xué)習(xí),共同進(jìn)步。6 _  _$ n& e$ y9 q( K4 Y
以下進(jìn)入正題7 u8 @* `7 f( y4 c% Q& Q
需求回顧:客戶在使用產(chǎn)品時(shí),需要考慮DC12V和DC5V兩種電壓,可同時(shí)使用,也可單獨(dú)使用。那么可能出現(xiàn)三種情況:  Y- i0 `% Q, B4 x6 s+ N  l
2 {; X+ L2 Z$ p( g: Y. v

! l* G* |* g, n% _1、只有DC12V輸入時(shí),電路正常工作;
1 D* e+ ?0 M4 w5 m% L0 s2、只有DC5V輸入時(shí),電路正常工作;" j5 g( d; ~- f
3、當(dāng)同時(shí)輸入DC12V和DC5V時(shí),電路正常工作,且5V電壓不能影響12V電壓源,12V電壓也不能影響5V電壓源。0 ~2 R0 s: ?/ R" d/ B0 q
7 n0 M4 j1 J8 f6 w( z$ a
5 ~' r! q. N! |# Q4 }
很多兄弟就會(huì)想:這個(gè)簡(jiǎn)單,其實(shí)就是防反接,不是二極管就是MOS管,像上圖那樣最簡(jiǎn)單。因?yàn)榭蛻粜枨箅娏鞅容^大(max=8A),所以最好不要串二極管,不然二極管的功耗會(huì)很大,也可以選一個(gè)功率大些的二極管,但體積肯定很大,受限于功耗和板框大小,所以二極管不考慮。# S# R4 o9 Q! v
總之,要設(shè)計(jì)一個(gè)最簡(jiǎn)單的電路,但是要實(shí)現(xiàn)功能,用的元件最少,最可靠,這樣的產(chǎn)品才有競(jìng)爭(zhēng)力。
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* i3 d0 Z/ J0 Z; y* r' W4 ~2 [7 N& d$ F( z5 k
電路點(diǎn)評(píng):, s3 a9 c% `8 l& u. q/ M+ d
電路1
- u' P3 \. i5 }4 b# M
$ h6 s& c% t( l' D  G+ e. L這位兄弟應(yīng)該是想通過控制三極管的通斷,進(jìn)而控制PMOS的通斷。圖中三極管畫錯(cuò)了,NPN畫成了PNP,且發(fā)射極應(yīng)該連接在GND。
$ E2 B/ W, I( V% l當(dāng)DC12V輸入時(shí),NPN三極管導(dǎo)通,引起PMOS導(dǎo)通,12V輸出。因?yàn)镈C12V輸入,所以5V串聯(lián)的PMOS不通,同時(shí)體二極管會(huì)阻止12V灌入,5V接口無電壓流入。  w; S8 K. [) F, T7 H/ t4 G
當(dāng)5V輸入時(shí),通過PMOS體二極管輸出,PMOS本身是無法導(dǎo)通的,所以全部電流流過體二極管,要知道體二極管流過的電流是有限的,這個(gè)是有點(diǎn)問題的。
3 q; M( z( N( e當(dāng)兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),5V電壓串聯(lián)的PMOS也是無法開通的。
$ y, T/ z7 v2 }+ @3 U3 x總之,電路看起來簡(jiǎn)單,但是沒有達(dá)到想要的效果。" U1 T/ y! P& j8 e- p5 ]9 A" T
電路2
+ F  h6 H, `' ` ! N8 u0 ^; ?% v; {9 u& m
# g- j+ d: Z+ _. ~
當(dāng)DC12V輸入時(shí),順著二極管直接就輸出。且12V連接到PMOS柵極,柵極被拉高,PMOS關(guān)斷,體二極管會(huì)阻止12V灌入,5V接口無電壓流入。9 H5 Z8 T1 s8 o' c8 N
當(dāng)DC5V輸入時(shí),PMOS開通,5V電壓輸出,由于D1的存在不會(huì)倒灌進(jìn)去DC12V接口。
* l: ~8 N  T8 C當(dāng)兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),5V電壓關(guān)斷,PMOS的體二極管擋住12V過不來。
9 |  g& p. ]6 |+ Q- e2 ]0 ?圖中二極管D3,我覺得是多余的,而且會(huì)將PMOS的GS電壓鉗位在0.7V,導(dǎo)致管子無法開通。
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電路3
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7 i) a5 b- e8 D9 q/ u: y/ H
8 A: ?& _; v  ^. h( V" V3 E6 }乍一看,這個(gè)電路感覺有點(diǎn)復(fù)雜,用了5個(gè)MOS管。三種情況供電,兩組電壓各自回路上的PMOS都會(huì)自動(dòng)打開,因?yàn)闁艠O直接到地,都會(huì)形成倒灌,所以這個(gè)功能沒有實(shí)現(xiàn)。
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4 m3 ^# z1 V, B3 u8 p0 b電路4# A% n4 ]1 S+ w  ~: `, t
8 y( f: F1 l  e* H7 r, A
這個(gè)兄弟設(shè)計(jì)的電路挺好玩的,巧妙的用了一個(gè)6V的穩(wěn)壓二極管,這個(gè)二極管的作用很大,給人一種不一樣的感覺,很有意思。* _; p: U) D+ z; b/ d6 s# x1 S
當(dāng)DC12V和5V同時(shí)輸入時(shí),穩(wěn)壓二極管D9導(dǎo)通,三極管Q4基極就有了電壓(>0.7V),Q4導(dǎo)通,這時(shí)三極管Q3的基極電壓就會(huì)拉低,Q3截止,進(jìn)而Q1,Q2截止,5V斷開,同時(shí)體二極管會(huì)阻止12V的倒灌。+ z9 t. w+ W, _. O7 E$ G: n  R$ x
簡(jiǎn)單說,就是兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),會(huì)斷開5V,自動(dòng)選擇高端電壓DC12V供電。" W# `& }$ T! v1 ^) T
但是該電路有一個(gè)弊端和一個(gè)不確定性。
. T  f0 c" O1 l/ D  \5 t弊端:只有5V供電時(shí),12V接口也會(huì)有5V電壓。
  C; j2 n, H* E不確定性:當(dāng)先插上5V后,再插入12V時(shí),12V可能會(huì)直接倒灌入5V電壓。怎么講?12V上電后,路徑12V→D9→Q4,這個(gè)回路會(huì)把5V拉低從而使兩個(gè)MOS截止。如果在截止前12V過來,就會(huì)直接倒灌入5V電壓源。5 N% l, F6 }2 \7 l7 _
; I; Z/ {9 ]3 h2 }5 y6 y4 i1 n: Q7 g+ [
電路5
0 V! g2 r& F6 q . q) G& t6 q" @+ `# a) U4 o2 }! v
這位兄弟設(shè)計(jì)的電路,按理說應(yīng)該可以達(dá)到要求,電路簡(jiǎn)單。4 {7 Z) R$ Y5 I8 D

4 E' h0 y6 \8 T電路6以下這個(gè)圖就是我設(shè)計(jì)的,跟上面兄弟的電路差不多。經(jīng)過上面的分析后,相信大家應(yīng)該也明白怎么回事了,大家嘗試自己分析一下。主要思路就是想達(dá)到一個(gè)自鎖的功能,即:當(dāng)兩路電源同時(shí)供電時(shí),關(guān)掉其中一路電源,且MOS內(nèi)部的寄生二極管阻斷另一路電源過來(圖中阻值可忽略,可調(diào))。我跟一個(gè)朋友討論過這個(gè)電路,應(yīng)該沒有什么問題,但是不確認(rèn)實(shí)際使用時(shí)會(huì)不會(huì)出現(xiàn)沒有考慮到的地方,如果有疑問,歡迎一起討論。
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+ D/ o/ B& K1 B9 D5 ?
- n+ S: f' t, Q: y6 b3 [/ P: f& m電路7
) M- |4 r3 m% s$ ~! q# c
( j1 o* P9 t0 r* Y4 B+ _這位兄弟的電路據(jù)說已經(jīng)量產(chǎn)了千萬次以上,完全沒問題,稍加修改,幾乎跟我的電路一樣。! l, y1 B! B/ N' @2 n

. `) g! p/ R# n: z( e電路87 P; L- u+ L# M# k' k6 {8 L

$ j# ?' x8 _. _* J1 i這是我那天在地鐵上,無意想到的另一個(gè)電路,思路跟上一個(gè)電路差不多,大家可自行分析,如果有疑問,歡迎一起討論。. r% \- P9 H6 G5 c  o' g4 P" Y

' z% C$ h: K3 C) T1 D( R; a電路9還有位兄弟推薦了一款芯片LM74610-Q1,這個(gè)芯片主要就是用來驅(qū)動(dòng)外部MOS管,串聯(lián)電源時(shí)可模擬理想二極管,也就是說串聯(lián)回路基本可以看成零壓降,這一點(diǎn)特別友好。
9 H4 a5 g7 m6 y5 x6 k0 a, t
" F# H' V6 @9 r& i; w' j3 _& \' f6 S. k$ ?1 u* y: {5 Q1 u1 r: |9 Q
如果大家要用的話,具體的大家去看一下手冊(cè),里面的原理,參數(shù),包括參考電路,layout都有講。這里主要提一點(diǎn):外部MOS選型的時(shí)候,體二極管壓降最小電壓為0.48V。為什么會(huì)有這個(gè)要求呢?那是因?yàn)殡妷簭?V到0.45V上升的這期間,會(huì)給電容Vcap充電,然后這個(gè)芯片才會(huì)正常工作,從而驅(qū)動(dòng)NMOS打開。如果外部體二極管壓降太小,芯片可能就無法正常工作。. \4 q2 ^" _) K/ Q! A
- t( {' x6 m; }# E; u8 Y

" h) c1 M& k; Z' b! O& \/ C這個(gè)芯片雖好,但有兩個(gè)弊端:
8 g5 X$ S6 G% |1 k" _3 |. u0 s1、價(jià)格太高,對(duì)于成本有要求的,可能不太適用。, J* h4 I, s( {/ J
  o/ K; c0 k4 g! O: p

0 j. L- @& W/ B& s8 ]* N4 C2、應(yīng)用場(chǎng)景比較狹窄,只用在這種特殊場(chǎng)合。如果你用的項(xiàng)目不多,且量不大,基本上沒什么優(yōu)勢(shì)。
& g/ K8 C7 E, @- O
3 |7 R0 H1 R4 h0 {7 U以上都只是對(duì)電路進(jìn)行一個(gè)粗略的分析,也可能有我沒有考慮到的地方,實(shí)際使用還有待驗(yàn)證,請(qǐng)勿直接使用,畢竟沒有量產(chǎn)過,硬件出錯(cuò)成本可是很高,本文旨在拋磚引玉。. n* X8 Q9 G( }. ~4 R; _& Q
如果你對(duì)以上電路有疑問,或還有更好的想法,請(qǐng)留言評(píng)論或加我微信私聊,謝謝!
2 ?5 \4 {* I4 s( N5 ~
. Y  M/ j0 L+ H 5 \  y, T( @. D# A3 ^, o0 p
聲明:, A) J* l! ]$ B9 U
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