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這個(gè)電路該怎么設(shè)計(jì)?點(diǎn)評(píng)幾位兄弟的電路圖,第四個(gè)有點(diǎn)意思

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發(fā)表于 2024-9-11 07:37:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式

2 U% q( q+ ^1 z7 k. F  X點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多
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0 R4 J  x1 i7 w  Z/ [' h9 f; R3 h& h4 l! g( L" Z. b8 w" U
大家好,我是王工。0 t6 K! Y" v; B4 ^  S' `1 w
在講電路之前,我想先說(shuō)幾句。' Q1 _9 h) i$ y" }3 l9 L; i
1、首先感謝大家的評(píng)論,朋友圈差不多40來(lái)個(gè)兄弟在評(píng)論區(qū)給出意見,有幾個(gè)群里也在討論,還有幾個(gè)兄弟把圖發(fā)給我,一起琢磨。不管有沒有實(shí)現(xiàn)功能,這種自我思考的過(guò)程是挺有意思的。
" T4 I. y. C9 f7 L8 Z- Y) U2、做硬件電路,真的是要靠積累,沒有成千上萬(wàn)個(gè)細(xì)節(jié)是做不好硬件的,所以都說(shuō)硬件靠經(jīng)驗(yàn),不是沒有道理的。/ i- v0 v1 E! H
3、本文的總結(jié)是好幾個(gè)兄弟提出來(lái)的,希望能夠收集大家的意見,看看別人是怎么想的,也希望能從中學(xué)到一點(diǎn)東西,一起學(xué)習(xí),共同進(jìn)步。
3 }4 v7 S. q) v" N$ u1 [以下進(jìn)入正題: g7 E7 d; _2 f& k- C
需求回顧:客戶在使用產(chǎn)品時(shí),需要考慮DC12V和DC5V兩種電壓,可同時(shí)使用,也可單獨(dú)使用。那么可能出現(xiàn)三種情況:
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' b' ~6 Q) I8 P2 |1、只有DC12V輸入時(shí),電路正常工作;, u, [, _3 n9 u/ n0 n; F
2、只有DC5V輸入時(shí),電路正常工作;8 x/ G! r" y$ J8 v
3、當(dāng)同時(shí)輸入DC12V和DC5V時(shí),電路正常工作,且5V電壓不能影響12V電壓源,12V電壓也不能影響5V電壓源。
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4 u3 z5 M: l6 Q" E" u" K/ z; ?  z1 a# ?
很多兄弟就會(huì)想:這個(gè)簡(jiǎn)單,其實(shí)就是防反接,不是二極管就是MOS管,像上圖那樣最簡(jiǎn)單。因?yàn)榭蛻粜枨箅娏鞅容^大(max=8A),所以最好不要串二極管,不然二極管的功耗會(huì)很大,也可以選一個(gè)功率大些的二極管,但體積肯定很大,受限于功耗和板框大小,所以二極管不考慮。
+ I# s4 x" I& z7 q總之,要設(shè)計(jì)一個(gè)最簡(jiǎn)單的電路,但是要實(shí)現(xiàn)功能,用的元件最少,最可靠,這樣的產(chǎn)品才有競(jìng)爭(zhēng)力。
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0 z0 z9 v7 D, \) U; @6 s
0 _# I, K6 U+ {5 K8 V電路點(diǎn)評(píng):0 w" E6 q& @3 M0 f4 |
電路1
4 \2 S. @/ u! N9 g0 u * T8 G. Q" q: _
這位兄弟應(yīng)該是想通過(guò)控制三極管的通斷,進(jìn)而控制PMOS的通斷。圖中三極管畫錯(cuò)了,NPN畫成了PNP,且發(fā)射極應(yīng)該連接在GND。8 l2 W) Q) a) \  i3 J" ^* q/ l
當(dāng)DC12V輸入時(shí),NPN三極管導(dǎo)通,引起PMOS導(dǎo)通,12V輸出。因?yàn)镈C12V輸入,所以5V串聯(lián)的PMOS不通,同時(shí)體二極管會(huì)阻止12V灌入,5V接口無(wú)電壓流入。
; j7 J. F; F. Z- x4 y當(dāng)5V輸入時(shí),通過(guò)PMOS體二極管輸出,PMOS本身是無(wú)法導(dǎo)通的,所以全部電流流過(guò)體二極管,要知道體二極管流過(guò)的電流是有限的,這個(gè)是有點(diǎn)問題的。
" h# ~/ f5 d7 f* D當(dāng)兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),5V電壓串聯(lián)的PMOS也是無(wú)法開通的。
+ }1 I6 ^7 x) x( w, H3 }總之,電路看起來(lái)簡(jiǎn)單,但是沒有達(dá)到想要的效果。
* w, R3 m7 S* e1 g( `; q電路28 T5 z3 ?6 W+ l8 p7 e! x

) E4 m0 Y* {& D7 R
) q2 @, [9 b& ], a! ]; H- Z
當(dāng)DC12V輸入時(shí),順著二極管直接就輸出。且12V連接到PMOS柵極,柵極被拉高,PMOS關(guān)斷,體二極管會(huì)阻止12V灌入,5V接口無(wú)電壓流入。7 ~" `; w" R. w- [
當(dāng)DC5V輸入時(shí),PMOS開通,5V電壓輸出,由于D1的存在不會(huì)倒灌進(jìn)去DC12V接口。
4 B! v% W5 q' F; J# w" T當(dāng)兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),5V電壓關(guān)斷,PMOS的體二極管擋住12V過(guò)不來(lái)。8 P! ^9 T$ w% }
圖中二極管D3,我覺得是多余的,而且會(huì)將PMOS的GS電壓鉗位在0.7V,導(dǎo)致管子無(wú)法開通。; v5 _2 |, ]) L- e
, v2 ?9 C* a, A8 d5 M9 q
電路3
" A$ i( l: L! a7 ` + w; Z& t0 L5 J' c/ f2 _
6 D% K8 T. H# P$ P
乍一看,這個(gè)電路感覺有點(diǎn)復(fù)雜,用了5個(gè)MOS管。三種情況供電,兩組電壓各自回路上的PMOS都會(huì)自動(dòng)打開,因?yàn)闁艠O直接到地,都會(huì)形成倒灌,所以這個(gè)功能沒有實(shí)現(xiàn)。6 Q% ?" [! J7 l0 u5 H: \# @
6 H. B2 U9 C# V
電路4
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  u2 L. j5 |; p2 c" S這個(gè)兄弟設(shè)計(jì)的電路挺好玩的,巧妙的用了一個(gè)6V的穩(wěn)壓二極管,這個(gè)二極管的作用很大,給人一種不一樣的感覺,很有意思。
1 v7 t5 U$ G1 U9 D4 m/ H8 _當(dāng)DC12V和5V同時(shí)輸入時(shí),穩(wěn)壓二極管D9導(dǎo)通,三極管Q4基極就有了電壓(>0.7V),Q4導(dǎo)通,這時(shí)三極管Q3的基極電壓就會(huì)拉低,Q3截止,進(jìn)而Q1,Q2截止,5V斷開,同時(shí)體二極管會(huì)阻止12V的倒灌。2 L/ X( ]' j% x8 T; v* T1 |
簡(jiǎn)單說(shuō),就是兩組電壓同時(shí)輸入時(shí),會(huì)斷開5V,自動(dòng)選擇高端電壓DC12V供電。
6 i2 H/ w. k. d( K" g0 x) v但是該電路有一個(gè)弊端和一個(gè)不確定性。
# d" m5 ^/ B# Y7 ~3 P6 l2 d( m- T9 D弊端:只有5V供電時(shí),12V接口也會(huì)有5V電壓。
7 q: J, {, L" B3 Q# |不確定性:當(dāng)先插上5V后,再插入12V時(shí),12V可能會(huì)直接倒灌入5V電壓。怎么講?12V上電后,路徑12V→D9→Q4,這個(gè)回路會(huì)把5V拉低從而使兩個(gè)MOS截止。如果在截止前12V過(guò)來(lái),就會(huì)直接倒灌入5V電壓源。! o6 L! t. A- x3 o5 J) E+ X: v$ M

/ B0 R4 T9 L3 g- ]8 ?$ K電路5
& j/ a8 q2 _2 z7 F% X$ N* A 7 _4 i2 @# t5 W" Y, }
這位兄弟設(shè)計(jì)的電路,按理說(shuō)應(yīng)該可以達(dá)到要求,電路簡(jiǎn)單。
5 Q* ?. u! L) [0 c$ d
8 }$ ^* {% F, s! f1 ^電路6以下這個(gè)圖就是我設(shè)計(jì)的,跟上面兄弟的電路差不多。經(jīng)過(guò)上面的分析后,相信大家應(yīng)該也明白怎么回事了,大家嘗試自己分析一下。主要思路就是想達(dá)到一個(gè)自鎖的功能,即:當(dāng)兩路電源同時(shí)供電時(shí),關(guān)掉其中一路電源,且MOS內(nèi)部的寄生二極管阻斷另一路電源過(guò)來(lái)(圖中阻值可忽略,可調(diào))。我跟一個(gè)朋友討論過(guò)這個(gè)電路,應(yīng)該沒有什么問題,但是不確認(rèn)實(shí)際使用時(shí)會(huì)不會(huì)出現(xiàn)沒有考慮到的地方,如果有疑問,歡迎一起討論。
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1 e- X0 L2 N+ B1 @. I/ f! Z1 i
電路7
& I" E' d: ^5 q' c, ]* C/ c1 j . f; e' G2 b! i& z6 }+ U7 D
這位兄弟的電路據(jù)說(shuō)已經(jīng)量產(chǎn)了千萬(wàn)次以上,完全沒問題,稍加修改,幾乎跟我的電路一樣。
+ q  V' @( L3 y4 R* p
7 L' ^; o7 `5 x  I4 H電路8! p$ X% d1 u* H0 t; c( K7 S

% t6 T# `- ^# G; l! o. ^( P這是我那天在地鐵上,無(wú)意想到的另一個(gè)電路,思路跟上一個(gè)電路差不多,大家可自行分析,如果有疑問,歡迎一起討論。" k: b# {+ H/ l

2 }2 Z( y# O, {* P1 `8 \" p7 T電路9還有位兄弟推薦了一款芯片LM74610-Q1,這個(gè)芯片主要就是用來(lái)驅(qū)動(dòng)外部MOS管,串聯(lián)電源時(shí)可模擬理想二極管,也就是說(shuō)串聯(lián)回路基本可以看成零壓降,這一點(diǎn)特別友好。" Z( P) X( O* {% K2 }
% C: e1 k( R0 h: @3 s

: G/ E* g& l! f! ^- u如果大家要用的話,具體的大家去看一下手冊(cè),里面的原理,參數(shù),包括參考電路,layout都有講。這里主要提一點(diǎn):外部MOS選型的時(shí)候,體二極管壓降最小電壓為0.48V。為什么會(huì)有這個(gè)要求呢?那是因?yàn)殡妷簭?V到0.45V上升的這期間,會(huì)給電容Vcap充電,然后這個(gè)芯片才會(huì)正常工作,從而驅(qū)動(dòng)NMOS打開。如果外部體二極管壓降太小,芯片可能就無(wú)法正常工作。
3 o& u8 A  x5 \" W+ {
" R: t! T& o' u& p, z3 S& e9 Q3 b9 i3 R! _5 _( _
這個(gè)芯片雖好,但有兩個(gè)弊端:
( p- a, U. r: D9 x9 V1、價(jià)格太高,對(duì)于成本有要求的,可能不太適用。6 j" u2 A# r) s" w4 E
" J/ N8 O7 c, p( g5 I  Q4 q0 v* b( I3 m

' s1 i( s0 P7 l) {+ X2、應(yīng)用場(chǎng)景比較狹窄,只用在這種特殊場(chǎng)合。如果你用的項(xiàng)目不多,且量不大,基本上沒什么優(yōu)勢(shì)。
) L; k9 A- r; M7 G8 k) i$ V: n3 H( `$ {
以上都只是對(duì)電路進(jìn)行一個(gè)粗略的分析,也可能有我沒有考慮到的地方,實(shí)際使用還有待驗(yàn)證,請(qǐng)勿直接使用,畢竟沒有量產(chǎn)過(guò),硬件出錯(cuò)成本可是很高,本文旨在拋磚引玉。
# r9 M/ E/ @  K& `' u如果你對(duì)以上電路有疑問,或還有更好的想法,請(qǐng)留言評(píng)論或加我微信私聊,謝謝!
8 j) }. g% q7 o& N
, w/ ]& p- O$ i. V( n1 u
4 t! _8 c5 ^. f6 e2 V9 _- ?: g聲明:" p- D7 J) e; `9 y$ Z8 O9 h# x5 K  T
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