1 c$ L' I ]" R! e; V
$ t, V$ Q# [7 a5 l m在日常的生活工作中,有很多測(cè)試測(cè)量的工具,比如測(cè)量長(zhǎng)度的尺子,計(jì)量時(shí)間的鐘表等等,談到測(cè)試測(cè)量工具的時(shí)候,分辨率是關(guān)鍵指標(biāo)之一,比如尺子的分辨率是1mm,時(shí)鐘的分辨率是秒。所謂分辨率就是測(cè)試測(cè)量工具能測(cè)量的最小單位。尺子和鐘表很容易得知分辨率大小,那TDR的分辨率怎樣來確定呢?" [* `+ s, J: c; J
/ p0 w* v. x8 D4 C6 w4 h7 N
TDR 產(chǎn)生一個(gè)快速脈沖邊沿,入射到待測(cè)器件中,通過采樣反射波來測(cè)量特征阻抗,而產(chǎn)生的快速脈沖邊沿本身有一個(gè)上升時(shí)間,上升時(shí)間在待測(cè)器件上對(duì)應(yīng)的電氣長(zhǎng)度對(duì)于TDR來說是一個(gè)模糊區(qū)域,該區(qū)域內(nèi),TDR儀器不能準(zhǔn)確測(cè)出待測(cè)器件的特征阻抗。所以,TDR上升時(shí)間是TDR分辨率的主要影響因素之一,除了上升時(shí)間,TDR分辨率還和待測(cè)器件的介電常數(shù)有關(guān)。具體關(guān)系如下: ,其中C是光速, 是待測(cè)器件的有效介電常數(shù),Tr是TDR的上升時(shí)間,L是TDR的分辨率。
7 [4 u) F( E' Z( j1 J7 P) h0 u+ W; g
+ i; t; e8 B: s0 h* c3 W當(dāng)待測(cè)器件的電氣長(zhǎng)度大于分辨率L時(shí),該器件的特征阻抗就可以被TDR測(cè)得。! e; u" @* }- b3 [6 g& x
6 w: S+ \- ]( ` q E/ c如果TDR的分辨率不足,會(huì)給測(cè)試結(jié)果帶來什么樣的影響呢?
0 Z; B9 x& g [- t" |4 ]1 W% t8 y, l% f. t1 B
圖(1)和圖(2)是同一個(gè)通孔,TDR上升時(shí)間分別設(shè)置40ps、100ps的阻抗測(cè)試結(jié)果:
7 m6 R0 U4 h# G% h. u3 J/ g U
! ~* K, S0 N& j+ _& t" [ t 圖(1) TDR上升時(shí)間為40ps的阻抗測(cè)試結(jié)果
# Y5 v( P- B+ X1 { M圖(2) TDR上升時(shí)間為100ps的阻抗測(cè)試結(jié)果
. i& [$ |* t; I% m) x, ` TDR上升時(shí)間設(shè)置40ps時(shí),阻抗為43ohm;TDR上升時(shí)間設(shè)置100ps時(shí),阻抗為47ohm。所以當(dāng)TDR的分辨率不足時(shí),可能無法反應(yīng)某些細(xì)微結(jié)構(gòu)的特征阻抗值。- z. ]' D% z' n- {" H3 J7 L. ]
那是不是就是把TDR上升時(shí)間設(shè)置越小越好呢?
@- a+ M2 R4 g- f- @
V' N: {4 \/ {我們測(cè)試阻抗的目的是為了反映信號(hào)在通道中傳輸時(shí)所感受到的阻抗,不同的信號(hào)速率,上升沿也會(huì)不同,自然對(duì)同一個(gè)通道感受到的阻抗也會(huì)不同。比如上述例子,1Gbps的信號(hào)上升沿大概為100ps,感受到的阻抗約為47ohm;8Gbps的信號(hào),上升沿大概40ps,感受到的阻抗約為43ohm。所以,使用TDR測(cè)試通道阻抗時(shí),合適的TDR上升時(shí)間設(shè)置要與信號(hào)的上升時(shí)間相匹配。
6 } U" V8 t7 q: M) H; u# Z
2 x5 F @9 n# e2 h- b5 k7 d關(guān)于作者
- b4 v+ @: T: i4 l深圳市一博科技有限公司專注于高速pcb設(shè)計(jì)、PCb制板、PCB貼片、物料供應(yīng)等服務(wù)3 n B" [+ x2 z" D4 V: s0 h- r
|